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[实用新型]波导器件及光投射装置-CN201920867379.4有效
发明人：吕方璐 -专利权人：深圳市光鉴科技有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种波导器件及光投射装置，包括第一表面和第二表面，其中：所述第一表面包括第一光栅结构；所述波导器件构造为引导耦合入光束在第一表面和第二表面之间进行反射；所述第一光栅结构构造为干扰反射以使得至少部分耦合入光束从波导器件耦合出来并从第一表面投射出去，从波导器件耦合出的这部分耦合入光束形成耦合出光束，所述耦合出光束配置为在耦合出光束投射的表面上形成点阵。本实用新型中通过引导光源耦合入的光束在波导器件构造为引导耦合入光束在第一表面和第二表面之间进行反射后，通过第一光栅结构进行干扰耦合入光束的反射以形成投射光束，从而能够低成本的实现光束的投射，促进了光投射技术的广泛应用
波导器件投射装置

[发明专利]高保真度超导电路结构及超导量子芯片、超导量子计算机-CN202010682384.5有效
发明人：晋力京;段润尧 -专利权人：北京百度网讯科技有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：具体实现方案为：计算量子比特；耦合器件，用于分别与两个所述计算量子比特进行耦合；连接组件，设置于所述计算量子比特与所述耦合器件之间，用于将所述计算量子比特与所述耦合器件进行耦合连接，以基于所述耦合器件以及所述计算量子比特实现目标量子门；这样，通过选择合理的超导电路参数来消除所述计算量子比特之间的寄生耦合，提升所述目标量子门的保真度。
保真度超导电路结构量子芯片计算机

[发明专利]一种基于耦合变压器的逆变电路-CN202110133391.4在审
发明人：崔彬;余仕君;胡小明;肖旭潘 -专利权人：深圳英飞源技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H02M7/48 文献下载
摘要：本发明提供一种基于耦合变压器的逆变电路，包括正母线、负母钱、第一开关桥臂、第二开关桥臂、耦合变压器及耦合电感，其中，第一开关桥臂和第二开关桥臂并联在正母线和负母钱之间，耦合变压器与耦合电感串联以构成磁性元器件，磁性元器件一端连接于第一开关桥臂和第二开关桥臂的桥臂中点，磁性元器件另一端用于连接交流电网或交流电压源或负载，耦合变压器在耦合变压器的磁芯上的耦合方式为反向耦合，耦合电感在耦合电感的磁芯上的耦合方式为正向耦合本发明能够大幅度减小了磁性元器件的体积，进而降低了磁性元器件的损耗和成本，提升了整机的效率。
一种基于耦合变压器电路

[实用新型]一种多功能的一体化射频无源器件-CN201120252334.X有效
发明人：虞春;王俊琦;王建国 -专利权人：江苏吴通通讯股份有限公司
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多功能的一体化射频无源器件，包括合路模块、耦合/功率分配模块、射频匹配模块；所述射频匹配模块设置在合路模块与耦合/功率分配模块之间；所述合路模块，包含合路接口、合路腔体、调谐器件；所述调谐器件设在合路腔体中；所述合路接口设置在合路腔体的外侧面，所述耦合/功率分配模块，包含耦合腔体、耦合杆、匹配电阻、微调螺杆、耦合/功率分配接口，完成耦合/功率分配功能；所述耦合杆、匹配电阻、微调螺杆均设在耦合腔体内；所述匹配电阻、微调螺杆分别与耦合杆相连；所述耦合/功率分配接口设置在耦合腔体的外侧面；所述射频匹配模块是合路模块和耦合/功率分配模块之间的射频信号通道；本实用新型的方案将多种功能集成到一个器件，节省了材料，制造一次完成，减少了安装环节，节省了制造和安装成本，且提高了器件和系统的可靠性。
一种多功能一体化射频无源器件

[发明专利]闪存器件及其制造方法-CN200810215674.8无效
发明人：李镕俊 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种嵌入式闪存器件及其制造方法，该方法利用逻辑CMOS制造工艺缩小了存储器件的尺寸并且提高了存储器件的耦合率。该闪存器件包括在半导体衬底的有源区上的耦合氧化层，在耦合氧化层上和/或上方形成的第一控制栅极以及在耦合氧化层和第一控制栅极的侧壁上和/或上方形成的且围绕耦合氧化层和第一控制栅极的侧壁的第二控制栅极。
闪存器件及其制造方法

[发明专利]一种光束调节装置及通过光束调节装置调节光束的方法-CN202111144246.2在审
发明人：张国瑞 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种光束调节装置及通过光束调节装置调节光束的方法，可以补偿光束对准的偏差，从而提高了耦合效率。该光束调节装置包括：第一光学器件、第二光学器件、第一透镜、第二透镜、光束偏转器件和控制器。第一光学器件用于将光束输出至第一透镜组。第一透镜用于对入射的光束进行准直，并将准直后的光束导向光束偏转器件。光束偏转器件用于将准直后的光束导向第二透镜。第二透镜用于对从光束偏转器件射出的光束进行汇聚，并将汇聚后的光束耦合至第二光学器件。控制器用于检测汇聚后的光束耦合至第二光学器件的耦合效率，并根据耦合效率驱动光束偏转器件调节准直后的光束的偏转方向。
一种光束调节装置通过方法

[实用新型]一种微波合成耦合组合器件-CN201720129504.2有效
发明人：张诚;贺正 -专利权人：北京北广科技股份有限公司
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波合成耦合组合器件，包括腔体、腔盖，腔体设有多个输入端口和至少一个输出端口，腔体内设有中心导体，中心导体包括一体成型的传输导体和合成导体，传输导体末端连接输出端口，合成导体末端连接多个输入端口，腔体内设有平行于传输导体的耦合导体，腔盖设有耦合入射端口和耦合反射端口，耦合导体分别连接耦合入射端口和耦合反射端口，耦合入射端口用于输出合成端口发射功率的耦合信号，耦合反射端口用于输出合成端口反射功率的耦合信号本实用新型提供一种微波合成耦合组合器件，该组合器件能够用于狭小空间结构，同时具有功率合成、功率耦合功能，该组合器件空间尺寸小，生产成本低，便于维修更换。
一种微波合成耦合组合器件

[发明专利]光学系统-CN202010681183.3在审
发明人：谈顺毅 -专利权人：上海慧希电子科技有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学系统，包括：合路器件、成像系统；所述合路器件的数量为一个或者多个；所述合路器件包括：光输入接口；所述成像系统包括：动态耦合器件；所述动态耦合器件能够根据输入信息动态将光耦合入对应的光输入接口；所述耦合入不同光输入接口的光的光学参数不同。
光学系统

[实用新型]设置有调节螺栓的光器件耦合座-CN201320371215.5有效
发明人：黄兰 -专利权人：成都网动光电子技术股份有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种设置有调节螺栓的光器件耦合座，包括圆柱状下物座（7）和下物座（6）、耦合台座（1）、两块支耳、两根竖柱（2），横梁（4）、压柱（5）和多颗调节螺栓（3）。本设置有调节螺栓的光器件耦合座结构简单，能有效防止待耦合光器件之间在耦合过程中发生相对位移；且放置完成后若对中效果不好，可通过调节螺栓方便调节；并且光器件取、放方便，有利于提高耦合效率。
设置调节螺栓器件耦合

[发明专利]用于微发光器件阵列的电流驱动数字像素装置-CN201910837595.9有效
发明人：萧圣文 -专利权人：联咏科技股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本公开提供一种用于微发光器件阵列的电流驱动数字像素装置，所述电流驱动数字像素装置包括电源轨、共用轨、微发光器件以及电流驱动器。电源轨被配置成供应源电流。微发光器件电耦合到共用轨。电流驱动器包括：第一开关器件，电耦合到电源轨；以及电流镜器件，电耦合在第一开关器件与微发光器件之间。电流镜器件通过第一开关器件从电源轨接收源电流并向微发光器件供应电流。第一开关器件是低电压器件且电流镜器件是中等电压器件。
用于发光器件阵列电流驱动数字像素装置

[发明专利]测试系统配置适配器系统和方法-CN202110980391.8在审
发明人：埃迪·韦恩·周 -专利权人：爱德万测试公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：在一个实施例中，测试系统配置适配器包括测试器侧插接口、分线引脚和被测器件侧槽。测试器侧插接口被配置为与测试设备插接口耦合。分线引脚被配置为与补充设备耦合。被测器件侧槽被配置为与测试器侧插接口、分线引脚和被测器件耦合。测试系统配置适配器被配置为在被测器件保持耦合到被测器件侧槽的情况下使能耦合到测试设备插接口的测试设备和耦合到分线引脚的补充设备之间的通信。在一个示例性实现方式中，分线引脚和测试器侧插接口选择性地耦合到被测器件侧槽。测试系统配置适配器可以包括开关，该开关被配置为对被测器件侧槽与测试器侧插接口和分线引脚的耦合的一部分进行切换。
测试系统配置适配器系统方法

[发明专利]光敏器件及其制作方法-CN201810478350.7在审
发明人：曾巧玉;龚政;陈志涛;刘晓燕;曾昭烩;潘章旭;刘久澄;任远;王巧;李叶林 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供了一种光敏器件及其制作方法，涉及光电技术领域，所述光敏器件包括APD及光学耦合器，APD包括衬底层及依次设置的N型掺杂层、倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层，在N型掺杂层、APD台面外周设置填充钝化层，光学耦合器设置于器件的顶部，用于光耦合汇聚和改变光传输方向。光学耦合器与P型掺杂层之间包括有相互接触的投影重叠区域，将光学耦合器的光入射面与雪崩光电二极管在水平方向上分离，利用光学耦合器的光耦合汇聚特性，可以在保证整个器件光量子效率基本不变的条件下，通过大幅的降低雪崩光电二极管APD的尺寸和减小吸收层的厚度，以提升光敏器件的工作速率和带宽，降低器件的暗电流与功耗，提升器件的灵敏度。
光学耦合器光敏器件雪崩光电二极管光耦合吸收层光电技术领域投影重叠区域汇聚电荷控制层光量子效率光入射面降低器件提升器件依次设置暗电流倍增层衬底层钝化层光传输灵敏度速率和台面功耗减小外周填充制作带宽保证

[发明专利]磁电耦合器件-CN201711271098.4有效
发明人：于浦;李好博;鲁年鹏;马静;南策文 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁电耦合器件，包括：导电基底、过渡金属氧化物层和磁性金属层。所述过渡金属氧化物层设置于所述导电基底的表面。所述磁电耦合器件通过氢离子和/或氧离子的迁移实现所述磁电耦合器件磁性的调控。本申请中提供的所述磁电耦合器件能够实现低功耗、响应快、室温可调的磁电耦合效应。所述磁电耦合器件能够极大的降低器件成本、提高集成度，促进离子调控的磁电耦合器件向应用领域迈进。
磁电耦合器件

[实用新型]光敏器件-CN201820735140.7有效
发明人：曾巧玉;龚政;陈志涛;刘晓燕;曾昭烩;潘章旭;刘久澄;任远;王巧;李叶林 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光敏器件及其制作方法，涉及光电技术领域，所述光敏器件包括APD及光学耦合器，APD包括衬底层及依次设置的N型掺杂层、倍增层、P型电荷控制层、吸收层及P型掺杂层，在N型掺杂层、APD台面外周设置填充钝化层，光学耦合器设置于器件的顶部，用于光耦合汇聚和改变光传输方向。光学耦合器与P型掺杂层之间包括有相互接触的投影重叠区域，将光学耦合器的光入射面与雪崩光电二极管在水平方向上分离，利用光学耦合器的光耦合汇聚特性，可以在保证整个器件光量子效率基本不变的条件下，通过大幅的降低雪崩光电二极管APD的尺寸和减小吸收层的厚度，以提升光敏器件的工作速率和带宽，降低器件的暗电流与功耗，提升器件的灵敏度。
光学耦合器光敏器件雪崩光电二极管光耦合吸收层光电技术领域投影重叠区域汇聚本实用新型电荷控制层光量子效率光入射面降低器件提升器件依次设置暗电流倍增层衬底层钝化层光传输灵敏度速率和台面功耗减小外周填充带宽制作保证

[发明专利]具有高密封性能的微波器件-CN201410454470.5有效
发明人：林锦祥;梁基富;梁国春;殷实;江顺喜 -专利权人：江苏贝孚德通讯科技股份有限公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01P1/213 文献下载
摘要：本明涉及一种具有高密封性能的微波器件。包括器件本体，器件本体内有耦合孔，耦合孔口处于器件本体的一个壁上，耦合孔口的尺寸小于耦合孔内腔的尺寸。器件本体含有上单元块、下单元块和端单元块，上单元块和下单元块的邻面上分别有用于组成所述耦合孔的上半腔和下半腔。耦合孔口贯穿于端单元块的两端中心。其特点是上单元块与下单元块的邻面间有反C字形密封条，该反C字形密封条环绕在耦合孔内腔的周围且耦合孔口处于反C字形密封条的C字形豁口内。上单元块和下单元块与端单元块相邻一面上有密封圈，所述耦合孔口处于该密封圈内。这种微波器件，生产效率高，质量好，维修起来比较容易。适用于高密封性极化分离器、合路器之类微波器件上。
具有密封性能微波器件