专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]分割型铁心及其制造方法、定子铁心-CN200780020655.3有效
  • 山本一之 - 三菱电机株式会社
  • 2007-05-29 - 2009-06-17 - H02K1/18
  • 本发明中,第一体是将具有凸a的第一组A和具有凸b的第二组B交互地配设而构成,第二体是将具有凹c的第三组C和具有凹d的第四组D交互地配设而构成,第一组A的凸a是不能从水平方向插入第三组C的凹c,能够从水平方向插入第四组D的凹d的形状,第二组B的凸b是能够从水平方向插入第三组C的凹c以及第四组D的凹d的形状,第一组A的凸a被压入第三组C的凹c,第二组B的凸b被插入第四组D的凹d。
  • 分割铁心及其制造方法定子
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201310638285.7在审
  • 陈士弘 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2013-12-02 - 2015-06-03 - H01L27/115
  • 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法,该半导体结构包括一第一结构;第一结构包括一第一、至少一第二及至少一第三;第一沿着一第一方向设置;第二连接第一并沿着一第二方向设置,第二方向垂直该第一方向;第三连接第一且沿着第一方向与第二交替排列;第三在第二方向上的宽度小于第二在第二方向上的宽度。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]偏光片、显示模组及移动终端-CN201910435473.7有效
  • 刘敏 - OPPO广东移动通信有限公司
  • 2019-05-23 - 2022-01-11 - G02B5/30
  • 本申请提供一种偏光片,适配于显示屏,显示屏包括透光区域和围绕透光区域的显示区域,偏光片用于覆盖透光区域和显示区域,偏光片包括第一与第二,第一用于覆盖透光区域,第一具有第一高度;第二用于覆盖显示区域,第二具有第二高度,其中,第一高度小于第二高度,第一的透光率大于第二的透光率。本申请提供的偏光片通过设置第一且第一的高度小于第二的高度的方式方便填胶封装,可以提高摄像头的进光量,有利于提高摄像品质。本申请还提供一种显示模组和移动终端。
  • 偏光显示模组移动终端
  • [发明专利]焊接方法-CN200410088216.4有效
  • 下畠幸郎;妻鹿雅彦;贵志公博;片山圣二 - 三菱重工业株式会社
  • 2004-10-21 - 2005-05-25 - B23K1/19
  • 本发明提供一种焊接方法,在单结晶以及单方向凝固的母材上形成时,通过规定层叠方法,可得到健全的。所涉及的层叠方法,在单结晶或单方向凝固结晶的的母材(11)上层叠形成通过加热源加热而成的熔融(12),具有预定间隙(13),形成2根的第1(12-1),第2(12-2),在所述间隙(13)上形成第3(12-3),由于在第1(12-1)和第2(12-2)的间隙(13)上,使第3(12-3)层叠,健全地形成单结晶。
  • 焊接方法
  • [发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN202010735750.9在审
  • 野田耕生;小池豪 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-07-28 - 2021-03-19 - H01L27/1157
  • 半导体存储装置具有基板、第一、多个第一柱状、第二、多个第二柱状和第三。在所述第一,第一导电和第一绝缘沿所述基板的厚度方向交替地层叠。所述多个第一柱状体分别在所述第一内沿所述基板的厚度方向延伸。在所述第二,第二导电和第二绝缘沿所述基板的厚度方向交替地层叠。所述多个第二柱状体分别在所述第二内沿所述基板的厚度方向延伸。所述第三设置于所述第一方向上的所述第一和所述第二之间。在所述第三,第三绝缘和包括与所述第三绝缘不同的材料的第四绝缘沿所述基板的厚度方向交替地层叠。
  • 半导体存储装置及其制造方法
  • [实用新型]一种临时起搏器接头固定装置-CN202120510857.3有效
  • 宋亚敏;魏广东 - 广东省人民医院
  • 2021-03-10 - 2021-11-30 - A61N1/362
  • 本实用新型公开了一种临时起搏器接头固定装置,其包括黏贴和固定,黏贴的下表面黏贴在患者的胸前;固定包括连接、第一折、第二折、第三折,连接固定在黏贴的上表面,第一折和第二折部分别一体连接在连接两侧的斜边处,第三折一体连接在连接的长边处;第一折和第二折折叠后通过魔术贴固定,第三折折叠后与第二折通过魔术贴固定。该第一折与第二折折叠后重合,第一折、第二折和连接围成接头收纳室,且连接的上端高出第一折和第二折,连接的下端与第一折和第二折围成连接线出口。
  • 一种临时起搏器接头固定装置
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811408244.8有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2018-11-23 - 2023-09-12 - H01L21/336
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括衬底、凸出于衬底的鳍、以及依次位于鳍上的多个沟道,每一个沟道包括牺牲和位于牺牲上的沟道,与鳍相邻的沟道为底部沟道;形成横跨沟道的伪栅结构,伪栅结构覆盖沟道的部分顶部和部分侧壁;刻蚀伪栅结构两侧的沟道,在伪栅结构两侧的沟道内形成露出鳍的凹槽;在凹槽底部形成隔离层,隔离层露出底部沟道中沟道的侧壁;形成隔离层后,在凹槽内形成源漏掺杂本发明实施例中隔离层能够对源漏掺杂和鳍起到隔离作用,而且隔离层能够增大源漏掺杂和鳍之间的距离,有利于降低源漏掺杂和鳍之间的寄生电容。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811408251.8有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2018-11-23 - 2023-10-20 - H01L21/336
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括衬底、凸出于衬底的鳍以及依次位于鳍上的多个沟道,每一个沟道包括牺牲和位于牺牲上的沟道,与鳍相邻的沟道为底部沟道;形成横跨沟道的伪栅结构,伪栅结构覆盖沟道的部分顶部和部分侧壁;刻蚀伪栅结构两侧的沟道,在伪栅结构两侧的沟道内形成露出鳍的凹槽;形成凹槽后,去除底部沟道的牺牲,在鳍和底部沟道的沟道之间形成通道;在凹槽底部形成隔离层,隔离层还填充于通道内;形成隔离层后,在凹槽内形成源漏掺杂。本发明实施例有利于降低源漏掺杂和鳍之间的寄生电容、以及金属栅结构和鳍之间的漏电流。
  • 半导体结构及其形成方法

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