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[发明专利]消除射频源影响的太赫兹混频器变频损耗测试方法及系统-CN202010832968.6有效
发明人：邓建钦;王沫;朱翔;年夫顺;姜万顺;张胜洲 -专利权人：中电科思仪科技股份有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本公开提供了一种消除射频源影响的太赫兹混频器变频损耗测试方法及系统，待测混频器与至少两个参考混频器两两分组；每个分组中，第一混频器的中频端口输入预设频率和预设功率的信号，经过上变频后输出到第二混频器后进行下变频，获得与预设频率同频的输出功率，得到第一输出功率和第一预设功率与两个混频器损耗的关系；根据各个分组中的混频器损耗与功率的关系，得到待测混频器的损耗；本公开完全排除了射频源的影响，主要通过混频器自身的变频性能完成中频信号的功率精确测试，即可满足太赫兹频段混频器精确测试的要求，同时对测试环境和测试条件要求较低。
消除射频影响赫兹混频器变频损耗测试方法系统

[发明专利]偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法-CN201910855262.9有效
发明人：陆子晴;韩勤;叶焓;王帅;肖峰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种偏振无关的双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法，该光学混频器包括外延片器件层，形成于一磷化铟衬底之上；其中：所述外延片器件层包括多模干涉区，用于实现偏振无关；所述多模干涉区为双脊型波导，用于抑制多模干涉区中更多高阶模式的激励，提高混频器输出的相位准确性；所述外延片器件层还包括减反薄膜，所述减反薄膜形成于所述外延片器件层的两端；二氧化硅上包层，形成于所述外延片器件层之上，提高外延片器件层稳定性。本发明提出的铟磷基光学混频器可直接通过光刻工艺制备，具有工艺成本低、器件微型化、偏振无关、高相位准确性、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于批量制备的综合性能。
偏振无关双脊型铟磷基光学混频器及其制备方法

[发明专利]一种折叠正交双平衡混频器-CN201510299059.X有效
发明人：李迪;柴常春;王瑜;石佐辰;房涛;赵中阳;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种折叠正交双平衡混频器，包括跨导级模块、开关级模块、尾电流源模块、负载电流源模块以及共模反馈模块；负载电流源模块包括晶体管M1、M2，尾电流源模块包括晶体管M11、M12，开关级模块包括晶体管本发明中采用折叠的开关级模块提高端口间的隔离度；采用电流源负载模块提高混频器的增益；采用共模反馈模块为混频器各个关键节点提供稳定的工作电流、提高混频器的线性度；另外同相和正交两个混频器支路共用一组射频输入端口，实现正交混频的同时降低功耗。
混频器晶体管开关级正交共模反馈模块双平衡混频器负载电流源尾电流源跨导级折叠射频输入端口电流源负载支路工作电流关键节点降低功耗隔离度线性度折叠的

[发明专利]用于6至9GHz双载波正交频分复用的超宽带频率综合器-CN200910242762.1无效
发明人：陈普锋;张海英 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H04L27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于6至9GHz双载波正交频分复用的超宽带频率综合器，该频率综合器包括固定频率的锁相环、第一多路选择器、第二多路选择器、第一单边带混频器、第二单边带混频器、第三单边带混频器、第四单边带混频器和两个除二分频器，产生用于6至9GHz双载波正交频分复用超宽带通信的八对载波分量和一个正交载波分量。利用本发明，提高了频率综合器的频率和跳频速度，满足了DC-OFDM UWB通信系统的要求。另外，该频率合成器可以应用到二次变频零中频的双载波正交频分复用超宽带收发机中。本发明的频率产生器，结构简单，面积小，功耗低，并且仅包含一个锁相环(避免了多个锁相环的牵引效应)，获得的频率更稳定。
用于 ghz 载波正交频分复用宽带频率综合

[发明专利]具有自适应耳廓恢复功能的听力设备-CN202211260088.1在审
发明人： R·德弗里斯;J·B·博尔特;E·C·D·范德韦夫 -专利权人：大北欧听力公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H04R25/00 文献下载
摘要：公开一种听力设备和相关方法，该听力设备包括第一壳体；第二壳体；连接第一壳体和第二壳体的导线；布置在第一壳体中的主要麦克风组；第二壳体中的用于提供辅助麦克风输入信号的辅助麦克风；耳廓恢复器，其用于基于第一耳廓输入和第二耳廓输入提供耳廓输出，该耳廓恢复器包括用于提供第一混频器输入的第一滤波器、用于提供第二混频器输入的第二滤波器和用于基于第一混频器输入和第二混频器输入提供第一混频器输出的第一混频器；输入混频器，其用于基于耳廓输出和辅助混频器输入来提供输入混频器输出；处理器，其用于处理输入混频器输出并基于输入混频器输出来提供电输出信号；以及接收器，其用于将电输出信号转换为音频输出信号。
具有自适应耳廓恢复功能听力设备

[实用新型]一种通用二次混频组件-CN202122227568.5有效
发明人：高元芳;王小平 -专利权人：成都益为创科技有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种通用二次混频组件，解决了传统的混频组件性能不稳定、系统线性度低，而且通用性低的技术问题。一种通用二次混频组件，包括下变频器和上变频器；下变频器包括：混频器U1与射频信号电路连接；第一本振信号电路与混频器U1连接；第一衰减滤波放大电路与混频器U1连接；混频器U2与第一衰减滤波放大电路连接；第二本振信号电路与混频器U2连接；中频信号输出电路与混频器U2连接；上变频器包括：混频器U3与中频信号输入电路连接；第三本振信号电路与混频器U3连接；第二衰减滤波放大电路与混频器U3连接；混频器U4与第二衰减滤波放大电路连接；第四本振信号电路与混频器U4连接；射频信号输出电路与混频器U4连接。
一种通用二次混频组件

[发明专利]信号处理装置及方法-CN202210511521.8在审
发明人：黄建龙 -专利权人：深圳市有方科技股份有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：该装置包括：处理模块和天线模块，处理模块包括控制模块和第一混频器，天线模块包括第二混频器和天线端口；控制模块连接第一混频器；第二混频器连接天线端口；第一混频器连接第二混频器；控制模块用于向第一混频器发送第一高频信号；第一混频器用于生成第一本振信号，对第一高频信号和第一本振信号进行混频，得到低频信号，并向第二混频器发送低频信号；第二混频器用于生成第二本振信号，对低频信号和第二本振信号进行混频，得到第二高频信号，并向天线端口发送第二高频信号
信号处理装置方法

[发明专利]一种微波移相器及方法-CN202010104182.2在审
发明人：田建伟 -专利权人：西安华讯天基通信技术有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H03H7/20 文献下载
摘要：本发明属于电子及无线通讯领域，公开了一种微波移相器，包括第一混频器、延长线、第二混频器、功率分配器和频率综合器；第一混频器一端为微波信号输入端，另一端依次连接延长线和第二混频器一端，第二混频器另一端为微波信号输出端；功率分配器一端连接频率综合器，另一端连接第一混频器和第二混频器；当第一混频器上变频时，第二混频器下变频；当第一混频器下变频时，第二混频器上变频。先通过混频把输入信号搬移到不同的频率，通过延长线延迟后，再混频回原来的频率，这样就会得到新的传输相位，从而实现了移相功能。
一种微波移相器方法

[实用新型]一种微波移相器-CN202020196606.8有效
发明人：田建伟 -专利权人：西安华讯天基通信技术有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H03H7/20 文献下载
摘要：本实用新型属于电子及无线通讯领域，公开了一种微波移相器，包括第一混频器、延长线、第二混频器、功率分配器和频率综合器；第一混频器一端为微波信号输入端，另一端依次连接延长线和第二混频器一端，第二混频器另一端为微波信号输出端；功率分配器一端连接频率综合器，另一端连接第一混频器和第二混频器；当第一混频器上变频时，第二混频器下变频；当第一混频器下变频时，第二混频器上变频。先通过混频把输入信号搬移到不同的频率，通过延长线延迟后，再混频回原来的频率，这样就会得到新的传输相位，从而实现了移相功能。
一种微波移相器

[发明专利]一种宽带上变频混频器-CN202210045938.X有效
发明人：陈志坚;洪月凤;徐玉芬;王日炎;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带上变频混频器，涉及微电子技术，解决了目前的上变频混频器随着输入信号幅度增加，上变频混频器的线性度将会恶化的技术问题。包括混频模块，用于将输入电压经过无损处理后线性转变为目标电流，对所述目标电流进行缩放匹配处理后，形成基带信号；将所述基带信号调制到射频频段；巴伦模块，用于将调制后的所述基带信号转换成输出电压，同时将双端输出转成单端输出本发明能有效的提高混频器的信噪比、线性度，同时解决了由直流失调造成的本振泄露的问题；且其工作状态更加稳定，电路功耗更小，工作带宽更宽。
一种宽带变频混频器

[实用新型]宽频带信号发生器-CN201320761176.X有效
发明人：夏长春;陈波;徐克兴 -专利权人：成都九洲迪飞科技有限责任公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H04B1/7163 文献下载
摘要：本实用新型为宽频带信号发生器，解决信号发生器频率范围窄，精度差，步进大的问题。FPGA芯片（1）分别与存储器（2）、MCU控制器（3）、DDS数字频率合成器（4）、DDS数字频率合成器（5）连接，DDS数字频率合成器（4）与串联的放大器（6）、混频器（7）、放大器（9）、混频器（10）、LC带通滤波器（12）、混频器（13）、放大器（14）、数控衰减器（15）、放大器（16）、数控衰减器（17）连接，频率合成器（8）与混频器（10）连接，频率合成器（11）与混频器（13）连接，MCU控制器（3）与混频器（7）连接，DDS数字频率合成器（5）与串联的放大器（18）、混频器（19）、放大器（21）、混频器（22）、LC带通滤波器（24）、混频器（25）、放大器（26）、数控衰减器（27）、放大器（28）、数控衰减器（29）连接，MCU控制器（3）与混频器（19）连接，频率合成器（20）与混频器（22）连接，频率合成器（23）与混频器（25）连接。
宽频信号发生器

[发明专利]一种混频器-CN201910317534.X在审
发明人：陈剑虹;张青;刘宏胜;倪红香;胡万云 -专利权人：合肥星波通信技术有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种混频器，属于集成电路设计领域，包括第一混频器、第二混频器、用于输入本振信号的第一功分器、用于输入中频信号的第二功分器以及用于输出射频信号的合路器；第一功分器的两输出端分别与第一混频器的本振端和第二混频器的本振端连接，第二功分器的两输出端分别与第一混频器的中频端和第二混频器的中频端连接，第一混频器的射频输出端和第二混频器的射频输出端与合路器的输入端连接。本振信号经功分器倒相后泄漏到混频器的射频端口，相位上是相差180°，幅度上抵消一部分后，再经过0°的合路器输出，降低了本振泄漏信号幅度。
混频器功分器合路器射频输出端本振信号本振端输出端中频端本振泄漏信号集成电路设计输出射频信号输入端连接射频端口中频信号抵消泄漏输出

[发明专利]改进的双平衡混频器-CN201180037910.1无效
发明人：姜鑫;M·科什林 -专利权人：赫梯特微波公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H03H5/00 文献下载
摘要：在一个实施例中提供了一种改进的双平衡混频器，包括：用于接收第一单输入并提供第一平衡输出的具有两个端口的第一巴伦，用于接收第二单输入并提供第二平衡输出的具有两个端口的第二巴伦，以及对第一和第二平衡输出做出响应以根据第一和第二单输入提供混频信号的平衡混频器核心第一巴伦包括耦合在第一平衡输出的至少一个端口以及第一巴伦的接地和共模节点之一之间的RC网络以改善双平衡混频器的线性度。
改进平衡混频器

[发明专利]变频器-CN201510262665.4有效
发明人：扬·范信德瑞;希尔瓦托·迭戈 -专利权人：恩智浦有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：一种变频器，包括多相本地振荡器与多相混频器。混频器包括多个混频器开关，每个混频器开关连接到相应的放大器。本地振荡器配置为向每个混频器开关提供开关信号，以及包括多个反相器，配置为环形振荡器。
变频器

[实用新型]一种可校正IQ失配的混频器电路-CN201521116712.6有效
发明人：赵寅升;沈剑均 -专利权人：江苏星宇芯联电子科技有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H03D7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可校正IQ失配的混频器电路，其特征在于所述混频器电路包括：I路信号通道上的第一级混频器电路，Q路信号通道上的第二级混频器电路，以及分别给第一级混频器电路与第二级混频器电路提供直流偏置的偏置电路本实用新型在传统混频器基础上，仅通过改变混频器开关导通特性，实现对IQ失配的校正，因此本实用新型的混频器电路具有结构简单的优点；本实用新型不含额外的校正级电路，因此具有不增加额外功耗，不增加额外噪声的优点；本实用新型是在传统混频器原有开关宽长比下，取出一部分宽长比用作调节，因此对于每个开关来说，其总的宽长比与传统混频器开关宽长比一样，不产生额外的寄生电容。
一种校正 iq 失配混频器电路