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[发明专利]疏水性纤维质基材及其制备方法-CN201180024392.X无效
发明人：迈克尔·罗伯特·阿萨·科斯特洛;凯文·戴尔·刘易斯;W·J·小舒尔兹 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： D21H17/13 文献下载
摘要：本发明公开了用于赋予纤维质基材疏水性的方法，所述方法包括：提供包含至少第一卤代硅烷化合物和不同于所述第一卤代硅烷化合物的第二卤代硅烷化合物的多种卤代硅烷化合物，其中所述多种卤代硅烷化合物构成的总卤代硅烷浓度包含20摩尔％或更少的单卤代硅烷、70摩尔％或更少的单卤代硅烷和二卤代硅烷以及至少30％的三卤代硅烷和四卤代硅烷，以及使用所述多种卤代硅烷化合物处理所述纤维质基材，其中所述多种卤代硅烷化合物作为一种或多种液体施用
疏水纤维基材及其制备方法

[发明专利]卤代烷基烷氧基硅烷和卤代烷基卤硅烷的制备方法-CN200980107956.9有效
发明人： P·C·丁赫;胁田启二 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C07F7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备卤代烷基烷氧基硅烷和卤代烷基卤硅烷的方法。该方法包括在一种催化量的含铱催化剂的存在下，使烷氧基氢硅烷或者卤代氢硅烷与一种卤化烯化合物反应。当卤代氢硅烷是硅烷反应物时，可以通过与C1-C6的醇发生反应而烷氧基化所得卤代烷基卤硅烷。本发明的另一个方面，为了提高催化剂活性和所得卤代烷基卤硅烷或卤代烷基烷氧基硅烷的产率，反应在降低的氧气气氛下进行。
烷基烷氧基硅烷制备方法

[发明专利]卤代硅烷与反应介质混合反应装置及方法-CN201010261277.1有效
发明人：李争鸣;王勇武;明瑞杨;刘军;郑开学 -专利权人：泸州北方化学工业有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C08G77/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够使卤代硅烷与反应介质充分接触，促进完全反应，从而提高反应产物品质的卤代硅烷与反应介质混合反应装置及方法，该反应装置中，卤代硅烷与反应介质在卤代硅烷环路进口处混合，所述卤代硅烷环路进口设置在反应介质供给口与强制循环装置之间的连接管道内，或设置在强制循环装置的进口处，在所述卤代硅烷供给口与卤代硅烷环路进口之间还设置有分散装置。该反应方法中，卤代硅烷结构式为：RySiX4-y，其中：R为CnHm，n为≥0的整数；m为≥1的整数，y＝1、2或3，X为卤素原子；反应介质为水、盐酸水溶液等；卤代硅烷经分散装置分散后，在反应介质的湍流区域与反应介质混合反应，分散装置采用液相分布器或喷头等，尤其适合于卤代硅烷水解反应时应用。
硅烷反应介质混合装置方法

[发明专利]聚硅氮烷树脂及其制备方法、应用和氮化硅陶瓷材料-CN202211337867.7在审
发明人：刘章友;胡之峰 -专利权人：库贝化学（上海）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C08G77/62 文献下载
摘要：本申请提供的聚硅氮烷树脂的原料包括第一二卤代硅烷、第二二卤代硅烷、三卤代硅烷和胺类化合物，且三者的摩尔比为1:0.1～0.3:0.1～0.3，第一二卤代硅烷、第二二卤代硅烷和三卤代硅烷的总摩尔数与胺类化合物的摩尔数之比为本申请采用特定摩尔比的第一二卤代硅烷、第二二卤代硅烷和三卤代硅烷与胺类化合物共聚，将烯基引入聚硅氮烷树脂的同时提高了聚硅氮烷树脂的支化度，进而提高了聚硅氮烷树脂的粘度，使其粘度为100～1000mPa，
聚硅氮烷树脂及其制备方法应用氮化陶瓷材料

[实用新型]卤代硅烷与反应介质混合反应装置-CN201020502746.X无效
发明人：李争鸣;王勇武;明瑞杨;刘军 -专利权人：泸州北方化学工业有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： B01J10/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够使卤代硅烷与反应介质充分接触，促进完全反应，从而提高反应产物品质的卤代硅烷与反应介质混合反应装置，该反应装置包括由强制循环装置的进口与出口经连接管道连接组成的环路，在所述环路上设置有卤代硅烷供给口、反应介质供给口及环路出口，环路出口在强制循环装置的出口后，反应介质供给口设置在强制循环装置的进口之前，卤代硅烷与反应介质在卤代硅烷环路进口处混合，所述卤代硅烷环路进口设置在反应介质供给口与强制循环装置之间的连接管道上或强制循环装置的进口处，在所述卤代硅烷供给口与卤代硅烷环路进口之间还设置有分散装置，分散装置采用液相分布器或喷头等，本实用新型尤其适合于卤代硅烷水解反应时应用。
硅烷反应介质混合装置

[发明专利]用于降低卤代硅烷中元素如硼的含量的方法以及用于实施该方法的装置-CN200910002234.9无效
发明人： E·穆;H·劳莱德;R·肖尔克 -专利权人：赢创德固赛有限责任公司
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及用于降低卤代硅烷中元素如硼的含量的方法以及用于实施该方法的装置。本发明涉及一种用于降低工业纯的卤代硅烷中的周期表第三主族元素的含量、特别是含硼和/或含铝的化合物的含量的方法，以制备经纯化的卤代硅烷，特别是超高纯的氯硅烷。此外本发明还涉及一种用于实施该方法的装置。具体地，本发明涉及一种用于降低工业纯的卤代硅烷中的周期表第三主族元素的含量以制备经纯化的卤代硅烷的方法，该方法包括下列步骤：a)将待纯化的卤代硅烷与三苯基氯甲烷相混合以形成在卤代硅烷中难溶的络合物，b)通过机械作用分离所形成的难溶络合物以得到经纯化的卤代硅烷。
用于降低硅烷元素含量方法以及实施装置

[发明专利]卤代聚硅烷和生产卤代聚硅烷的等离子体-化学方法-CN200980119808.9无效
发明人：克里斯蒂安·鲍赫;鲁门·德尔特舍维;格尔德·利波尔德;赛耶德-加瓦德·莫赫森尼-阿拉;诺伯特·奥尼尔 -专利权人：斯帕恩特私人有限公司
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： B01J12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种卤代聚硅烷(下文称为聚硅烷)，所述卤代聚硅烷是纯化合物或化合物的混合物，并涉及制备所述卤代聚硅烷的等离子体-化学方法。所述聚硅烷特别是易溶的和易熔的，并且特征在于在29Si NMR谱的特定化学位移处有明显的产物信号。制备所述卤代聚硅烷的方法特征在于使用低氢比例和特别低的等离子体放电的能量密度，从而可以制备特别易溶的卤代聚硅烷。
卤代聚硅烷生产等离子体化学方法

[发明专利]生产卤代硅烷化合物的方法-CN201980027793.7在审
发明人： C·西维尔奇;R·W·J·M·汉森;E·托里斯;C·K·鲍科姆;B·M·伯克哈特 -专利权人：美利肯公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：制备卤代硅烷化合物的方法包括以下步骤：(a)提供第一卤代硅烷化合物；(b)提供含有设置在内部的卤化物源的反应容器；(c)将卤代硅烷化合物进料到所述反应容器中；和(d)从所述反应容器收集产物流，其中所述产物流含有第二卤代硅烷
生产硅烷化合物方法

[发明专利]1,1,1-三氯乙硅烷的合成-CN201880051020.8有效
发明人： A·米尔沃德;B·D·瑞肯;T·森德兰;J·K·杨;X·周 -专利权人：南大光电半导体材料有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：公开了一种制造三卤代乙硅烷的方法，所述方法包括：将还原有效量的烷基氢化铝、包含至少4个卤素原子的卤代乙硅烷、和溶剂在150℃的温度下组合，并还原所述卤代乙硅烷以形成包含三卤代乙硅烷和烷基卤化铝的反应产物混合物
三氯乙硅烷合成

[发明专利]用于降低卤代硅烷中元素如硼的含量的装置和方法-CN200910002235.3无效
发明人： E·穆;H·劳莱德;R·肖尔克 -专利权人：赢创德固赛有限责任公司
申请日： 2009-01-13 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及用于降低卤代硅烷中元素如硼的含量的装置和方法。本发明涉及一种用于降低工业纯的卤代硅烷中的周期表第三主族元素的含量、特别是含硼和含铝的化合物的含量的方法，以制备超高纯的卤代硅烷，特别是超高纯的氯硅烷。此外本发明还涉及一种用于实施该方法的装置。具体地，本发明涉及用于降低工业纯的卤代硅烷中周期表第三主族元素含量以制备超高纯卤代硅烷的方法，该方法由下列步骤构成：a)将待纯化的卤代硅烷与三苯基氯甲烷相混合以形成与含这些元素的化合物的络合物，b)通过蒸馏分离该络合物以得到超高纯的卤代硅烷
用于降低硅烷元素含量装置方法

[发明专利]制备烯基卤代硅烷的方法和对其合适的反应器-CN201380038891.3有效
发明人： S.巴德;N.施拉德贝克 -专利权人：赢创德固赛有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：描述了制备烯基卤代硅烷的方法，该方法通过使选自乙烯基卤、偏二卤乙烯或者烯丙基卤的烯基卤与选自单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷的卤代硅烷以气相形式在反应器中反应，该反应器包括在管的一端配有入口（2）和在管的另一端配有出口为了实施所述方法，将单卤代硅烷、双卤代硅烷或者三卤代硅烷通过入口（2）导入反应管（1）中并且通过反应管（1）流向出口（3）方向，以及将乙烯基卤、偏二卤乙烯或者烯丙基卤通过进气位点（5）分区地导入反应管（所述方法允许以高产率和以高选择性制备烯基卤代硅烷。相比于传统反应器，炭黑的形成明显减少。
制备烯基卤代硅烷方法合适反应器

[发明专利]制备有机基卤代硅烷和卤代硅烷的改进-CN201610630289.4在审
发明人： D·C·本特利;C·布里顿;J·P·科哈尼 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：一种在流化床反应器中由含硅接触物质生产有机基卤代硅烷或卤代硅烷的半连续方法，包括通过如下步骤除去在所述反应器用过的含硅接触物质(i)在未反应的有机卤化物或卤化氢物流和/或有机基卤代硅烷或卤代硅烷产物物流中进行淘析和当用于生产有机基卤代硅烷(例如烷基卤代硅烷)时，含硅接触物质除了硅以外可含有催化剂和促进剂。
制备有机基卤代硅烷改进

[发明专利]制备有机基卤代硅烷和卤代硅烷的改进-CN200980127874.0无效
发明人： D·C·本特利;C·布里顿;J·P·科哈尼 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C07F7/16 文献下载
摘要：一种在流化床反应器中由含硅接触物质生产有机基卤代硅烷或卤代硅烷的半连续方法，包括通过如下步骤除去在所述反应器用过的含硅接触物质：(i)在未反应的有机卤化物或卤化氢物流和/或有机基卤代硅烷或卤代硅烷产物物流中进行淘析和当用于生产有机基卤代硅烷(例如烷基卤代硅烷)时，含硅接触物质除了硅以外可含有催化剂和促进剂。
制备有机基卤代硅烷改进

[发明专利](巯基有机基)烷氧基硅烷的制备方法-CN200410092281.4无效
发明人：卡斯滕·科尔特;菲利普·阿尔贝特;英戈·基弗 -专利权人：德古萨股份公司
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及通过在排除空气并加压下，使碱金属硫化物和(卤代有机基)烷氧基硅烷与(卤代有机基)卤代硅烷的混合物在醇中反应而制备(巯基有机基)烷氧基硅烷的方法。
巯基有机烷氧基硅烷制备方法

[发明专利]硅组合物-CN200610092377.X有效
发明人： H·德梅斯;H·法肯勒 -专利权人：陶氏康宁公司
申请日： 2003-05-27 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： C04B35/632 文献下载
摘要：水解的硅化合物可例如是通过水解较高沸点的有机卤代硅烷而生产的凝胶，其中所述较高沸点的有机卤代硅烷是在通过直接法制造有机卤代硅烷或卤代硅烷中生产的。
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