专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基片集成波导180度三分贝定向耦合器-CN200610088320.2无效
  • 洪伟;刘冰;张彦 - 东南大学
  • 2006-07-10 - 2006-12-13 - H01P5/00
  • 基片集成波导180度三分贝耦合器涉及一种毫米波与微波器件,该耦合器在介质基片(1)正面中线的两边分别设有一个第一基片集成波导(4)、第二基片集成波导(5),在第一基片集成波导(4)的两端分别为输入端(41)和输出端(42),在第二基片集成波导(5)的两端分别为隔离端(51)和耦合端(52),上述第一基片集成波导(4)、第二基片集成波导(5)共用由一排金属化通孔(3)构成的分隔条带,其上还设有耦合缝(6),在以耦合缝(6)为中心上侧的第一基片集成波导(4)开口面上设有一个上金属缺口(44),在耦合缝(6)下侧的第二基片集成波导(5)开口面上设有一个下金属缺口(54)。
  • 半模基片集成波导180分贝定向耦合器
  • [实用新型]基片集成波导180度三分贝定向耦合器-CN200620074788.1无效
  • 洪伟;刘冰;张彦 - 东南大学
  • 2006-07-10 - 2007-06-20 - H01P5/00
  • 基片集成波导180度三分贝耦合器涉及一种毫米波与微波器件,该耦合器在介质基片(1)正面中线的两边分别设有一个第一基片集成波导(4)、第二基片集成波导(5),在第一基片集成波导(4)的两端分别为输入端(41)和输出端(42),在第二基片集成波导(5)的两端分别为隔离端(51)和耦合端(52),上述第一基片集成波导(4)、第二基片集成波导(5)共用由一排金属化通孔(3)构成的分隔条带,其上还设有耦合缝(6),在以耦合缝(6)为中心上侧的第一基片集成波导(4)开口面上设有一个上金属缺口(44),在耦合缝(6)下侧的第二基片集成波导(5)开口面上设有一个下金属缺口(54)。
  • 半模基片集成波导180分贝定向耦合器
  • [发明专利]一种脊基片集成波导传输线-CN202011227774.X有效
  • 李晓春;纪磊;毛军发 - 上海交通大学
  • 2020-11-06 - 2021-07-30 - H01P3/18
  • 本发明涉及一种脊基片集成波导传输线。该脊基片集成波导传输线包括:脊基片集成波导和人工表面等离激元结构;所述人工表面等离激元结构刻蚀在所述脊基片集成波导的中间金属层上;通过调节所述人工表面等离激元结构刻蚀凹槽的长度来调节所述脊基片集成波导传输线的波导波长;所述凹槽的长度方向与所述脊基片集成波导中间金属层的宽度方向一致。本发明可以实现基片集成波导的纵向尺寸的调节。
  • 一种脊半模基片集成波导传输线
  • [发明专利]基片集成波导连续耦合定向耦合器-CN200610088319.X有效
  • 洪伟;刘冰;张彦 - 东南大学
  • 2006-07-10 - 2006-12-13 - H01P5/00
  • 基片集成波导连续耦合定向耦合器涉及一种毫米波与微波器件,尤其涉及一种基片集成波导连续耦合定向耦合器,该集成波导是在介质基片(1)的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的,在介质基片的正面设有由正面金属贴片构成的2个形状对称的第一基片集成波导(2)和第二基片集成波导(3),在第一基片集成波导的两端分别设有输入端(21)和输出端(22),在第一基片集成波导的外侧有一排金属化通孔(23)构成波导的侧壁,内侧为开口面(24);上述第一基片集成波导与第二基片集成波导的开口面相邻,构成连续耦合区域(4)。
  • 半模基片集成波导连续耦合定向耦合器
  • [实用新型]基片集成波导连续耦合定向耦合器-CN200620074787.7无效
  • 洪伟;刘冰;张彦 - 东南大学
  • 2006-07-10 - 2007-06-20 - H01P5/00
  • 基片集成波导连续耦合定向耦合器涉及一种毫米波与微波器件,尤其涉及一种基片集成波导连续耦合定向耦合器,该集成波导是在介质基片(1)的两面分别设有正面金属贴片与背面金属贴片组成的,在介质基片的正面设有由正面金属贴片构成的2个形状对称的第一基片集成波导(2)和第二基片集成波导(3),在第一基片集成波导的两端分别设有输入端(21)和输出端(22),在第一基片集成波导的外侧有一排金属化通孔(23)构成波导的侧壁,内侧为开口面(24);上述第一基片集成波导与第二基片集成波导的开口面相邻,构成连续耦合区域(4)。
  • 半模基片集成波导连续耦合定向耦合器
  • [发明专利]一种端向辐射的基片集成波导漏波天线-CN202211082613.5在审
  • 王婧雪;蒋德富;蒋康辉;韩艳;王松 - 河海大学
  • 2022-09-06 - 2022-11-18 - H01Q13/20
  • 本发明公开了一种端向辐射的基片集成波导漏波天线,包括基片集成波导、电偶极子阵列、微带线、微带线到基片集成波导的转接结构、三层介质基片,三层介质基片分别为第一层介质基片、第二层介质基片和第三层介质基片,所述基片集成波导和转接结构设置于第二层介质基片两端上,电偶极子阵列设置于第一层介质基片和第三层介质基片上,所述电偶极子阵列加载于基片集成波导的辐射口面用于得到宽带增益稳定的端向辐射波束。本发明通过在基片集成波导的辐射口面加载垂直摆放的电偶极子阵列,可得到端向辐射的平面漏波天线,该天线具有结构简单,工作带宽宽,横向尺寸小,增益稳定等特点,适用于定向通信、终端通信等场景。
  • 一种辐射半模基片集成波导天线
  • [发明专利]基片集成波导漏波天线-CN200910030787.5无效
  • 洪伟;徐俊峰;汤红军;蒯振起 - 东南大学
  • 2009-04-15 - 2009-09-16 - H01Q13/10
  • 基片集成波导漏波天线采用双面单层PCB工艺,利用上下金属表面和一侧金属化通孔阵列来实现对电磁波的封闭,而在开口面实现有效漏波辐射。基片集成波导漏波天线采用宽度减小的漏波部分的基片集成波导(9)以实现有效的漏波辐射;该天线在介质基片(1)的底层完全覆盖下金属面(4),顶层覆盖上金属面(2),位于正常宽度的基片集成波导(7)、宽度渐变的基片集成波导(8)、漏波部分的基片集成波导(9)一侧的金属化通孔(3)连接上、下金属层;为测试方便,输入输出端为50欧姆微带(5)。
  • 半模基片集成波导天线
  • [发明专利]基片集成波导馈电的宽带八木天线-CN200910033250.4无效
  • 洪伟;翟国华;蒯振起 - 东南大学
  • 2009-06-10 - 2010-02-24 - H01Q1/38
  • 本发明公开了一种基片集成波导馈电的宽带八木天线,包括双面设有金属镀层的介质基片。该结构包括基片集成波导、八木阵列天线、微带渐变过渡线和50欧姆微带输出线。基片集成波导由金属化通孔、基片集成波导的上层金属镀层和基片集成波导下层金属镀层构成。八木阵列天线由引向器、上下表面的交叉馈源阵子和平行线构成。为了测试方便,设计了微带渐变过渡线连接于基片集成波导和50欧姆微带线之间。基片集成波导结构作为该天线的馈电结构,实现了上下金属表面电流相位差180度的平衡线结构,这样就可以直接和八木阵列天线连接,为了提高增益,使用了四个引向器,因此构成了宽带、高增益、低成本、低轮廓的印刷天线结构
  • 半模基片集成波导馈电宽带八木天线

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