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[发明专利]备用电源控制系统、备用电源系统和移动体-CN202180083486.8在审
发明人：明石裕树;中村政富美;中世政利;永富雄太;加藤欣也 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：备用电源控制系统包括：用于将主电源线路在导电状态和截止状态之间切换的第一半导体开关；以及用于将辅助电源线路在导电状态和截止状态之间切换的副电源开关。在故障状态下，第二驱动单元控制副电源开关导通。在非故障状态下，第一驱动单元控制连接在第一半导体开关的栅极与源极之间的第二半导体开关关断，以便控制第一半导体开关导通。在故障状态下，第一驱动单元确保至少第一半导体开关的栅极台阶电压作为第二半导体开关的驱动电压，并且在故障检测单元检测到故障状态时，第一驱动单元控制第二半导体开关导通，以便控制第一半导体开关关断。
备用电源控制系统系统移动

[发明专利]一种采用半导体和电容的直流灭弧装置及灭弧方法-CN202211198359.5在审
发明人：李胜文;王金浩;胡帆;刘冀肇;郑惠萍;杨超颖;李慧蓬;王亮;刘海金;冯磊 -专利权人：国网山西省电力公司电力科学研究院
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01H9/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用半导体和电容的直流灭弧装置及灭弧方法，装置包括转换电源、驱动电路和灭弧组件，灭弧组件包括半导体开关和电容，半导体开关与负载的机械开关并联，电容与负载并联，负载接通供电电源后，转换电源启动，为半导体开关提供驱动电压，并为驱动电路提供供电电压，驱动电路用于驱动半导体开关的通断；灭弧方法为：负荷接通电源后，转换电源启动，单片机工作并输出驱动信号，驱动半导体开关和机械开关同时导通，并延时设定时间后驱动半导体开关关断本发明采用并联电容且串联半导体开关的方式，同步解决负荷开通和关断过程中的电弧问题，成本低，体积小，可放置于负荷内部实现融合，降低对插座、断路器的灭弧要求。
一种采用半导体电容直流装置方法

[发明专利]半导体器件-CN201580000517.3有效
发明人：服部笃典 -专利权人：野田士克林股份有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件(1)，设置有：半导体芯片(10)，面向上地管芯接合安装在支承体(2)上；中间基板(20)，设置在半导体芯片上并将半导体芯片连接到多个外部连接部(3)；多个连接凸块(6)，连接半导体芯片和中间基板，包括用于向半导体芯片供电的、与半导体芯片上的多个电极焊盘(11)连接的多个电源凸块(6V、6G)。中间基板包括：多个电源焊盘(21V、21G)，通过多个电源凸块连接到多个电极焊盘；凸块表面(22)，面对半导体芯片并具有在其上形成的多个电源焊盘；外部连接表面(24)，设置在凸块表面的相反侧并具有在其上形成的与外部连接部连接的多个外部连接焊盘；电容器(30)，连接到多个电源凸块。
半导体器件

[实用新型]一种半导体电源模块冷却元件-CN202320449135.0有效
发明人：王辉;杨梅;张芳;韩伟;陈彬 -专利权人：深圳市麦思浦半导体有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及电源散热技术领域，具体公开了一种半导体电源模块冷却元件，包括安装在电源模块上的散热风机和导热板；导热板顶部连接若干个导热条，导热条顶部安装半导体散热器，散热风机设置在半导体散热器一侧，导热条顶部与半导体散热器冷端对应；散热风机和半导体散热器之间设有安装在电源模块上的布风盒，用于将空气分别导入半导体散热器顶部和底部；本实用新型中采用半导体散热器，半导体散热器冷端与导热条对应，可将热量及时散出，且配合散热风机的直吹，可进一步提高散热效率
一种半导体电源模块冷却元件

[发明专利]电子装置-CN201580078373.3有效
发明人：别井隆文;诹访元大 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：电子装置具有第一布线基板和搭载在第一布线基板上的半导体器件。半导体器件包括具有多个端子的第二布线基板、搭载于第二布线基板上的多个第一半导体芯片和搭载于第二布线基板上的第二半导体芯片。此外，第一布线基板具有对第二半导体芯片供给种类不同的多个电源电位的第一电源线和第二电源线。在俯视下，第二电源线以跨第二布线基板的第一基板边和第二半导体芯片的第一芯片边的方式配置。此外，在俯视下，第一电源线以从第二电源线与多个第一半导体芯片中的一部分之间通过而向与第二半导体芯片重叠的区域延伸的方式配置。此外，第一电源线中的在厚度方向上与第二电源线重叠的区域的面积比第一电源线中的不与第二电源线重叠的区域的面积小。
电子装置

[发明专利]半导体装置-CN201980093278.9在审
发明人：成濑峰信 -专利权人：株式会社爱信
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：适当地向半导体模块供给电力，并且抑制安装有半导体模块的主基板的布线层的数量。半导体装置(10)具有主基板(90)和半导体模块(1)。在主基板(90)上安装有第一电源电路(71)、半导体模块(1)以及第一元件(9)。半导体模块(1)具有第二元件(2、3)、以及安装有第二元件(2、3)的模块基板(4)。第一电源电路(71)向第一元件(9)供给电力(Vcc)。半导体模块(1)还具有安装于模块基板(4)的第二电源电路(72)，第二电源电路(72)向第二元件(2、3)供给电力(Vcc)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法-CN201710852792.9有效
发明人：福冈一树;植村俊文;北地祐子;冈崎叶助;村山晓 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03K17/22 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。本发明的一个目的在于提供能够准确地监测要监测的电路的最低操作电压的半导体装置、半导体系统和半导体装置的控制方法。根据一个实施例，半导体系统的监测器单元包括：电压监测器，该电压监测器由与供应给作为要监测的电路的内部电路的第一电源电压不同的第二电源电压驱动，并监测第一电源电压；以及延迟监测器，该延迟监测器由第一电源电压驱动
半导体装置系统控制方法

[发明专利]一种用于封闭空间的温度调节系统-CN201910032466.2在审
发明人：查培松;查文欣 -专利权人：杭州捷帆科技有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于调节厨房温度的控温装置，涉及厨房电气技术领域；其技术方案的要点是，包括：壳体、安装于壳体上的电源控制装置、安装于电源控制装置上并受控制的半导体制冷片、用于密封且保护并对半导体制冷片进行保温的保温组件、用于辅助半导体制冷片进行热交换的辅助组件以及安装于壳体上的照明组件；电源控制装置用于控制半导体制冷片与电源之间的正负极切换，从而改变半导体制冷片内电流的流向，控制半导体制冷片制冷或制热；半导体制冷片设有多个，多个半导体制冷片相互串联且半导体制冷片顶面处于同一平面内，多个半导体制冷片的电连接方式为串联。
半导体制冷片电源控制装置壳体厨房控温装置制热制冷串联热交换电气技术领域温度调节系统导体制冷片电连接方式辅助半导体正负极切换保温组件封闭空间辅助组件照明组件制冷片顶面保温密封电源

[实用新型]一种用于封闭空间的温度调节系统-CN201920056125.4有效
发明人：查培松;查文欣 -专利权人：杭州捷帆科技有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于调节厨房温度的控温装置，涉及厨房电气技术领域；其技术方案的要点是，包括：壳体、设于壳体上的电源控制装置、设于电源控制装置上并受控制的半导体制冷片、用于密封且保护并对半导体制冷片进行保温的保温组件、用于辅助半导体制冷片进行热交换的辅助组件以及安装于壳体上的照明组件；电源控制装置控制半导体制冷片与电源之间的正负极切换，从而改变半导体制冷片内电流的流向，控制半导体制冷片制冷或制热；半导体制冷片设有多个，多个半导体制冷片相互串联且半导体制冷片顶面处于同一平面内，多个半导体制冷片的电连接方式为串联。
半导体制冷片电源控制装置壳体本实用新型厨房控温装置制热制冷串联热交换电气技术领域温度调节系统导体制冷片电连接方式辅助半导体正负极切换保温组件封闭空间辅助组件照明组件制冷片顶面保温密封电源

[实用新型]一种半导体制冷收纳袋-CN201720809453.8有效
发明人：陆歆赟 -专利权人：陆歆赟
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：一种半导体制冷收纳袋,包括袋体、束口绳、半导体制冷片和电源，所述袋体开口处具有多个束口扣，所述束口绳一次穿过所述束口扣，述半导体制冷片设置在所述袋体的夹层内，所述电源设置在所述袋体底部，所述半导体制冷片与所述电源通过线路连接，所述半导体制冷片包括吸热板、放热板、金属导流片、N型半导体和P型半导体，多个N型半导体和P型半导体按照“N‑P‑N‑P‑N……”的顺序排列，相邻所述N型半导体和P型半导体通过所述金属导流片连接，所述吸热板和放热板分别设置在所述N型半导体和P型半导体排列两侧。本实用新型将半导体制冷片设置在袋体上，可将袋体内的热量传递到袋体外，可以保持食物的新鲜度，也可存放一些需要低温保存的物品。
一种半导体制冷收纳

[实用新型]用于控制半导体制冷片温度智能调控的装置-CN202021961413.3有效
发明人：万文昌;陈跃;邹军;石明明 -专利权人：上海应用技术大学;上海蒂林枫智能科技有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H05B45/30 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于控制半导体制冷片温度智能调控的装置，包括：电源，用于产生热量的发热电阻，半导体制冷片驱动器，用于控制发热电阻断开并与发热电阻串联的温感断路开关，以及与电源连接的半导体制冷片；根据所述半导体制冷片驱动器所需的工作温度确定所述发热电阻的功率以及温度系数；根据所述半导体制冷片驱动器所需的最低工作温度确定所述温感断路开关的设定温度；根据所述电源工作温度确定所述半导体制冷片的制热温度。本实用新型在交流电下通过发热电阻的热量进而启动半导体制冷片驱动器，之后使用半导体制冷片的制热模式为LED电源提供热量，使得LED电源达到合适工作温度实现在超低温环境下对LED电源的启动。
用于控制半导体制冷温度智能调控装置

[发明专利]功率用半导体元件的驱动电路-CN200980140608.1有效
发明人：中山靖;中川良介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：为了得到可以通过简单的电路结构抑制功耗，同时可以实现针对电压变动dV/dt的高速响应，可以防止功率用半导体元件的误动作的功率用半导体元件的驱动电路，具备：控制电路，对功率用半导体元件的导通截止进行控制；直流电源，对功率用半导体元件的控制端子之间供给电压；以及开关元件，连接在功率用半导体元件的控制端子之间，开关元件在直流电源的电源电压降低了的情况下成为导通，或者在直流电源的电源电压降低了的状态下功率用半导体元件的控制端子间电压上升了的情况下成为导通，使功率用半导体元件的控制端子之间短路。
功率半导体元件驱动电路

[发明专利]自举电路-CN201510354138.6在审
发明人：坂井邦崇;前川祐也;原雅人;久保田英幸 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种自举电路，该自举电路包括N沟道MOS晶体管和限流部件，该N沟道MOS晶体管包括：第一N型半导体层，该第一N型半导体层形成在P型半导体基板的一表面上并且电连接至一自举电容器；P型半导体层，该P型半导体层形成在所述第一N型半导体层的一表面上；第二N型半导体层，该第二N型半导体层形成在所述P型半导体层的一表面上；第一电极，该第一电极电连接至所述P型半导体层；第二电极，该第二电极电连接至所述第二N型半导体层；以及电源端子，该电源端子连接至所述第一电极和所述第二电极中的每一个，以向其提供电源电压，所述N沟道MOS晶体管向所述自举电容器供电，该限流部件连接在所述电源端子与所述第一电极之间。
电路

[发明专利]具有延迟补正电路的集成电路装置-CN96192168.4无效
发明人：冈安俊幸;铃木博夫 -专利权人：株式会社爱德万测试
申请日： 1996-12-27 - 公布日： 1998-03-18 - 主分类号： H03K5/14 文献下载
摘要：一种具有延迟误差补正电路的半导体集成电路,即使在工作中发生温度变动或电压变动,也可向传送的信号经常稳定地提供高精度的延迟时间。在所述半导体集成电路装置中,由包含需要向传送的信号提供高精度延迟时间的电路的第一半导体电路部1,和分别设于所述第一半导体电路部的前端与后端、向传送的信号提供的延迟时间的精度不高也可的两个第二半导体电路部2—1、2—2作为一个半导体集成电路而一体形成,且所述半导体集成电路装置包括驱动所述半导体集成电路的第一电源7,而且,由第一电源驱动两个第二半导体电路部的同时,还设有延迟误差补正电路,所述延迟误差补正电路包括驱动第一半导体电路部的输出电压可变的第二电源8;一体形成于需要提供所述高精度延迟时间的电路附近,用于检测在所述电路中传送的信号的延迟时间的延迟时间监控电路3;电源控制电路9,控制第二电源的输出电压,以使由所述延迟时间监控电路检测的、需要提供高精度延迟时间的电路的传送延迟时间经常成为标准延迟时间;第一及第二电平转换电路,分别插入于第一半导体电路部与前端的第二半导体电路部之间、及第一半导体电路部与后端的第二半导体电路部之间,将逻辑信号的振幅调整为分别驱动这些第一半导体电路部及第二半导体电路部的所述第二电源及第一电源的电压
具有延迟补正电路集成电路装置

[发明专利]用于使静态随机存取存储器(SRAM)中的工艺耐受电流漏泄降低的电路、方法和装备-CN201480067702.X有效
发明人： C·古拉蒂;A·阿希列什;V·纳拉亚南 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：公开了一种存储器设备偏置电路，该电路具有耦合以接收具有适于在活跃模式中操作存储器设备的电源电压电平的电源电压的半导体器件对，并且该半导体器件对可操作用于向该存储器设备提供可调节偏置电压，该可调节偏置电压大于用于在数据保留模式中操作存储器设备的最小电压电平该半导体器件对包括第一半导体器件；以及，包括与该第一半导体器件相反类型的半导体器件的第二半导体器件，从而该半导体器件对包括N型半导体器件和P型半导体器件中的每一者。该存储器设备偏置电路进一步包括耦合到第二半导体器件并且配置成基于该电源电压调节该第二半导体器件的操作的偏置调节电路。
通过电源电压偏置电路静态随机存取存储器 sram 中的工艺耐受电流漏泄降低