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[发明专利]一种提高半导体制造业废气净化效率的方法-CN03120791.X有效
发明人：冯五良 -专利权人：东服企业有限公司
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： B01D53/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高半导体制造业废气净化效率的方法，主要是在废气处理槽内的废气出口端强制喷注供给热空气，该热空气在出口端具有最佳热温度，直接将废气中的有害物质彻底净化，以提高半导体制造业废气的净化效率。
一种提高半导体制造业废气净化效率方法

[实用新型]一种数据中心或半导体制造业配电系统前端防扰动结构-CN202220164635.5有效
发明人：朱友坤 -专利权人：朱友坤
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及电气工程领域，公开了一种数据中心或半导体制造业配电系统前端防扰动结构，在枢纽变电站的低压侧馈出端设置用于降低电磁干扰的第一防扰动设备、在数据中心或半导体制造业配电系统或用户变电站的输入端设置用于屏蔽外网以及前端传导的电磁干扰的第二防扰动设备、在数据中心或半导体制造业配电系统或用户变电站的馈出端设置用于滤波和/或动态无功微补偿和/或防浪涌的第三防扰动设备。
一种数据中心半导体制造业配电系统前端扰动结构

[发明专利]一种半导体制造业用超纯不锈钢-CN202111120319.4在审
发明人：时文红;王晓伟 -专利权人：苏州金立鑫特材科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明专利公开了一种半导体制造业用超纯不锈钢，所述半导体制造业用超纯不锈钢的组成部分按照质量百分比计为：碳0.03，锰0.5，硅0.75，磷0.45，硫0.005‑0.010，铬16‑18，镍10‑14所述第一重为真空感应熔炼(VIM)，所述第二重为电渣重熔(ESR)，所述第三重为真空自耗电弧熔炼(VAR)，本发明专利采用我国本地市场的钢材作为坯料，经过VIM+ESR+VAR三重熔炼的特殊工艺，将其制造成符合半导体制造业应用的HP、UHP等级的316L不锈钢，从而满足了目前市场上的需求，同时解决了我国半导体制程相关设备对国外的依赖度较高，且制造半导体的工艺存在诸多缺陷，不能满足市场大规模的产业化生产等问题。
一种半导体制造业用超纯不锈钢

[外观设计]废弃物收集箱-CN202130814214.3有效
发明人：谢雅敏;周信辉;谢兴文 -专利权人：成信实业股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： 09-09 文献下载
摘要：2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品是用于盛装半导体制造业在生产制造时产生的废弃物。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
废弃物收集

[发明专利]清除半导体元器件上残胶的方法及其专用设备-CN200610022335.9无效
发明人：邹利华 -专利权人：成都华冠精密电子机械有限公司
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种清除半导体元器件上残胶的方法及其专用设备，主要涉及半导体制造业。本发明要解决的问题是提供一种节约水资源、操作简单、环保的清除半导体元器件上残胶的方法及其专用设备。本发明所采用的技术方案是：清除半导体元器件上残胶的方法包括先将半导体元器件上的残胶切除，然后再将经过切除后仍然残留在半导体元器件上的残胶刷除；本发明还提供了一种实施清除半导体元器件上残胶的方法的专用设备本发明主要用来清除半导体制造过程中元器件上的残胶。
清除半导体元器件上残胶方法及其专用设备

[其他]含光刻胶的废液的处理-CN87105308无效
发明人：三木康平;斋藤博 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 1987-07-23 - 公布日： 1988-02-03 - 主分类号： B01D13/00 文献下载
摘要：自印刷电路板制造业、印刷业、半导体制造业以及其他使用光刻胶的工业排放的含光刻胶的废液的处理，是将废液进行特定性能的超滤，以便分离高分子量的有机废料，从再循环或回收的渗透液的有效组分中弃掉，产生有效的工序
光刻废液处理

[发明专利]含光刻胶的废液的处理-CN87105308.X无效
发明人：三木康平;斋藤博 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 1987-07-23 - 公布日： 1990-11-28 - 主分类号： B01D61/14 文献下载
摘要：自印刷电路板制造业、印刷业、半导体制造业以及其他使用光刻胶的工业排放的含光刻胶的废液的处理，是将废液进行特定性能的超滤，以便分离高分子量的有机废料，从再循环或回收的渗透液的有效组分中弃掉，产生有效的工序
光刻废液处理

[实用新型]清除半导体元器件上残胶的装置-CN200620036412.1无效
发明人：邹利华 -专利权人：成都华冠精密电子机械有限公司
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种清除半导体元器件上残胶的装置，主要涉及半导体制造业。本实用新型要解决的问题是提供一种节约水资源、操作简单、环保的清除半导体元器件上残胶的装置。本实用新型所采用的技术方案是：清除半导体元器件上残胶的装置包括顺序设置切残胶单元、刷残胶单元；其中切残胶单元包括用于切割残胶的刀具(4)以及其他相应的器件；刷残胶单元包括用于刷除残胶的毛刷(5)、残胶废料收集装置以及其他相应的器件本实用新型主要用来清除半导体制造过程中元器件上的残胶。
清除半导体元器件上残胶装置

[发明专利]光子去胶机-CN94100074.5无效
发明人：谈凯生 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 1994-01-11 - 公布日： 1995-07-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是一种非接触式的干法去胶装置，去胶彻底，无需用擦拭等补充手段去除残胶，不会产生因擦拭不当等原因造成的衬底表面损坏，特别适用于半导体制造业。
光子去胶机

[发明专利]一种增加十字加强筋设计的引线框架-CN202010389694.8在审
发明人：马文龙;康小明;康亮 -专利权人：天水华洋电子科技股份有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，具体涉及一种增加十字加强筋设计的引线框架，包括引线框架本体，还包括设置于引线框架半蚀刻切割连筋上的加强筋；所述加强筋阵列式的设置于半蚀刻切割连筋的相交处并且角固定每个所接触的引线框架在引线框架增加加强筋可以有效解决引线框架在制造过程中容易变形和半导体封装溢料问题，有效提高引线框架制造良率、降低引线框架制造成本、确保引线框架制造业利润的同时还有效改善封装溢料问题。
一种增加十字加强设计引线框架

[发明专利]第三代半导体的生产设备节能方法及相关设备-CN202110991318.0在审
发明人：唐山河;黄正凯 -专利权人：深圳镓芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及生产设备节能技术领域，公开了一种第三代半导体的生产设备节能方法及相关设备。本发明实现了第三代半导体制造业对生产设备的调度不再依赖操作人员经验，有效提高了生产设备的节能。
第三代半导体生产设备节能方法相关

[发明专利]化学品监控报警系统及利用该系统实施监控化学品使用量或库存量的方法-CN201110235404.5有效
发明人：张怀;柯陈宾;刘惠然 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：本发明一般涉及一种在半导体行业中监控化学品状态的系统及该系统的应用方法，更确切的说，本发明旨在提供一种化学品监控报警系统及利用该系统实施监控化学品使用量或库存量的方法，能根据历史数据设置化学品动态使用量预警上下限阈值和动态库存量预警阈值此发明的提出，对于提高半导体制造、液晶面板制造、太阳能制造等高科技制造业的化学品管理效率，降低化学品供应风险，保障生产线安全正常生产都具有重大意义。
化学品监控报警系统利用实施使用库存量方法

[发明专利]非视域目标检测方法、装置和存储介质-CN202110277501.4有效
发明人：何良雨;刘彤;崔健 -专利权人：锋睿领创（珠海）科技有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01S11/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种非视域目标检测方法和装置，用于降低检测成本和提高目标检测的精度，适用场景包括半导体制造业、电子制造业等高精度工业检测的机器视觉应用场景，也用于自动驾驶、安防监控等领域的检测中。
视域目标检测方法装置存储介质

[发明专利]一种基于空间聚类的wafer bin合并方法-CN202010740257.6在审
发明人：谢箭;赵文政;刘林平 -专利权人：上海喆塔信息科技有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于空间聚类的wafer bin合并方法，涉及半导体制造业技术领域。
一种基于空间 wafer bin 合并方法

[发明专利]一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法-CN201611180851.4有效
发明人：陈一峰;余晓波 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造业技术领域，尤其涉及一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法，所述GaAs PIN光电探测器件具体为在晶圆上生长含硅化合物，在含硅化合物上采用光刻工艺形成刻蚀图形，该方法包括如下步骤
含硅化合物刻蚀光电探测器件半导体制造业反应离子束光刻工艺刻蚀图形刻蚀效率湿法刻蚀预设时长腐蚀液晶圆生长

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