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[发明专利]一种内凹凸脊形金刚石复合片-CN201910074506.X在审
发明人：田红平;叶道辉;涂关富;刘晓波 -专利权人：中石化江钻石油机械有限公司;中石化石油机械股份有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： E21B10/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种内凹凸脊形金刚石复合片，包括硬质合金基体和设置在硬质合金基体上端的金刚石复合层，所述的金刚石复合层端面设置有2~6条由径向边缘向端面中部延伸的凸脊，凸脊向上凸起，每条凸脊整条或部分从径向边缘向下倾斜延伸交汇于端面中部，构成内凹的凸脊，在凸脊与径向边缘的交汇处形成正前角切削刃。本发明通过在金刚石复合层断面设置内凹的凸脊，凸脊与径向边缘的交汇处形成正前角切削刃，通过内凹的脊型面切削地层，切削面具有较强的犁削作用，提高了复合片的破碎钻进性能，降低了钻进切削阻力，进而提高金刚石钻头的机械钻速
凸脊径向边缘复合片金刚石复合层内凹金刚石复合片硬质合金基体端面中部交汇处切削刃正前角脊形钻进金刚石钻头抗冲击性能端面设置断面设置机械钻速切削阻力热稳定性向上凸起向下倾斜切削面上端切削延伸脊型排屑地层破碎交汇

[发明专利]一种BH结构激光器芯片的脊波导结构的制备方法-CN202010032688.7在审
发明人：李紫谦;张恩;许海明 -专利权人：武汉光安伦光电技术有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及信息光电子技术领域，提供了一种BH结构激光器芯片的脊波导结构，包括如下步骤：S1，于InP衬底上进行第一次外延生长，获得第一晶圆结构；S2，在所述第一晶圆结构的上表面进行光栅图形制作，以获得第二晶圆结构；S3，于所述第二晶圆结构的上表面进行第二次外延生长，在生长的过程中加入InGaAsP材料，以获得第三晶圆结构；S4，对所述第三晶圆结构进行脊图形制作，以获得第四晶圆结构；S5，对所述第四晶圆结构进行处理后再进行PN限制层生长，以获得被所述PN限制层包裹且形状为下脊平滑上脊陡的脊波导结构。本发明可制得上脊陡、下脊平滑的脊波导结构，该种脊波导结构适合MOCVD内PN限制层InP材料的生长，并且漏电通道更小，激光器阈值更低。
一种 bh 结构激光器芯片波导制备方法

[实用新型]一种内凹凸脊形金刚石复合片-CN201920132218.0有效
发明人：田红平;叶道辉;涂关富;刘晓波 -专利权人：中石化江钻石油机械有限公司;中石化石油机械股份有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： E21B10/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种内凹凸脊形金刚石复合片，包括硬质合金基体和设置在硬质合金基体上端的金刚石复合层，所述的金刚石复合层端面设置有2~6条由径向边缘向端面中部延伸的凸脊，凸脊向上凸起，每条凸脊整条或部分从径向边缘向下倾斜延伸交汇于端面中部，构成内凹的凸脊，在凸脊与径向边缘的交汇处形成正前角切削刃。本实用新型通过在金刚石复合层断面设置内凹的凸脊，凸脊与径向边缘的交汇处形成正前角切削刃，通过内凹的脊型面切削地层，切削面具有较强的犁削作用，提高了复合片的破碎钻进性能，降低了钻进切削阻力，进而提高金刚石钻头的机械钻速
凸脊径向边缘复合片金刚石复合层内凹金刚石复合片硬质合金基体本实用新型端面中部交汇处切削刃正前角脊形钻进金刚石钻头抗冲击性能端面设置断面设置机械钻速切削阻力热稳定性向上凸起向下倾斜切削面上端切削延伸脊型排屑地层破碎交汇

[发明专利]光盘以及光盘装置-CN202310099581.8在审
发明人：田中浩二郎;高冈俊典 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：光盘具备多个记录层，各记录层具备：槽轨道，由槽形成；脊轨道，形成在相邻的槽轨道之间；以及摆动，设置于该记录层的槽轨道或脊轨道的任一方，表示该记录层中的物理地址信息。光盘还容许摆动设置于槽轨道的记录层和摆动设置于脊轨道的记录层混合存在。
光盘以及装置

[发明专利]光波导器件-CN201410705957.6有效
发明人：浅井圭一郎;山口省一郎 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：提供一种光波导器件，在脊型光波导的设计比较容易的加载型光波导器件中，加载的脊部与介电体层的附着性高、并且难以出现脊部破损或粗糙。光波导器件(1)包含：由选自铌酸锂、钽酸锂、铌酸锂‑钽酸锂、钇铝石榴石、钒酸钇及钒酸钆、钨酸钾钆及钨酸钾钇构成的群的光学材料所构成的介电体层(3)；以及加载在介电体层(3)上的脊部(5)。脊部(5)由五氧化二钽构成，沿垂直于光的传播方向的横截面切开时呈梯形，脊部在胶带剥离试验中不会剥离。
波导器件

[实用新型]一种多脊金刚石复合片-CN201821107831.9有效
发明人：刘强;涂关富;徐红 -专利权人：中石化江钻石油机械有限公司;中石化石油机械股份有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： E21B10/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多脊金刚石复合片，包括硬质合金基体和金刚石复合层，其特征在于：所述金刚石复合层端面设有至少两条呈一定夹角的凸脊，各凸脊的收缩端延伸交汇于金刚石复合层边缘。本实用新型设置多条成一定角度的凸脊作为切削面组同时切削地层，通过呈一定角度的凸脊对地层先进行预破碎，由尖锐面(凸脊的收缩端)先吃入地层，延脊的方向破碎坑进一步扩大，然后由这组脊面两侧的斜面对地层进一步挤压破碎
凸脊地层金刚石复合层金刚石复合片本实用新型切削面收缩端多脊钻进破碎硬质合金基体金刚石钻头机械钻速挤压破碎切削阻力复合片尖锐面预破碎切削脊面交汇延伸

[发明专利]一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法-CN202011609341.0在审
发明人：任夫洋;苏建;郑兆河;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法，包括以下步骤：生长半导体外延膜层及ESL；在外延片上依次形成一次二氧化硅掩膜和一次光刻胶掩膜，并光刻成周期性的脊条窗口；ICP刻蚀氧化硅掩膜；继续ICP刻蚀外延层至一定深度，形成窄脊条结构；去除残留光刻胶；腐蚀GaAs接触层，形成内缩结构；生长并ICP刻蚀二次二氧化硅掩膜；湿法腐蚀外延膜层至腐蚀阻挡层；去除掩膜后生长SiO2电流阻挡层，并形成二次光刻胶掩膜图形；ICP刻蚀去除GaAs顶部的电流阻挡层，漏出电流注入窗口，完成脊型结构制作。采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方式，脊型高度可精确控制，侧壁垂直，同时减小脊条上的电流注入区域，提高了电流注入密度。
一种精确控制高度半导体激光器垂直结构制作方法

[发明专利]一种高功率单横模半导体激光器及其控制方法-CN202111024380.9有效
发明人：张敏明;杨思康;刘德明 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率单横模半导体激光器及其控制方法，该激光器包括N面电极、N型衬底、下限制层、多量子阱有源区、上限制层、P型上包层、P型波导层和P面电极，P型波导层包括呈轴对称的第一脊波导阵列和第二脊波导阵列，第一脊波导阵列为增益波导阵列且具有增益系数γa，第二脊波导阵列为损耗波导阵列且具有损耗系数γb，第一脊波导阵列和第二脊波导阵列相互耦合，且具有基模耦合系数κ0和一阶模耦合系数κ1，第一脊波导的增益系数γa和第二脊波导的损耗系数base:Sub>0(γa‑γb)/2κ1，通过设置第一脊波导阵列增大有源区面积以提高激光器的输出光功率
一种功率单横模半导体激光器及其控制方法

[发明专利]不粘锅-CN201310160536.5有效
发明人：付继强;瞿义生;陈军 -专利权人：武汉苏泊尔炊具有限公司;浙江苏泊尔股份有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种不粘锅，包括锅身（10），锅身（10）的内表面上具有纹路区域，纹路区域均包括间隔设置的多个脊（21）和多个槽（22），脊（21）和槽（22）的表面设置有不粘层（30），脊（21）具有脊顶面本发明的不粘锅的不粘层不易被刮擦和剥落，能够保持持久的不粘性能。
不粘锅

[发明专利]氮化物半导体激光元件及半导体激光装置-CN201911208715.5有效
发明人：野口哲宽;谷善彦;谷本佳美;津田有三 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-11-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。
氮化物半导体激光元件装置

[发明专利]一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件-CN201310705313.2有效
发明人：闫方亮;张锦川;姚丹阳;卓宁;王利军;刘峰奇;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件，包括：衬底；衬底上表面依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、盖层以及高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器单元，每个DFB激光器单元具有脊型波导结构，脊上面的高掺层上具有二级取样布拉格光栅结构，不同布拉格光栅具有不同取样周期；二氧化硅层，覆盖整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，生长在二氧化硅层上面及布拉格光栅上面；电隔离沟，位于阵列器件中两个相邻的DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，生长在衬底的下表面；出光窗口，位于衬底的下表面，阵列器件中的每个DFB激光器单元的脊型波导均对应一个出光窗口。
一种调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件

[发明专利]一种亚波长光栅结构偏振片-CN201210419189.9有效
发明人：周云;陈林森;申溯;叶燕 -专利权人：苏州大学;苏州苏大维格光电科技股份有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚波长光栅结构偏振片，包括透明基底、介质光栅、第一金属层、第二金属层，介质光栅具有周期性间隔设置的脊部和沟槽，第一金属层位于介质光栅的脊部，第二金属层位于介质光栅的沟槽中，介质光栅的周期小于入射光波长，第一金属层的宽度大于介质光栅的脊部宽度，第二金属层的宽度小于介质光栅的沟槽宽度，介质光栅的脊部高度大于第一金属层的高度和第二金属层的高度。与现有的双层金属光栅结构相比，本发明中第一金属层的宽度大于介质光栅的脊部宽度，第二金属层的宽度小于介质光栅的沟槽宽度，使得更多的能量集中在第一金属层与第二金属层之间，最终提高了宽波段、大入射角度范围TM
一种波长光栅结构偏振

[实用新型]一种35kV及以下铜芯阻燃综合挡潮纵向阻水地铁电缆-CN202221847951.9有效
发明人：黄美华 -专利权人：重庆科宝电缆股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01B7/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种35kV及以下铜芯阻燃综合挡潮纵向阻水地铁电缆，涉及电缆领域，本实用新型的技术方案由内向外包括缆芯、外绝缘层、防水层、隔离耐火层、铠装屏蔽层和外护层；若干所述缆芯相互平行设置，所述缆芯有内向外包括铜芯、内绝缘层、内屏蔽层、内护层；所述缆芯与所述外绝缘层之间设置有填充物，所述外绝缘层对应各所述缆芯的外侧夹缝设置有内脊，所述内脊预埋有钢丝。相互平行的缆芯可以避免对其进行绞合，加工难度更低，不会破坏缆芯的功能层，为了避免缆芯的位置不稳定设置有内脊，并且在内脊设置有钢丝，提高内脊的强度，进一步提高缆芯相互之间的稳定性。
一种 35 kv 以下阻燃综合纵向水地电缆

[发明专利]雷达波导天线-CN202310602439.0在审
发明人：陆阳;顾润承;谷东 -专利权人：苏州豪米波技术有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种雷达波导天线，包括上盖板层、下底板层、微带结构、金属脊结构和销钉周期结构，上盖板层具有介质层和固设于介质层正面上的金属层，下底板层与上盖板层相平行，且下底板层与介质层背面呈相对并间隔布置；微带结构设于介质层背面，并传输能量或电磁波；金属脊结构和销钉周期结构均设于下底板层朝向介质层的一侧，销钉周期结构中的若干销钉还呈周期性排布于金属脊结构的旁边；且金属层、金属脊结构、销钉周期结构和下底板层还共同构成一能够与微带结构进行能量转换的间隙波导结构；特别的，金属脊结构的一端与微带结构无缝隙接触。
雷达波导天线

[发明专利]一种薄膜光学超晶格波导及其制备方法-CN202110961570.7有效
发明人：尹志军;叶志霖;吴剑波;倪荣萍;李胜雨;张虞;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜光学超晶格波导及其制备方法，所述薄膜光学超晶格波导包括衬底层、二氧化硅层和压电薄膜层，其中，所述压电薄膜层与二氧化硅层相邻的一侧形成脊型波导，所述脊型波导具有超晶格结构，在所述压电薄膜层上还可以进一步刻蚀，在所述脊型波导相对的位置形成波导凹槽，从而降低波导损耗，本申请提供的制备所述薄膜光学超晶格波导的方法，可以压电晶圆为基础，首先制备脊型波导，再将所述脊型波导进入二氧化硅层，再利用二氧化硅层的平坦表面制备超晶格结构
一种薄膜光学晶格波导及其制备方法