专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种太阳电池面的制备方法-CN202211609044.5在审
  • 姜博 - 通威太阳能(成都)有限公司
  • 2022-12-14 - 2023-03-07 - H01L31/18
  • 本申请公开了一种太阳电池面的制备方法,属于太阳电池制备技术领域,方法包括:向槽内通入预制药液;把待处理的硅片置入槽内,以对待处理的硅片进行预制处理;把槽内的预制药液进行至少一次稀释,以对完成预制处理的硅片进行面修饰处理;取出硅片,完成;通过在单个槽内通过浓度的变化实现多次,实现较好的效果,同时能够避免转运暴露于空气中,进而避免了出现局部腐蚀和形成碳酸盐难以清除的问题
  • 一种太阳电池制备方法
  • [发明专利]单晶硅表面处理用的添加剂、剂以及单晶硅表面的方法-CN202010407647.1在审
  • 李然;范云堂;程寒松;闫缓 - 杭州聚力氢能科技有限公司
  • 2020-05-14 - 2020-08-04 - C30B33/10
  • 本发明涉及单晶硅片剂技术领域,公开了单晶硅表面处理用的添加剂,按照重量百分比计包括:木质素磺酸钠0.01‑1.0%,聚萘甲醛磺酸钠0.0001‑0.01%,聚乙二醇0.2‑4%,二乙二醇丁醚1.5还公开了单晶硅表面处理用的剂,将上述添加剂加入到1%‑2%的氢氧化钠或氢氧化钾溶液中,在20‑80℃的温度下混合均匀,其中添加剂与碱溶液的质量比为(1‑5):100。还公开了单晶硅表面的方法:将单晶硅片预先处理;将预处理后的单晶硅片浸入剂中进行温度为70‑90℃,时间为300‑1200s。使用本发明的添加剂和处理后的单晶硅表面达到良好的效果,面大小可控,出率高,反射率低,片面洁净,剂使用寿命长。
  • 单晶硅表面处理添加剂制绒剂以及方法
  • [发明专利]一种单晶硅片方法-CN202311146298.2在审
  • 陈庆敏;李丙科;陈加朋;卓倩武 - 无锡松煜科技有限公司
  • 2023-09-07 - 2023-10-13 - H01L31/18
  • 本发明属于太阳能电池制造技术领域,尤其涉及一种单晶硅片方法。本发明用于单晶硅片的方法,包括如下步骤:第一次:使用氩离子气体对单晶硅片进行反应离子刻蚀,得到一次处理硅片;第二次:将所述一次处理硅片使用化学腐蚀液进行化学腐蚀过程,得到二次处理硅片;第三次:使用氟离子气体对所述二次处理硅片进行反应离子刻蚀,得到后硅片。其中在第二次之前设置了第一次能够去除脏污,提高第二次过程面液膜覆盖的均匀程度,从而减少面雨点现象。并且在前两次的基础上,增加第三次,能够使得面更为均匀和规则。
  • 一种单晶硅片制绒方法
  • [发明专利]硅片清洗工艺、太阳电池及其制备方法-CN202211066218.8在审
  • 高永强 - 通威太阳能(安徽)有限公司
  • 2022-09-01 - 2022-11-08 - H01L31/18
  • 本发明提供了一种硅片清洗工艺、太阳电池及其制备方法,硅片清洗工艺包括如下步骤:采用药液对硅片进行处理;其中,药液按体积份数计包括质量分数40%~50%的碱金属氢氧化物溶液4.5份~7份、添加剂1份、水160份~175份;处理的温度为83℃~86℃,处理的时间为450s~700s。该硅片清洗工艺通过对药液的配方和工艺参数进行优化调整,能够有效地提高硅片表面面结构的均匀性,解决传统工艺制备的电池片“水柱印”隔离比例过高的问题,提高产品良率和电池效率。
  • 硅片清洗工艺太阳电池及其制备方法
  • [发明专利]一种单晶硅剂及面单晶硅的制备方法-CN202111520915.1有效
  • 李一鸣;吴冰;张震华 - 绍兴拓邦电子科技有限公司
  • 2021-12-14 - 2022-02-25 - C09K13/06
  • 本发明公开了一种单晶硅剂及面单晶硅的制备方法;属于单晶硅技术领域;本发明中单晶硅剂包括碱液和添加剂;添加剂包括改性聚乙烯醇;改性聚乙烯醇由甘西鼠尾草酸甲改性聚乙烯醇。本发明的制备方法包括步骤:S1:将单晶硅片进行预处理;S2:将预处理后的单晶硅片置于单晶硅剂中进行;S3:将后的单晶硅片清洗、干燥,得到面单晶硅。得的单晶硅剂具有优良稳定性以及能够降低泡沫性能,将其用于单晶硅处理,得到的面单晶硅具有面均匀、尺寸细小的形貌结构,同时具有较低的反射率。
  • 一种单晶硅制绒剂制备方法
  • [发明专利]一种太阳能电池硅片的工艺-CN202111390471.4有效
  • 李一鸣;吴冰;张震华 - 绍兴拓邦电子科技有限公司
  • 2021-11-23 - 2022-02-11 - C09K13/08
  • 本发明提供了一种太阳能电池硅片的工艺,属于太阳能电池技术领域,具体包括:1)表面预处理:用预处理液对太阳能电池硅片进行预处理;2):对预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀,所用液为前述方法制备得到的液;3)表面清洗:利用碱溶液对后的太阳能电池硅片进行清洗。过程中,液中添加木聚糖酯化衍生物,不仅能得到均匀性好的微结构面,有效降低多晶硅太阳能电池对太阳光的反射率,光电转换效率提升,且硅片损失少。
  • 一种太阳能电池硅片工艺

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