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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件-CN201410733931.2有效
发明人：王继平;胡伟琴;吕晶 -专利权人：杭州麦乐克电子科技有限公司
申请日： 2014-12-07 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Si、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明所得到的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=4200±20nm，50％Cut on=4450±20nm，4250～4400nm，T≥88%，Tavg≥92%，1000～4000nm，4600～7000nm，T≤3%
通过 4200 4450 nm 红外滤光敏感元件

[实用新型]3390nm带通红外滤光敏感元件-CN201420757549.0有效
发明人：吕晶;王继平;胡伟琴 -专利权人：杭州麦乐克电子科技有限公司
申请日： 2014-12-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种3390nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种3390nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长3390±15nm，其在石化系统红外气体检测过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥75％，带宽=60±10nm，400～14000 nm（除通带外），Tavg<0.5%。
3390 nm 通红滤光敏感元件

[实用新型]4270nm带通红外滤光敏感元件-CN201420757540.X有效
发明人：王继平;余初旺;吕晶 -专利权人：杭州麦乐克电子科技有限公司
申请日： 2014-12-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4270nm带通红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种4270nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长4270 ±40nm，其在医用红外气体检测分析过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70％，带宽=128±20nm，400～5500nm（除通带外），Tavg<0.1%。
4270 nm 通红滤光敏感元件

[实用新型]4430nm带通红外滤光敏感元件-CN201420758415.0有效
发明人：吕晶;王继平;余初旺 -专利权人：杭州麦乐克电子科技有限公司
申请日： 2014-12-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4430nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种4430nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长4430±15 nm，其在医用红外气体检测分析过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70％，带宽=30±10nm，400～11000 nm（除通带外），Tavg<0.1%。
4430 nm 通红滤光敏感元件

[发明专利]带有激光敏感层的多层体-CN02829237.5有效
发明人：诺伯特·鲁茨;格哈德·金纳尔;马西亚斯·舒马切尔;乌尔里希·纳克;德克·菲舍尔 -专利权人：雷恩哈德库兹有限公司;ORGA系统有限公司
申请日： 2002-05-08 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： D21H21/44 文献下载
摘要：为此，在纸质文件上敷设具有激光敏感层的传输薄膜或层薄膜。然后用激光射线处理这个多层体。其中，例如通过激光感应漂白、激光感应色带变换或激光感应染黑，在激光敏感层中生成激光感应标记。
带有激光敏感多层

[发明专利]具有有机层的光电元件-CN201180030414.3有效
发明人：迪尔克·希尔德布兰特;京特·马特斯;梅尔廷·普法伊费尔;奥尔佳·格迪斯;克里斯蒂安·乌里希;泽格·费特尔;安德烈·魏斯 -专利权人：赫里亚泰克有限责任公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电元件，其具有电极(2)、反电极(6)和在电极与反电极之间的至少一个有机光敏感层(4)。所述有机光敏感层(4)含有通式为EWG(吸电子基团)-D(施主段)-EWG的至少一种化合物，在所述扩展的施主段D上具有至少一个取代基。
具有有机光电元件

[发明专利]体外光调控的细胞共培养装置-CN201010543847.6无效
发明人：杨帆;屠洁;万俊;王立平 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种体外光调控的细胞共培养装置，依次包括第一细胞培养层、第二细胞培养层及光调控层，第一细胞培养层设有至少一个第一细胞培养单元，第二细胞培养层设有与第一细胞培养单元嵌套的第二细胞培养单元，第二细胞培养单元的底部由透过性滤膜构成，光调控层设有与第二细胞培养单元位置对应的光源及对光源进行光照控制的控制器。通过设置两层细胞培养层，第二细胞培养层主要用于培养光敏感型细胞，通过光调控层对光敏感细胞进行活性调控，可以较为方便快捷的研究光敏感细胞的活性对第一细胞培养层培养的被研究细胞代谢的影响。
体外调控细胞培养装置

[实用新型]通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件-CN201420757640.2有效
发明人：王继平;胡伟琴;吕晶 -专利权人：杭州麦乐克电子科技有限公司
申请日： 2014-12-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，包括以Si为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Si、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种通过带为4200-4450nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=4200±20nm，50％Cut on=4450±20nm，4250～4400nm，T≥88%，Tavg≥92%，1000～4000nm，4600～7000nm，T≤3%
通过 4200 4450 nm 红外滤光敏感元件

[实用新型]4700nm带通红外滤光敏感元件-CN201420757537.8有效
发明人：王继平;吕晶;余初旺 -专利权人：杭州麦乐克电子科技有限公司
申请日： 2014-12-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4700nm带通红外滤光敏感元件，包括以蓝宝石为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种4700nm带通红外滤光敏感元件，其中心波长4700±20nm，其在石化系统红外气体检测过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥80％，带宽=90±10nm，400～14000nm（除通带外），Tavg<0.5%。
4700 nm 通红滤光敏感元件

[实用新型]通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件-CN201420757536.3有效
发明人：吕晶;王继平;刘晶 -专利权人：杭州麦乐克电子科技有限公司
申请日： 2014-12-07 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，包括以红外石英为原材料的基板，以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层，且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种通过带为3000-3500nm的红外滤光敏感元件，其在温度测量过程中，可大大的提高信噪比，提高测试精准度，适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件50％Cut on=3000±30nm，50％Cut on=3500±30nm，3050～3400nm，Tavg≥80%，300～6500nm（通带区域除外），Tavg≤0.1%。
通过 3000 3500 nm 红外滤光敏感元件

[发明专利]组合式触觉传感器-CN91103609.1在审
发明人：李科杰;石庚辰;张秀兰;王忠洲;白玉贤;贾云德;刘明杰;王俊;刘传礼;崔占忠 -专利权人：北京理工大学
申请日： 1991-06-05 - 公布日： 1992-12-30 - 主分类号： G01D5/32 文献下载
摘要：该发明主要由压电敏感层、压光敏感层和图象光纤传输系统三大部分组成。压电敏感层主要完成接触觉和滑觉信号的获取工作，压光敏感层主要完成触觉图象的获取工作，图象传输系统主要完成触觉图象的缩小并传输到一定距离以外的光电转换装置，如CCD摄象装置。
组合式触觉传感器

[发明专利]具有消除或降低寄生电容的层叠光耦合器结构-CN202011012025.5在审
发明人：梁伟成;张平 -专利权人：喆光照明光电股份有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开一种具有消除或降低寄生电容的层叠光耦合器结构，包括一绝缘层、一发光器与至少一光接收器，其中，该发光器及该光接收器两者之间设有该绝缘层，且该发光器所发出的光线，能通过该绝缘层投射至该光接收器，该发光器与该光接收器的光敏感区域彼此错位，不在相对应的位置上，即可有效隔离发光器与光敏感区域，进而消除或降低该发光器与光敏感区域两者间的寄生电容。
具有消除降低寄生电容层叠耦合器结构

[发明专利]一种基于稀土金属氧化物Nd2-CN202310155485.0在审
发明人：周敬然;房路磊;阮圣平;刘彩霞;董玮;张歆东;沈亮;温善鹏;郭文滨 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：依次由部分FTO层被刻蚀的带有FTO导电薄膜的玻璃衬底、在衬底表面制备的Ag底电极、采用溶胶‑凝胶法在衬底表面制备的Nd2O3纳米薄膜光敏感层、在FTO层被刻蚀区域上方Nd2O3纳米薄膜光敏感层表面制备的Ag顶电极组成，Ag底电极不与Nd2O3纳米薄膜光敏感层电接触，Ag顶电极‑Nd2O3纳米薄膜光敏感层‑FTO导电薄膜‑Ag底电极构成电回路。
一种基于稀土金属氧化物 nd base sub

[实用新型]一种光学指纹识别装置及电子设备-CN202022015186.1有效
发明人：胡现坤 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种光学指纹识别装置及电子设备，所述光学指纹识别装置用于安装于显示屏的下方，其包括聚光元件阵列层和光敏感应器阵列层，聚光元件阵列层包括若干个聚光元件，显示屏、聚光元件阵列层及光敏感应器阵列层依次从上至下设置，显示屏与聚光元件阵列层之间区域填充光学材料，聚光元件的折射率大于光学材料的折射率，使得经手指反射的光通过聚光元件阵列层后，能够射入光敏感应器阵列层。本申请通过在聚光元件阵列层与显示屏之间的区域填充光学材料，有利于减小Air Gap厚度，从而实现电子设备的整机厚度减小；光学材料的设置能够避免显示屏下表面刮伤或变形。
一种光学指纹识别装置电子设备

[发明专利]应用大马士革工艺制造集成电路的方法-CN200510025216.4有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属集成电路制备工艺技术领域，具体为一种利用双层光敏感材料和单层光敏材料相互组合，分步依次制造大马士革通孔，再使用双层光敏感材料的底层抗反射填涂材料填充通孔，并进行回刻，随后多次涂布、多重烘烤双层光敏感材料的顶部光敏感低介电常数材料减少实际生产中的填充缺陷发生，简化刻蚀的工艺要求，进一步提高合格率，并且由于使用低介电常数的多孔材料，大大降低了金属导线间和金属层之间的电容，进一步缩小了电阻－电容时间延迟。
应用大马士革工艺制造集成电路方法

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