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[发明专利]先封后蚀芯片倒装三维系统级金属线路板结构及工艺方法-CN201310340387.0有效
发明人：梁新夫;梁志忠;林煜斌;王亚琴;张友海 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种先封后蚀芯片倒装三维系统级金属线路板结构及工艺方法，所述结构包括金属基板框（1），所述金属基板框（1）正面设置有引脚（3），所述引脚（3）正面设置有导电柱子（4），所述引脚（3）与引脚（3）之间通过底部填充胶倒装有芯片（5），所述引脚（3）、导电柱子（4）和芯片（5）外围区域包封有塑封料（7），所述塑封料（7）与导电柱子（4）顶部齐平，所述金属基板框（1）、引脚（3）和导电柱子（4）露出塑封料一种先封后蚀芯片倒装三维系统级金属线路板结构及工艺方法，它能够解决传统金属引线框无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。
先封后蚀芯片倒装三维系统金属线路板结构工艺方法

[发明专利]先封后蚀芯片倒装凸点三维系统级金属线路板及工艺方法-CN201310340419.7有效
发明人：梁新夫;梁志忠;林煜斌;王亚琴;张友海 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种先封后蚀芯片倒装凸点三维系统级金属线路板及工艺方法，所述结构包括金属基板框（1），所述金属基板框（1）正面设置有引脚（3），所述引脚（3）正面设置有导电柱子（4），所述引脚（3）与引脚（3）之间通过底部填充胶倒装有芯片（5），所述引脚（3）、导电柱子（4）和芯片（5）外围区域包封有塑封料（7），所述塑封料（7）与导电柱子（4）顶部齐平，所述金属基板框（1）、引脚（3）和导电柱子（4）露出塑封料一种先封后蚀芯片倒装凸点三维系统级金属线路板及工艺方法，它能够解决传统金属引线框无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。
先封后蚀芯片倒装三维系统金属线路板工艺方法

[发明专利]先封后蚀无源器件三维系统级金属线路板结构及工艺方法-CN201310340539.7有效
发明人：梁新夫;梁志忠;林煜斌;王亚琴;张友海 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种先封后蚀无源器件三维系统级金属线路板结构及工艺方法，所述结构包括金属基板框（1），所述金属基板框（1）正面设置有引脚（3），所述引脚（3）正面设置有导电柱子（4），所述引脚（3）与引脚（3）之间通过导电或不导电粘结物质（11）安装上无源器件（5），所述引脚（3）、导电柱子（4）和无源器件（5）外围区域包封有塑封料（7），所述塑封料（7）与导电柱子（4）顶部齐平，所述金属基板框（1）、引脚一种先封后蚀无源器件三维系统级金属线路板结构及工艺方法，它能够解决传统金属引线框无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。
先封后蚀无源器件三维系统金属线路板结构工艺方法

[发明专利]先封后蚀三维系统级芯片倒装凸点封装结构及工艺方法-CN201310340808.X有效
发明人：梁志忠;梁新夫;林煜斌;张凯;章春燕 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种先封后蚀三维系统级芯片倒装凸点封装结构及工艺方法，所述封装结构包括基岛（1）和引脚（2），所述引脚（2）正面设置有导电柱子（3），所述基岛（1）正面正装有第一芯片（4），所述导电柱子（3）、第一芯片（4）和第一金属线（5）外围的区域均包封有第一塑封料或环氧树脂（9），所述基岛（1）和引脚（2）背面倒装有第二芯片（7），所述基岛（1）和引脚（2）背面区域以及第二芯片（7）外围的区域均包封有第二塑封料或环氧树脂一种先封后蚀三维系统级芯片倒装凸点封装结构及工艺方法，它能够解决传统金属引线框或有机基板无法埋入物件而限制整个封装功能集成度以及传统有机基板需要更细线宽与更窄的线与线间距的问题。
先封后蚀三维系统芯片倒装封装结构工艺方法

[发明专利]先封后蚀三维系统级芯片倒装封装结构及工艺方法-CN201310340789.0有效
发明人：梁志忠;梁新夫;林煜斌;张凯;章春燕 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种先封后蚀三维系统级芯片倒装封装结构及工艺方法，所述封装结构包括基岛（1）和引脚（2），所述引脚（2）正面设置有导电柱子（3），所述基岛（1）正面正装有第一芯片（4），所述导电柱子（3）和第一芯片（4）外围的区域均包封有第一塑封料或环氧树脂（9），所述导电柱子（3）露出第一塑封料或环氧树脂（9）的表面设置有抗氧化层（11），所述基岛（1）和引脚（2）背面倒装有第二芯片（7），所述基岛（1）和引脚（2）背面区域以及第二芯片（7）外围的区域均包封有第二塑封料或环氧树脂（10）。一种先封后蚀三维系统级芯片倒装封装结构及工艺方法，它能够解决传统金属引线框或有机基板无法埋入物件而限制整个封装功能集成度以及传统有机基板需要更细线宽与更窄的线与线间距的问题。
先封后蚀三维系统芯片倒装封装结构工艺方法

[发明专利]单面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法及其封装结构-CN201210190013.0有效
发明人：王新潮;李维平;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2012-06-09 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种单面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜材；贴光阻膜作业；金属基板正面去除部分光阻膜；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；贴光阻膜作业；金属基板正面去除部分光阻膜；电镀金属线路层；去除金属基板表面光阻膜；包封；金属化前处理；电镀金属线路层；去除金属基板表面光阻膜；装片及芯片底部填充；包封；化学蚀刻；去除金属基板表面光阻膜；电镀金属线路层；包封；塑封料表面开孔；清洗
单面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法及其封装结构

[发明专利]双面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法及其封装结构-CN201210189938.3有效
发明人：王新潮;李维平;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2012-06-09 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜材；贴光阻膜作业；金属基板正面去除部分光阻膜；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；包封；贴光阻膜作业；塑封料表面开孔；电镀金属线路层；芯片倒装及芯片底部填充；包封；贴光阻膜作业；化学蚀刻；电镀金属线路层；包封；塑封料表面开孔；塑封料表面挖沟槽；电镀金属线路层；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；包封；塑封料表面开孔；清洗；植球；切割成品；本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。
双面三维线路芯片倒装先封后蚀制造方法及其封装结构

[发明专利]芯片倒装单面三维线路先封后蚀制造方法及其封装结构-CN201210190011.1有效
发明人：王新潮;李维平;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2012-06-09 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片倒装单面三维线路先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜材；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；电镀金属线路层；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；装片及芯片底部填充；包封；金属基板背面去除部分绿漆；化学蚀刻；电镀金属线路层；绿漆披覆；绿漆表面开孔
芯片倒装单面三维线路先封后蚀制造方法及其封装结构

[发明专利]双面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法及其封装结构-CN201210188440.5有效
发明人：王新潮;梁志忠;李维平 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2012-06-09 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法及其封装结构，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；去除光阻膜；包封；塑封料表面开孔；挖沟槽；电镀导电金属；金属化前处理；电镀金属线路层；化学蚀刻；电镀金属线路层；涂覆粘结物质；装片；金属线键合；清洗；植球和切割成品。
双面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法及其封装结构

[发明专利]芯片倒装双面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构-CN201210189891.0有效
发明人：王新潮;梁志忠;李维平 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2012-06-09 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片倒装双面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板正面面去除部分绿漆；化学蚀刻；电镀金属线路层；装片及芯片底部填充胶；包封；基板背面开孔
芯片倒装双面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构

[发明专利]芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法及其封装结构-CN201210188607.8有效
发明人：王新潮;李维平;梁志忠 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2012-06-09 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜材；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；电镀金属线路层；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；装片及芯片底部填充包封；金属基板背面去除部分绿漆；化学蚀刻；电镀金属线路层；电镀金属线路层
芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法及其封装结构

[发明专利]单面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法及其封装结构-CN201210188447.7有效
发明人：王新潮;梁志忠;李维平 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2012-06-09 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种单面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法及其封装结构，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；去除光阻膜；包封；塑封料表面开孔；挖沟槽；电镀导电金属；金属化前处理；电镀金属线路层；化学蚀刻；电镀金属线路层；装片及芯片底部填充；清洗；植球和切割成品。
单面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法及其封装结构

[发明专利]芯片倒装单面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构-CN201210189894.4有效
发明人：王新潮;梁志忠;李维平 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2012-06-09 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片倒装单面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板背面去除部分绿漆；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；绿漆被覆；基板正面面去除部分绿漆；化学蚀刻；电镀金属线路层；装片及芯片底部填充；包封；基板背面开孔
芯片倒装单面三维线路先蚀后封制造方法及其封装结构

[发明专利]铝合金整平光亮技术-CN200510101421.4无效
发明人：熊映明 -专利权人：熊映明;熊朔
申请日： 2005-11-23 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C23F3/03 文献下载
摘要：本发明包括如下工序：1#、整平光亮；2#、水洗；3#、水洗；4#、保光氧化；5#、水洗；6#、水洗；7#、风干；8#、有机封孔；9#、晾干；10#、烘干。本发明首次设置整平光亮槽(1#槽)，对铝合金起砂、去机械纹和抛光，从根本上解决了普通碱蚀和酸蚀亮度不够，两酸抛光不能生产化学砂面材的弊端，是一项开创性的技术突破；本发明1#槽中添加有独特的缓蚀剂，铝材反应完毕后可长时间滴流而不挂灰铝合金经整平光亮处理后，不是进阳极氧化槽，而是进保光氧化槽(4#槽)，进行保光氧化，表面进一步增亮，并形成一层致密氧化层，将抛光亮度先固定下来，再进有机封孔槽(8#槽)封孔，经10#槽烘干后就可出厂，从而根本上回避了抛光材阳极氧化失光的世界难题经本发明处理的铝合金，表面无纹、细砂和高亮度，是普通碱蚀或酸蚀砂面材理想的换代产品。
铝合金平光技术

[发明专利]先封后蚀贴装金属导通三维封装结构的工艺方法-CN201611192183.7在审
发明人：沈锦新;林煜斌;梁新夫;孔海申;周青云 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种先封后蚀贴装金属导通三维封装结构的工艺方法，它包括以下步骤步骤一、取金属载体；步骤二、金属载体表面预镀铜层；步骤三、电镀金属外引脚；步骤四、环氧树脂塑封；步骤五、电镀第一金属线路层；步骤六
先封后蚀贴装金属三维封装结构工艺方法

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