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[实用新型]负压制备低汞催化剂系统-CN201620872873.6有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： B01J37/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一套与发明的负压法浸泡低汞催化剂相配套的负压制备低汞催化剂系统，负压方式使得氯化汞更深入活性炭，同时对浸泡罐做了改进，使得在浸泡过程中，浸泡罐中的氯化汞液体上下均匀，最终获得的活性炭中氯化汞分布更均匀且更深入，最终得到活性高、稳定性好和使用寿命长的低汞催化剂。
压制备低汞催化剂系统

[实用新型]制备低汞催化剂用设备-CN201620872649.7有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： B01J37/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一套与发明的负压法浸泡低汞催化剂相配套的制备低汞催化剂用设备，负压方式使得氯化汞更深入活性炭，并且选用混料转筒的方式添加助剂，对于添加微量助剂效果特别好，同时对浸泡罐做了改进，使得在浸泡过程中，浸泡罐中的氯化汞液体上下均匀，最终获得的活性炭中氯化汞分布更均匀且更深入，最终得到活性高、稳定性好和使用寿命长的低汞催化剂。
制备催化剂设备

[发明专利]一种超低汞触媒及其制备方法-CN201911124064.1在审
发明人：张云泽 -专利权人：铜仁市万山区昊海化工有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： B01J27/138 文献下载
摘要：一种用于乙炔氢氯化反应制取氯乙烯的超低汞触媒，包括主活性组分氯化汞、第二活性组分氯化铜、助活性组分镧系元素氯化物和活性炭载体，所述氯化汞占所述超低汞触媒重量的1.5～4％，所述氯化铜中铜的含量占所述超低汞触媒重量的1～6％，所述镧系元素氯化物中金属元素的含量占所述超低汞触媒重量的1～6％，其余为活性炭载体。本发明的超低汞触媒具有活性高、热稳定性强、强度大、汞损失率低、寿命长等特点。制备方法简单、副产物少，成本低，对环境污染小。
一种超低汞触媒及其制备方法

[发明专利]一种负载型活性硫族复合物及其制备方法和应用-CN202210360568.9有效
发明人：李海龙;孟凡悦;杨建平;屈文麒;杨泽群 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B01J20/02 文献下载
摘要：本发明将长链或环状惰性硫粉、硒粉、碲粉等硫族单质粉末颗粒添加到饱和还原液中，添加化学激发剂形成均匀浆液，稀释调节pH值后制备活性浸渍溶液，将载体浸渍到活性溶液中，干燥后获得活性硫族复合物。本发明的活性硫族复合物与烟气中或空气中的单质汞接触，将汞转化为稳定的化合物，实现汞的固化脱除或富集。强还原与化学激发将惰性单质的长链或环状结构破坏断裂，活性位点充分暴露，显著降低了与汞反应的活化能。汞饱和吸附容量和吸附速率比传统硫磺粉提高上百至上千倍，适用温度窗口范围明显增大。制备过程简单、成本低、脱汞产物环境友好无二次污染，具有良好的工业应用前景。
一种负载活性复合物及其制备方法应用

[发明专利]一种长管形汞灯-CN201110053005.7无效
发明人：殷尧平 -专利权人：常州玉宇电光器件有限公司
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01J61/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种长管形汞灯，包括内部封装有固态汞的长管形放电管，所述的长管形放电管的两端外表面上涂有镀金层，且长管形放电管的该两端分别连接有安装柄。本发明在保证汞灯稳定性能的同时能够很好地控制汞灯在工作时放出紫外线的范围，而且放电管中的汞蒸气在正常工作时也不会冷凝。
一种长管形汞灯

[实用新型]长管形汞灯-CN201120056488.1无效
发明人：殷尧平 -专利权人：常州玉宇电光器件有限公司
申请日： 2011-03-07 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01J61/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种长管形汞灯，包括内部封装有固态汞的长管形放电管，所述的长管形放电管的两端外表面上涂有镀金层，且长管形放电管的该两端分别连接有安装柄。本实用新型在保证汞灯稳定性能的同时能够很好地控制汞灯在工作时放出紫外线的范围，而且放电管中的汞蒸气在正常工作时也不会冷凝。
长管形汞灯

[发明专利]用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片及校正汞探针电阻率量测仪的方法-CN201310239592.8有效
发明人：王浩;邹崇生 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片及校正汞探针电阻率量测仪的方法。本发明公开了一种用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片，利用经过校准的四探针电阻率量测仪测量N/P结构外延片；利用汞探针电阻率量测仪测量N/N结构外延片，并根据统计数据建立线性对应关系，实现利用四探针电阻率量测仪的测量值作为标准表征汞探针电阻率量测仪的测量值本发明提供了用于校正汞探针电阻率量测仪的标准片，该标准片电阻率值可以与国际标准值接轨，寿命长、且可重复生长，成本低、可长时间使用。
用于校正探针电阻率量测仪标准方法

[发明专利]低汞触媒生产制备系统-CN201910350318.5在审
发明人：李玉强;常炳恩;孙玉梅 -专利权人：宁夏新龙蓝天科技股份有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： B01J27/138 文献下载
摘要：一种低汞触媒生产制备系统，包括低汞触媒输入装置、浸泡装置、固液分离装置、循环装置、低汞触媒转移装置、干燥装置，低汞触媒输入装置的出口端与浸泡装置的入口端连通，浸泡装置的出口端与固液分离装置的入口端连通，低汞触媒转移装置的入口端位于固液分离装置的侧下方，出口端与干燥装置连通。本发明利用浸泡装置可将低汞触媒与氯化汞溶液充分接触，有利于低汞触媒与氯化汞溶液充分接触，利用固液分离部分将低汞触媒与氯化汞溶液分离，并将收集后的氯化汞溶液回收再利用，提高氯化汞溶液利用效率，利用干燥装置可使低汞触媒与热气充分接触，具有良好的换热效果，通过将低汞触媒均匀的分散开，也可以使堆积在干燥器底部的低汞触媒保持松散。
触媒低汞氯化汞溶液浸泡装置固液分离装置充分接触干燥装置出口端入口端连通输入装置制备系统转移装置固液分离换热效果循环装置干燥器再利用堆积热气松散回收生产

[实用新型]低汞触媒生产制备系统-CN201920594268.0有效
发明人：刘春华;李庆;李玉强 -专利权人：宁夏新龙蓝天科技股份有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： B01J27/138 文献下载
摘要：一种低汞触媒生产制备系统，包括低汞触媒输入装置、浸泡装置、固液分离装置、循环装置、低汞触媒转移装置、干燥装置，低汞触媒输入装置的出口端与浸泡装置的入口端连通，浸泡装置的出口端与固液分离装置的入口端连通，低汞触媒转移装置的入口端位于固液分离装置的侧下方，出口端与干燥装置连通。本实用新型利用浸泡装置可将低汞触媒与氯化汞溶液充分接触，有利于低汞触媒与氯化汞溶液充分接触，利用固液分离部分将低汞触媒与氯化汞溶液分离，并将收集后的氯化汞溶液回收再利用，提高氯化汞溶液利用效率，利用干燥装置可使低汞触媒与热气充分接触，具有良好的换热效果，通过将低汞触媒均匀的分散开，也可以使堆积在干燥器底部的低汞触媒保持松散。
触媒低汞氯化汞溶液浸泡装置固液分离装置充分接触干燥装置出口端入口端连通输入装置转移装置本实用新型固液分离换热效果循环装置制备系统干燥器再利用热气堆积松散回收生产

[发明专利]低瓦数荧光灯-CN200880021950.5无效
发明人： W·W·比尔斯;G·R·艾伦;B·罗伯茨;G·布朗 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2008-04-17 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01J61/72 文献下载
摘要：提供了一种低瓦数汞蒸汽放电荧光灯。该灯具有由汞蒸汽和具有1-100mol％的氙的惰性气体组成的放电支持填充、包括稀有气体或稀有气体混合物诸如氪或氩的平衡物。填充气体具有0.5-4托的总压，并且该灯适于在10瓦特/英尺弧长下工作。
低瓦数荧光灯

[发明专利]基于碲镉汞探测技术的高速通道板-CN201310318568.3有效
发明人：王英立;张小清;王同;任洁 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2013-07-26 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碲镉汞探测技术的高速通道板。目前的碲镉汞的放大电路存在共模抑止比低，响应时间长，灵敏度和稳定性差等缺陷。一种基于碲镉汞探测技术的高速通道板，其组成包括：信号采集模块（1）、信号放大模块（2）、滤波模块（3）和电源模块（4），信号采集模块包括与基准电压（5）连接的MCT碲镉汞探测器（6）、由op37精密运算放大器（7）组成的电压跟随器，MCT碲镉汞探测器和op37精密运算放大器连接信号输出端（8）；信号放大模块内具有依次连接的信号输入端（9）、一级差分放大电路（10）、二级比例放大电路（11）、三级比例放大电路（12）；滤波模块采用二阶有源低通滤波电路。
基于碲镉汞探测技术高速通道

[发明专利]低汞触媒三翻的方法及装置-CN202011091364.7在审
发明人：杨秀玲;白生军;肖军;王丽娟;唐湘军;冯斌;杨超松;林冠重;靳续江;李富勇;宋志刚;汪福兵;盛国龙;冯玉林 -专利权人：新疆中泰化学股份有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： B01J8/00 文献下载
摘要：本发明涉及电石法PVC合成技术领域，是一种低汞触媒三翻的方法及装置，该低汞触媒三翻的方法，当后台转换器中的低汞触媒使用4000h至6000h时，完成后台转换器中低汞触媒自身翻倒，当后台转换器中的低汞触媒使用6000h至10000h时，完成后台转换器中低汞触媒翻倒至前台转换器，当后台转换器翻倒至前台转换器中的低汞触媒使用10000h至12000h时，完成前台转换器中低汞触媒自身翻倒，包括转换器、分离器。本发明将使用一段时间后催化效果不佳的低汞触媒进行翻倒后再次利用，大幅延长了低汞触媒的使用寿命，提高了低汞触媒的利用率，避免资源浪费，同时降低了生产成本，提高了生产效率及经济效益。
触媒方法装置

[发明专利]除汞用纳米多孔二氧化硅－聚间苯二胺复合薄膜及其制备方法-CN200810039201.7无效
发明人：杨正龙;浦鸿汀;袁俊杰 -专利权人：同济大学
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明属废水处理技术领域，具体为一种除汞用纳米多孔二氧化硅－聚间苯二胺复合薄膜及其制备方法。该复合薄膜由二氧化硅纳米多孔薄膜表面用溶液共混法涂布一层或多层聚间苯二胺的有机溶液，再经烘干处理而获得。复合薄膜材料具有优异的高浓度汞离子吸附性能和优异的痕量汞离子吸附性能，而且材料的力学强度高、使用寿命长、传质性能和抗老化性能好，是新一代高性能高效除汞产品，可应用于浓度较高的含汞污水的处理领域。本发明方法制备工艺简便、生产效率高、薄膜质量高、成本低，便于规模化生产。
纳米多孔二氧化硅聚间苯二胺复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于金纳米簇/长余辉纳米棒的比率荧光探针在汞离子检测中的应用-CN202310811113.9在审
发明人：王颖倩;任嘉敏;郑梓枫 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种基于金纳米簇/长余辉纳米棒的比率荧光探针在汞离子检测中的应用，属于荧光检测技术领域，包括金纳米簇的合成、长余辉纳米棒的制备和比率荧光探针的制备与应用。比率荧光探针包括发射红光的金纳米簇和发射绿光的长余辉纳米棒，两种材料的荧光发射具有明显的光谱与颜色区分。金纳米簇和长余辉纳米棒对汞离子的响应截然相反，汞离子可以猝灭金纳米簇的发光，而对长余辉纳米棒的发光起到一定程度的增强。利用两种荧光信号对不同浓度汞离子的响应差异，对其荧光强度进行比值处理可以用于汞离子的比率荧光检测，同时在同一激发光照射下可以观察到明显的复合荧光颜色变化，便于汞离子的可视化分析。
一种基于纳米余辉比率荧光探针离子检测中的应用

[发明专利]用于乙炔氢氯化反应的低贵金属无汞催化剂、其制备方法及应用-CN201210570613.X有效
发明人：徐云鹏;李铭芝;刘中民;周军;李国栋;陈万银;庞晓东;张传彩;孙新德;白长敏;李世英 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所;新疆天业（集团）有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于乙炔氢氯化反应合成氯乙烯反应使用的低贵金属无汞催化剂及其制备方法和应用。本发明的无汞催化剂的特点是贵金属含量低，催化剂成本低，催化剂活性高，寿命长。
用于乙炔氯化反应贵金属催化剂制备方法应用

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