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[发明专利]一种透射阵天线的超表面调控方法-CN202310608909.4在审
发明人：张云华;邓固颖;何思远;朱国强;高火涛 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本方法，通过两个电磁超表面平面的相位调制实现高口径效率低副瓣特性的设计，第一超表面平面通过相位调制实现低副瓣特性所要求的切比雪夫辐射场口径分布，同时相位控制也在低副瓣特性设计过程避免了能量的损失，从而实现高口径效率的特性本方法能够避免相关技术设计低副瓣特性方法中产生的能量损失，从而能够在设计低副瓣的条件下实现高口径效率。
一种透射天线表面调控方法

[实用新型]高前后比低副瓣天线-CN200720054098.4有效
发明人：蒋克勇;胡成才 -专利权人：京信通信系统(中国)有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01Q21/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高前后比低副瓣天线，包括反射板和辐射单元，辐射单元装设在反射板上，各辐射单元通过功分网络进行并联馈电，其主要的特点在于将每四个辐射单元为一组进行十字交叉排列，并且通过在金属反射板上开设缝隙和在边界条上开设缺口的方式改善天线结构，实现高前后比的目的。本实用新型通过灵活组合十字交叉方式和在反射板上开设缝隙的方式，可以使天线的副瓣得到进一步优化，其电平能提高8dB至10dB，其前后比能提高6dB至8dB。
前后低副瓣天线

[发明专利]球顶阵列两维经纬度位置误差的低副瓣波束形成方法-CN202210586700.8在审
发明人：许京伟;兰岚;王开伟;王建;张教镭;朱圣棋;李西敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01S7/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种球顶阵列两维经纬度位置误差的低副瓣波束形成方法，其实现步骤是：获取三维笛卡尔坐标系中球顶阵列阵元位置信息和角度信息；计算每个阵元的两维经纬度坐标系的指向向量；计算每个阵元的两维经纬度位置误差向量；构建低副瓣波束权矢量；形成低副瓣波束。本发明能够在球顶阵列存在两维经纬度位置误差的情况下，为球顶阵列构建低副瓣波束权矢量，进而为球顶阵列进行低副瓣波束形成，具有球顶阵列位置误差与实际位置误差拟合度高，低旁瓣波束形成旁瓣低的优点，解决了不考虑阵元位置误差进行低副瓣波束形成导致波束形成效果差和不考虑阵列结构特点模拟阵元位置误差导致拟合度低的问题
阵列经纬度位置误差低副瓣波束形成方法

[发明专利]一种宽带圆极化高增益低副瓣定向天线及其天线单元-CN202211307482.6在审
发明人：崔学武;位朝垒 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带圆极化高增益低副瓣定向天线及其天线单元，属于雷达和通讯技术领域。带圆极化高增益低副瓣定向天线由天线单元、馈电网络、金属屏蔽腔体、金属螺钉组成。m×n个天线单元按照指定的单元间距规则进行排布，由一分m×n路T型功分器馈电网络实现低副瓣定向天线的低副瓣激励和波束定向。本发明具有集成化程度高、结构简单、电气性能优良、易于量产等优点。
一种宽带极化增益低副瓣定向天线及其天线单元

[实用新型]一种宽带圆极化高增益低副瓣定向天线及其天线单元-CN202222807541.8有效
发明人：崔学武;位朝垒 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宽带圆极化高增益低副瓣定向天线及其天线单元，属于雷达和通讯技术领域。带圆极化高增益低副瓣定向天线由天线单元、馈电网络、金属屏蔽腔体、金属螺钉组成。m×n个天线单元按照指定的单元间距规则进行排布，由一分m×n路T型功分器馈电网络实现低副瓣定向天线的低副瓣激励和波束定向。本实用新型具有集成化程度高、结构简单、电气性能优良、易于量产等优点。
一种宽带极化增益低副瓣定向天线及其天线单元

[发明专利]低副瓣零陷波束形成方法-CN201910150916.8有效
发明人：刘亮;朱胜利;王亚涛;乔文昇;王立;黄秀琼 -专利权人：西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种低副瓣零陷波束形成方法，利用本发明可以降低低副瓣零陷权向量设计复杂度，增加灵活性，便于硬件实现。本发明通过以下技术方案予以实现：基于虚拟子阵分步加权，将实际的均匀直线阵列划分为两个虚拟的均匀直线子阵，且两个子阵仅有一个阵元共用；低副瓣零陷权向量模块利用分步加权对波束图进行零陷约束和低副瓣约束，通过调整虚拟子阵阵元数的分配方式和副瓣电平值使两个虚拟子阵的权向量对应的波束宽度相等，低副瓣零陷权向量模块对低副瓣权向量模块和零陷权向量模块得到的低副瓣权向量和零陷权向量进行卷积，得到低副瓣零陷权向量；然后按照最大副瓣电平小于门限下波束主瓣最窄的原则选取最优权向量，完成低副瓣零陷波束形成
低副瓣零陷波形成方法

[发明专利]毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线-CN201710708494.2在审
发明人：程钰间;寇鹏飞;王俊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线，从上往下依次层叠第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层、第三金属覆铜层；本发明将基于基片集成波导的90°耦合器和共口径平行板长缝阵列天线产生的两个空间正交，相位相差90°的线极化波，分别通过基片集成波导不等功分馈电网络对其各线极化自方向图的进行一维H面低副瓣赋形，由圆极化方向图合成原理，实现双圆极化方向图的两个正交面内的低副瓣，使用一维赋形技术在实现双圆极化的两个正交平面低副瓣的同时，简化馈电网络实现难度，本天线采用基片集成波导平行板长缝隙阵形式实现低副瓣双圆极化共口径生成，具有易加工、低剖面和高集成度的特点。
毫米波集成波导极化低副瓣共口径阵列天线

[发明专利]基于模糊C均值聚类的低副瓣单脉冲直线阵天线综合方法-CN201811295554.3有效
发明人：张立;翁子彬;崔超奕;杨米米;焦永昌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于模糊C均值聚类的低副瓣单脉冲直线阵天线综合方法，主要解决现有技术耗时长且所得峰值副瓣电平高的问题，其实现方案包括：1)初始化参数，并计算直线阵差方向图及峰值副瓣电平；2)优化差方向图并求优化后的差方向图激励；3)判断峰值副瓣电平是否小于初始化中的约束值，对优化后的直线阵分组，得子阵划分方式与每个子阵中阵因子单元数，并由优化后的差方向图激励求子阵激励；4)更新差方向图激励和迭代次数，判断当前迭代次数是否大于初始化的最大迭代次数本发明通过两种算法对低副瓣单脉冲直线阵进行天线综合，提高了综合速度，且能得到更低峰值副瓣电平，可用于对单脉冲直线阵列天线的设计。
基于模糊均值低副瓣单脉冲直线天线综合方法

[发明专利]一种L频段电源加权低副瓣天线阵列-CN202111558881.5在审
发明人：黄巍;蔡振龙;苏龙阁;尹青;李青;张旭 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种L频段电源加权低副瓣天线阵列，属于信息感知和识别技术领域。其包括顺次连接的数字控制器、电源单元、发射接收组件和天线阵列天线单元，其中发射接收组件和天线阵列天线单元均设有多个；数字控制器通过L频段雷达相控阵天线幅度加权形成低副瓣加权参数以及对对应电源电压控制参数，通过控制电源单元1各路输出电平，进而控制发射接收组件的发射功率；通过天线阵列天线单元辐射，在空中形成预定的低副瓣天线波形，数字控制器在线控制电源单元1的输出电压改变功率，从而形成精确可控的有源阵列天线空间加权幅度参数，使天线阵列实现低副瓣和波形变换效果。本发明调整精度高、功放工作稳定，系统无额外损耗。
一种频段电源加权低副瓣天线阵列

[实用新型]低副瓣天线-CN202020718348.5有效
发明人：邹高迪;邹新 -专利权人：深圳迈睿智能科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一低副瓣天线，其中所述低副瓣天线包括一参考地和一辐射源，其中所述辐射源具有一馈电点，所述辐射源被间隔地保持于所述参考地的一侧，并在所述参考地和所述辐射源之间形成一辐射缝隙，所述辐射源具有两个相对的极化边和两个非极化边，其中两个所述非极化边位于两个所述极化边之间，两个所述非极化边朝向所述辐射源的物理中点内凹，所述低副瓣天线能够抑制一探测微波的一副瓣波束的产生，减小所述低副瓣天线的自激干扰，进而提高所述低副瓣天线在探测过程中的准确性和可靠性
低副瓣天线

[发明专利]低副瓣罗特曼透镜天线-CN201110256203.3无效
发明人：李峰;刘熠志;黄巍 -专利权人：中国电子科技集团公司第十研究所
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明提出的一种低副瓣罗特曼透镜天线，包括，透镜部分与旁瓣对消电路，辐射单元（1）与对应的阵列口（4）之间的矩形波导（3）内，设置有用于缩小天线尺寸的镙钉移相器（2），每个波束口（6）后都连接有一单刀双掷开关本发明采用两相邻波束副瓣对消，合成波束的副瓣得到有效降低，合成得到最后的信号，形成低副瓣的接收特性。可同时实现低副瓣与较高的波束交叠电平（高于-3dB）。副瓣实现了一定程度对消，有效地降低了副瓣电平值。
低副瓣罗特曼透镜天线

[发明专利]一种L频段电源加权低副瓣天线阵列-CN202111349128.5在审
发明人：黄巍;蔡振龙;苏龙阁;尹兴;李青;张旭 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01Q3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种L频段电源加权低副瓣天线阵列，属于侦察雷达技术领域。本发明利用L频段雷达相控阵天线幅度加权形成低副瓣加权参数以及对应电源电压控制参数，通过控制电源单元各路输出电平，既而控制发射接收组件的发射功率，通过天线阵列天线单元辐射，在空中形成预定的低副瓣天线波形，通过数字控制器在线控制电源单元电压改变功率，从而形成精确可控的有源阵列天线空间加权幅度参数，使天线阵列实现低副瓣和波形变换效果，增强L频段雷达副瓣干扰抑制的效果和应用到灵活性。
一种频段电源加权低副瓣天线阵列

[发明专利]低副瓣天线和其探测方法-CN202010364315.X在审
发明人：邹高迪;邹新 -专利权人：深圳迈睿智能科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一低副瓣天线和其探测方法，其中所述低副瓣天线包括一参考地和一辐射源，其中所述辐射源具有一馈电点，所述辐射源被间隔地保持于所述参考地的一侧，并在所述参考地和所述辐射源之间形成一辐射缝隙，所述辐射源具有两个相对的极化边和两个非极化边，其中两个所述非极化边位于两个所述极化边之间，两个所述非极化边朝向所述辐射源的物理中点内凹，所述低副瓣天线能够抑制一探测微波的一副瓣波束的产生，减小所述低副瓣天线的自激干扰，进而提高所述低副瓣天线在探测过程中的准确性和可靠性
低副瓣天线探测方法

[发明专利]一种集成化低剖面的低副瓣OAM天线-CN202210656932.6有效
发明人：张狂;杨德生;袁乐眙 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种集成化低剖面的低副瓣OAM天线，涉及天线射频技术领域。本发明是为了解决利用传统的激发贝塞尔波束的方法来实现高速通信和扩大信道信息容量时，体积难以满足要求的问题。本发明所述的一种集成化低剖面的低副瓣OAM天线，该低副瓣OAM天线利用超表面同馈源进行集成化，实现了整个OAM天线的体积的减小，而且通过利用高增益超表面天线来实现整个OAM天线的增益的提高和副瓣电平的降低
一种集成化剖面低副瓣 oam 天线

[发明专利]一种基于图像后处理的太赫兹SAR图像副瓣抑制方法-CN202210084284.1在审
发明人：尚士泽;吴福伟;杨予昊;李大圣;金林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图像后处理的太赫兹SAR图像副瓣抑制方法，由于雷达信号的脉冲重复频率高于杂波频带宽度，SAR图像两侧存在一定范围的清晰区域，该区域只有噪声，没有成像场景的回波能量，若强点的高副瓣贯穿SAR图像的整个方位向，则选取一定方位宽度的清晰区域，计算噪底数值和每列像素的数值抑制函数，生成数值抑制的模板图像，抑制方位高副瓣，若强点的高副瓣延伸到有限距离范围，则计算图像每个强点的数值抑制函数，生成数值抑制的模板图像，抑制强点高副瓣，降低太赫兹频段SAR图像的棱角效应，抑制强点副瓣，改善SAR图像的总体质量，自动计算抑制倍数，同时抑制方位高副瓣和强点高副瓣，鲁棒性好，为后续目标检测和识别提供良好的图像质量。
一种基于图像处理赫兹 sar 抑制方法

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