专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]聚酰胺酰亚胺氧烷热熔胶粘剂-CN99815220.X无效
  • 曹劲欧 - 西洋化学公司
  • 1999-11-08 - 2002-01-23 - C09J179/08
  • 本发明公开了包含有机溶剂和完全酰亚胺化的聚酰胺酰亚胺氧烷的热熔胶粘剂溶液,其中0.5-30mol%的酐或单体是含氧烷的单体。最多50mol%的单体是既不含氧烷基团也不合酰胺键的脂肪族并且40-99mol%是不含氧烷基团的芳香族。芳香族是(1)20-100mol%的不对称的芳香族,其含至少两个芳环和在不同芳环上的两个胺基团并且在其链中含酰胺键,和(2)最多50mol%的芳香族,其既不含氧烷基团也不含酰胺键。
  • 聚酰胺亚胺硅氧烷热熔胶粘剂
  • [发明专利]一种负极用粘结剂,负极材料及其制备方法-CN202211463229.X在审
  • 张群;祝春才 - 浙江中科玖源新材料有限公司
  • 2022-11-22 - 2023-03-28 - H01M4/62
  • 发明公开了一种负极用粘结剂,其原料包括:三单体、单体、酐单体、2‑(6‑异氰酸酯己酰胺)‑6‑甲基‑4‑[H]‑嘧啶酮。本发明还公开了一种负极材料,其原料包括:活性材料、导电剂和粘结剂。本发明还公开了上述负极材料的制备方法,包括如下步骤:在惰性气体氛围中,取单体、酐单体在有机溶剂中进行反应,再加入三单体继续反应,然后加入2‑(6‑异氰酸酯己酰胺)‑6‑甲基‑4‑[H]‑嘧啶酮继续反应得到聚酰胺酸溶液;然后将聚酰胺酸溶液、活性材料、导电剂混匀,涂覆于集流体表面,干燥,亚胺化得到负极材料。本发明具有良好的粘结性能和韧性性能,可以有效抑制负极的体积膨胀。
  • 一种负极粘结材料及其制备方法
  • [发明专利]新型酯基有机季铵盐的制备方法-CN201610546620.4有效
  • 徐光年;金俊成;冯儒;高迎春;李刚 - 皖西学院
  • 2016-07-12 - 2018-10-23 - C07F7/18
  • 本发明公开了新型酯基有机季铵盐:月桂酸甲基乙醇单(双)酯基丙基三烷氧基基氯化铵的制备方法,其特征在于,该方法包括两个步骤:1)月桂酸甲基乙醇单(双)酯的合成:通过N‑甲基乙醇与月桂酸进行酯化反应,以对甲苯磺酸为催化剂;2)月桂酸甲基乙醇单(双)酯基丙基三烷氧基基氯化铵的合成:通过月桂酸甲基乙醇单(双)酯和γ‑氯丙基三烷氧基硅烷进行季铵化反应,以DMF为溶剂,碘化钾为催化剂,通过微波法合成月桂酸甲基乙醇单(双)酯基丙基三烷氧基基氯化铵。本发明还提供了棉织物整理剂,该棉织物整理剂含有800mg/L的上述酯基有机季铵盐:月桂酸甲基乙醇单(双)酯基丙基三烷氧基基氯化铵。
  • 新型有机硅铵盐制备方法
  • [发明专利]一种采用歧化法生产的方法-CN201210588982.1无效
  • 原东风 - 天津市泰源工业气体有限公司
  • 2012-12-31 - 2014-07-02 - C01B33/107
  • 本发明公开了采用歧化法生产的方法。它是以三氯氢为原料进行催化歧化,生成和四氯化硅等,反应混合物经过进一步分离提纯得到纯品。催化剂为叔(三甲基、三乙基、三丙基、三丁基、乙烯基环式叔聚合物等)(50~100℃)、硝酰化合物(150℃以上)、脂类氰化氢(需要用路易斯酸处理)、甲基(酰)、六甲基磷三、N-置换吡咯烷酮歧化法最突出的优点是产率高,反应温度低,经大量试验证明,用弱碱或弱酸催化剂歧化三氯硅烷是生成的最好方法。
  • 一种采用歧化法生产二氯二氢硅方法
  • [发明专利]六甲基烷沉积装置-CN200610148808.X有效
  • 胡晓明;周沅晓;张峻铭 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2006-12-28 - 2008-07-02 - C23C14/12
  • 一种六甲基烷沉积装置,包括:容器,所述容器内装有六甲基烷液体和通有载流气体;涂布机,所述涂布机内放置有半导体衬底,用于在半导体衬底上形成六甲基烷层;气体通路,用于把容器和涂布机相连,所述气体通路上设置有过滤器,用于过滤六甲基烷结晶物;所述气体通路的过滤器与涂布机接口之间部分不同处温差不超过6℃,所述温度为18至25℃。本发明通过采用恒温的气体通路,在气体通路内防止了六甲基烷结晶,避免了由于六甲基烷结晶固化造成的半导体衬底光刻不到位,导致刻蚀不干净现象。
  • 甲基二硅胺烷沉积装置

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