专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种掺杂改性薄膜的制备方法-CN200910307696.1无效
  • 姜兆华;李春香;姚忠平;贾方舟;姜艳丽 - 哈尔滨工业大学
  • 2009-09-25 - 2010-03-03 - C03C17/00
  • 一种掺杂改性薄膜的制备方法,它涉及一种改性薄膜的制备方法。本发明解决了现有薄膜掺杂改性困难、掺杂效果差,及现有层接层自组装技术所得薄膜与基底结合力弱的问题。本发明掺杂改性薄膜的制备方法首先利用层接层自组装方法制备掺杂改性前期薄膜;再通过热处理得到掺杂改性薄膜。本发明的制备方法工艺稳定可靠,设备简单,操作方便,掺杂改性容易实现,本发明制得的薄膜掺杂改性效果好,薄膜的能带隙降低至2.8eV,通过烷基化处理薄膜与基底的结合牢固。本发明得到的掺杂改性薄膜可用于光催化分解水制氢。
  • 一种掺杂改性氧化薄膜制备方法
  • [发明专利]一种降低薄膜应力的方法-CN200910260400.5无效
  • 陈焘;王多书;熊玉卿;刘宏开;王济州 - 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
  • 2009-12-17 - 2010-06-23 - C23C14/08
  • 本发明涉及一种降低薄膜应力的方法,具体地说,本发明涉及一种降低电子束加热蒸发制备的薄膜应力的方法,属于光学薄膜技术领域。是重要的光学薄膜材料,通常电子束蒸发制备的薄膜具有很大的应力,薄膜应力的存在不仅会导致薄膜破裂、脱落,而且应力还会作用于基体,使基体发生畸变,应力产生的形变会使光谱发生漂移,降低薄膜的光学性能和力学性能本发明在电子束加热蒸发制备薄膜沉积完成后,在真空度条件下充入氧气,采用一定能量的离子束轰击薄膜表面,改善了薄膜结构,提高了薄膜的堆积密度,降低了薄膜的应力,从而增强了薄膜的力学性能和环境稳定性
  • 一种降低氧化薄膜应力方法
  • [发明专利]独立的纳米管阵列薄膜的制备方法-CN201210177244.8无效
  • 赵乃勤;初飞;李家俊;师春生;刘恩佐;何春年 - 天津大学
  • 2012-06-01 - 2012-09-19 - C25D11/26
  • 本发明公开了一种独立的纳米管阵列薄膜的制备方法。该薄膜制备过程包括,将纯材阳极氧化得到纳米管阵列薄膜后,用氢氟酸溶液浸泡该薄膜,使薄膜基体分离,获得独立的无定形纳米管阵列薄膜,随后经去离子水清洗、锻烧得到独立的锐矿型纳米管阵列薄膜薄膜的厚度可以通过控制阳极氧化的时间来控制,纳米管的直径可以通过改变阳极氧化电压来控制。相比于以片为基底的纳米管阵列薄膜而言,该薄膜面积较大,可转移到透明柔韧的基底上,应用范围更为广泛。
  • 独立氧化纳米阵列薄膜制备方法
  • [发明专利]一种/硫化镉/复合薄膜及其应用-CN201310718449.7有效
  • 张政军;谢拯 - 清华大学
  • 2013-12-23 - 2014-04-23 - B01J27/04
  • 本发明公开了属于废水处理技术领域的一种/硫化镉/复合薄膜及其应用。该方法采用倾斜生长法在基底上沉积,得到分立性良好的纳米棒阵列薄膜,将这种薄膜在450℃空气条件下退火2小时得到纳米棒阵列薄膜,在纳米棒阵列上利用连续离子层吸附反应法沉积硫化镉纳米颗粒得到/硫化镉复合薄膜,这种薄膜在可见光下有良好的有机废水处理效果。在/硫化镉复合薄膜上用原子层沉积法在薄膜上再沉积一层,这种/硫化镉/结构相比/硫化镉的可见光有机废水降解效率有明显提高。
  • 一种氧化硫化复合薄膜及其应用
  • [发明专利]一种双层纳米结构锐光电薄膜及其制备方法-CN200910096794.5无效
  • 吴进明;宋小梅 - 浙江大学
  • 2009-03-19 - 2009-08-19 - B82B1/00
  • 本发明公开的双层纳米结构锐光电薄膜,是由纳米颗粒膜覆盖于多孔网络结构层组成的锐矿相薄膜,界面处为纳米颗粒与多孔网络结构交错镶嵌。采用溶胶-凝胶法将纳米颗粒膜旋涂于表面覆盖有多孔网络结构层的基板上,由于界面处纳米颗粒与网状多孔网络结构之间交错镶嵌存在协同效应,因此提高了薄膜的光电性能。制得的双层纳米结构锐光电薄膜成膜均匀,结晶良好,纯度高,与一般薄膜相比,光生电流密度显著增大、光催化降解水中有机物能力显著提高。
  • 一种双层纳米结构锐钛矿二氧化光电薄膜及其制备方法
  • [发明专利]光触媒的结构-CN201410283537.3有效
  • 陈郁文 - 京程科技股份有限公司
  • 2014-06-23 - 2015-02-11 - B01J21/06
  • 本发明公开一种光触媒的结构,包含载体及形成在载体上的薄膜,其中薄膜包含椭圆球形颗粒。而且,本发明的为锐矿结构,此椭圆球形颗粒的长轴为10至15纳米,短轴为3至6纳米。此薄膜具有超亲水性,并具有更强的去污与自洁的功效。以日光灯、紫外光灯或太阳光照射时,此薄膜具有高的活性。
  • 氧化触媒结构
  • [实用新型]光触媒的结构-CN201420337206.9有效
  • 陈郁文 - 京程科技股份有限公司
  • 2014-06-23 - 2015-04-08 - B01J21/06
  • 本实用新型公开一种光触媒的结构,包含载体及形成在载体上的薄膜,其中薄膜包含椭圆球形颗粒。而且,本实用新型的为锐矿结构,此椭圆球形颗粒的长轴为10至15纳米,短轴为3至6纳米。此薄膜具有超亲水性,并具有更强的去污与自洁的功效。以日光灯、紫外光灯或太阳光照射时,此薄膜具有高的活性。
  • 氧化触媒结构
  • [发明专利]纳米薄膜的制备方法-CN201711361486.1有效
  • 叶常青 - 苏州中科纳福材料科技有限公司
  • 2017-12-18 - 2019-11-15 - C01G23/053
  • 本发明涉及一种纳米薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、提供前体、反应剂、酸催化剂和玻璃载体,玻璃载体上开设有若干贯通的孔洞,大小为1至8nm;S2、将前体、反应剂以及酸催化剂混合,通过溶胶‑凝胶法制备得到胶体,胶体中的粒径为10至80nm;S3、将胶体涂于玻璃载体上,通过高温高压过滤处理,得到纳米薄膜。该纳米薄膜的制备方法工艺简单,无需用到昂贵的基底材料,成本较低,且能大规模地制备得到性能优秀的纳米薄膜,具有较大的应用前景。
  • 氧化纳米薄膜制备方法
  • [发明专利]一种全一维光子晶体及其制备方法-CN201910993360.9有效
  • 胡昕;张翔;陈欣睿;罗铭 - 常熟理工学院
  • 2019-10-18 - 2022-02-18 - G02B5/00
  • 本发明公开了一种全一维光子晶体及其制备方法,该一维光子晶体包括1个以上由介孔薄膜和致密薄膜组成的介孔/致密薄膜对,光子禁带中心波长可在260‑800纳米之间任意调节,禁带中心波长的反射率最高可达97.3%,介孔/致密薄膜对是通过先旋涂介孔前驱体,光固化,再旋涂致密前驱体,光固化后煅烧得到,其中,介孔前驱体有前驱体、聚苯乙烯和反应性增容剂组成。本发明通过改变聚苯乙烯的含量、浓度及旋涂转速可以容易地获得不同厚度和折射率的薄膜,从而调控其光子禁带中心波长,可廉价、高效地制备大面积全一维光子晶体。
  • 一种氧化钛一维光子晶体及其制备方法

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