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[发明专利]中间电位产生电路-CN96119756.0无效
发明人：飞田洋一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1996-12-11 - 公布日： 2002-12-11 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种具有可控电位产生电路的中间电位产生电路，包含连接在电源电位结点和接地电位结点间的分压电路，产生在中间电位的电平两侧彼此稍为偏离的第一和第二输出电位；连接在电源电位结点和中间电位输出结点间的N沟MOS晶体管，其栅极接受对应于第一输出电位的电位；连接在中间电位输出结点和接地电位结点之间的P沟MOS晶体管，其栅极接受对应于第二输出电位的电位；以及将二个MOS晶体管的任一个的背栅极连接到其栅极。
中间电位产生电路

[发明专利]一种电流互感器-CN201911358568.X有效
发明人：魏晓耀;岳光华;陈奕嘉;陈帅兵;孟庆喜;李四新;贺小维;田超群;岳天松;李阳;谢艳彬;赵新科;刘小兵;马翔;张晓鹏;王凯;房鑫;王玉洁;刘晓博 -专利权人：河南平高电气股份有限公司;平高集团有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01F38/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种电流互感器，包括底座，套管固定在底座上，筒体连接在套管上端；高电位屏蔽在套管内与筒体固定连接；接地管设置在套管内，中间电位屏蔽设置在高电位屏蔽和接地管之间，中间电位屏蔽与接地管同轴套装，且二者之间具有将二者固定连接为组件的绝缘支撑，并使中间电位屏蔽悬置在接地管外侧；或者中间电位屏蔽与高电位屏蔽同轴套装，且二者之间具有将二者固定连接为组件的绝缘支撑，绝缘支撑使中间电位屏蔽悬置在高电位屏蔽内侧。操作人员可以方便地将金属屏蔽筒与接地管或高电位屏蔽同轴固定，确保中间电位屏蔽、接地管和高电位屏蔽三者同轴，同时省去了中间电位屏蔽自身的组装操作，简化了电流互感器的装配操作。
一种电流互感器

[实用新型]用于接地网的等电位保护装置-CN202020266357.5有效
发明人：尹娟;张建 -专利权人：成都高斯电子技术有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01R4/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于接地网的等电位保护装置，包括上绝缘层、中间等电位网、下绝缘层，上绝缘层和下绝缘层将中间等电位网完全包覆，在中间等电位网两侧连接有柔性导电体，柔性导电体的另一端与接地设备连接或与其它所述等电位保护装置串联或并联将所述中间等电位网置于所述上绝缘层和所述下绝缘层之间，防止中间等电位网被外界侵蚀进而导致金属被腐蚀形成局部电压差，保证中间等电位网上的电压处处相等。此外，中间等电位网两侧连接的柔性导电体与接地设备相连，当操作人员带电作业发生事故击穿事故导致中间等电位网的电压迅速上升时，电压由中间等电位网与接地设备内形成短路电流进入地下，此时操作人员承受的跨步电压即在安全范围之内
用于接地电位保护装置

[发明专利]电车控制装置-CN200580001206.5有效
发明人：永塚吉生;松本武郎;河本祥一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2005-04-01 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： B60L9/18 文献下载
摘要：包括具有最大电位端A及中间电位端B及最小电位端C、在最大电位端A与中间电位端B之间的上位侧电容器6、以及在中间电位端B与最小电位端C之间的下位侧电容器7的直流电源装置。另外，包括具有在最大电位端A与最小电位端C之间的电阻器8及晶闸管9的过电压抑制单元。再有，包括和在中间电位端B与最小电位端C之间的下位电压传感器10、电阻器8与晶闸管9的连接点、在与中间电位端B之间的上位电压传感器11、以及最大电位端A及中间电位端B及最小电位端C连接、并对感应电动机供给交流功率的三电平逆变器
电车控制装置

[发明专利]半导体器件-CN200910206364.4有效
发明人：高桥徹雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供维持高耐压的同时能够谋求小型化的半导体器件，在IGBT芯片的外围部分中，在场氧化膜(13)上的场板(14)与场板(15)之间，设置形成为包围IGBT单元的中间电位电极(20)，在中间电位电极(20)上，从局部地形成在芯片外围部分上的一部分区域中的中间电位施加单元提供作为发射极电极(10)的电位与沟道截断电极(12)的电位之间的电位的预定中间电位。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200810092636.8有效
发明人：高桥徹雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供维持高耐压的同时能够谋求小型化的半导体器件，在IGBT芯片的外围部分中，在场氧化膜13上的场板14与场板15之间，设置形成为包围IGBT单元的中间电位电极20，在中间电位电极20上，从局部地形成在芯片外围部分上的一部分区域中的中间电位施加单元提供作为发射极电极10的电位与沟道截断电极12的电位之间的电位的预定中间电位。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200410101131.5有效
发明人：高桥徹雄 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供维持高耐压的同时能够谋求小型化的半导体器件，在IGBT芯片的外围部分中，在场氧化膜13上的场板14与场板15之间，设置形成为包围IGBT单元的中间电位电极20，在中间电位电极20上，从局部地形成在芯片外围部分上的一部分区域中的中间电位施加单元提供作为发射极电极10的电位与沟道截断电极12的电位之间的电位的预定中间电位。
半导体器件

[发明专利]液体喷出装置以及液体喷出头的控制方法-CN202310190652.5在审
发明人：四十物孝宪 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：驱动元件的动态信号包含第一驱动波形和第二驱动波形，第一驱动波形包含第一收缩波形，第二驱动波形包含第二收缩波形，第一收缩波形包含电位从第一电位变化为第一中间电位的第一部分波形、电位被维持在第一中间电位的第二部分波形和电位从第一中间电位变化为第二电位的第三部分波形，第二收缩波形包含电位从第一电位变化为第二中间电位的第四部分波形、电位被维持在第二中间电位的第五部分波形和电位从第二中间电位变化为第二电位的第六部分波形，驱动元件根据第一驱动波形而从喷嘴喷出第一液滴，并根据第二驱动波形而使第二液滴以在第一液滴喷落至介质之前与第一液滴合体的方式而从喷嘴喷出
液体喷出装置以及控制方法

[发明专利]风能设备逆变器的控制电路与控制方法-CN200910166962.3有效
发明人： H·-H·莱塔斯 -专利权人：再生动力系统股份公司
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本发明涉及风能设备的变换器及运行变换器的方法，变换器包括通过多个相控制发电机的逆变器以及中间电路，中间电路具有在高和低中间电路电位之间的中间电路电压，利用可变频率的相电位控制发电机，按本发明规定，计算在极限相电位和中间电路电位之一之间的偏移值，确定中间相电位与最接近的中间电路电位的间距值，生成以该间距值为振幅的附加电压，其中以偏移值使相电位偏移，且将附加电压加到中间相电位。通过电位偏移以及加上附加电压实现，不需要在每个第二半波中对变换器的开关元件进行时钟控制。由此减小在时钟控制时产生的转换损耗，转换损耗由于此外产生的热对电流是限制性的。
风能设备逆变器控制电路控制方法

[发明专利]中间电位屏蔽、电流互感器及中间电位屏蔽的装配方法-CN201410662207.5有效
发明人：李冬焱;徐来成;陈帅兵;周跃刚;张炜 -专利权人：平高集团有限公司;国家电网公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及高压开关领域，特别是涉及到了一种中间电位屏蔽、电流互感器及中间电位屏蔽的装配方法。中间电位屏蔽包括屏蔽筒和绝缘筒，屏蔽筒和绝缘筒的相邻端插合并且粘接固定在一起，所述屏蔽筒和绝缘筒中的至少一个于二者的粘接位置处设有凸起结构，凸起结构之间形成了至少一条灌胶通道，绝缘筒和屏蔽筒通过所述凸起结构定心配合本发明解决了现有的中间电位屏蔽装配效率低、机械强度差的问题。
中间电位屏蔽电流互感器装配方法

[发明专利]电平移位电路-CN202010911667.2有效
发明人：蒋新喜;孙天奇;程珍娟;张靖恺 -专利权人：敦泰电子(深圳)有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：电平移位电路包括第一电压域电路、中间电压域电路以及第二电压域电路。第一电压域电路接收处于第一电压域的输入信号。第一电压域的信号在第一高电平电位和第一低电平电位之间切换。中间电压域电路将输入信号转为中间电压域信号。中间电压域信号在第二高电平电位和第一低电平电位之间切换。第一高电平电位和第二高电平电位不同。第二电压域电路将中间电压域信号转换为第二电压域信号并输出。第二电压域信号在第二高电平电位和第二低电平电位之间切换。第一高电平电位和所述第二高电平电位均大于第一低电平电位和第二低电平电位，第二低电平电位和第二低电平电位不相同。
电平移位电路

[发明专利]绝缘材料表面电位归零的方法、装置、设备、介质和产品-CN202310833838.8在审
发明人：徐焱林;聂翔宇;杜嘉余;刘业楠;王志浩;王思展 -专利权人：北京卫星环境工程研究所
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01B19/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘材料表面电位归零的方法、装置、设备、介质和产品。该方法包括：获取绝缘材料表面的当前电位；确定绝缘材料表面在多次辐照后的多个第一中间电位；第一中间电位高于当前电位；根据多个第一中间电位与零电位的相差程度确定第一候选电位；基于电压初始值、电压步长以及第一候选电位对绝缘材料表面电位进行归零处理采用本申请的方法，可以使得绝缘材料表面的电位归零。
绝缘材料表面电位方法装置设备介质产品

[发明专利]有机EL元件、显示装置和照明装置-CN201510024353.X有效
发明人：市川竜也;田中泰三 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供一种有机EL元件、显示装置和照明装置，有机EL元件包括：发光单元，至少包括：多个发光层，各自包含有机化合物并且当被提供预定电位差时发射光，以及中间层，布置在发光层之间以将电荷注入到发光层中；阳极和阴极，发光单元沿层叠方向插入在所述阳极和阴极中间，并且所述阳极和阴极提供预定电位差到发光单元；电位控制机构，被配置为以使所述中间层的电位被设置为所述阳极的电位和所述阴极的电位之间的电位的方式来控制所述中间层的电位
有机 el 元件显示装置照明装置

[发明专利]读出放大器电路和半导体存储器件-CN96100422.3无效
发明人：筑出正树;有本和民 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1996-01-11 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在读出操作启动之前，将ｎ沟道读出放大器晶体管（２２４ｃ,２２４ｄ）的背栅极电位设置到大于操作电源电位和地电位之间的中间电位的背栅极预充电电位，然后在读出操作期间，背栅极电位随着ｎ型公共源极节点电位（ＣＳＮｎ型公共源极节点（２２１ｂ）预充电到该中间电位。设置背栅极预充电电位，使其不大于中间电位加上一个ｐｎ结扩散电位之和的电位，从而抑制了自每个读出放大器晶体管的背栅极至源极或漏极的漏电流。
读出放大器电路半导体存储器件

[发明专利]液体喷射装置及其控制方法-CN201010518429.1有效
发明人：松尾宽之 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：喷射驱动脉冲(DP)是包括预备膨胀部(p1)、膨胀保持部(p2)和收缩部(p3)的电压波形，收缩部包括：电位从预备膨胀部的终端电位即膨胀电位(VH)向负方向变化的第1收缩要素(p3a)；将第1收缩要素(p3a)的终端电位即中间电位(VM1)保持一定时间的中间保持要素(p3b)；和电位从中间电位向负方向变化的第2收缩要素(p3c)，中间保持要素的保持时间超过0并在0.12Tc以下，中间保持要素的电位在保持部的电位的
液体喷射装置及其控制方法

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