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[发明专利]中压交联电缆外半导电屏蔽修补用半导电胶的用途-CN200910200598.8无效
发明人：林少东;赵翠琴;叶晓燕 -专利权人：上海德力西集团有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H02G1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种中压交联电缆外半导电屏蔽修补用半导电胶用于修补中压交联电缆外半导电屏蔽的破损处的用途，其中中压交联电缆外半导电屏蔽修补用半导电胶包括30克～50克石墨粉、20克～30克挥发性溶剂和5克～10克塑料胶粘剂，较佳地，挥发性溶剂是乙醇或丙酮，塑料胶粘剂为102多用塑料胶粘剂，中压交联电缆外半导电屏蔽修补用半导电胶还包括3～8克着色导电粉，通过本发明的用途，能很好地修补中压交联电缆外半导电屏蔽
交联电缆导电屏蔽修补用途

[发明专利]一种防偏移的HDI线路板多层压合加工装置-CN202211480410.1在审
发明人：何晓兵;廉世周;李致峰;刘伟 -专利权人：江西誉信电子科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种防偏移的HDI线路板多层压合加工装置，包括有压合机柜、底架和压合组件，所述压合组件用于压合半固化片、铜箔和芯板。采用本发明，具有通过第二L形板朝向限位杆圆心一侧的楔形块卡在环形斜槽中，使第二压合板始终保持对铜箔、半固化片和芯板的固定状态，并通过第一压合板、第二压合板和第三压合板配合对铜箔、半固化片和芯板进行压合，防止压合时铜箔、半固化片和芯板偏移，同时无需增加额外固定装置的优点，解决了平铺设备将半固化片平铺抚平后无限位固定措施，导致半固化片形变位置再次回弹，表面仍存在不平整的问题，使得半固化片与铜箔和芯板的贴合度差，导致后续压合出现滑板、偏移和分层的现象的问题。
一种偏移 hdi 线路板多层加工装置

[发明专利]基于不等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑-CN201610047423.8有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容分布式 mmc 拓扑

[发明专利]基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑-CN201610047412.X有效
发明人：赵成勇;刘航;许建中 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容式全桥 mmc 拓扑

[发明专利]基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑-CN201610047407.9有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
基于等式约束辅助电容分布式 mmc 拓扑

[发明专利]基于等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑-CN201610047402.6有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本发明提供基于等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
全桥均压拓扑等式约束辅助电容辅助回路集中式子模块能量转换触发频率电气联系电容电压基频调制均压控制拓扑等效电容交直流闭锁触发构建箝位均衡联合

[发明专利]基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑-CN201610047417.2有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
全桥均压拓扑不等式约束辅助电容辅助回路集中式子模块能量转换触发频率电气联系电容电压基频调制均压控制拓扑等效电容交直流闭锁触发构建箝位均衡联合

[实用新型]基于等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑-CN201620068857.1有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥MMC该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
基于等式约束辅助电容集中式全桥 mmc 拓扑

[实用新型]基于不等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑-CN201620068894.2有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容分布式 mmc 拓扑

[实用新型]基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑-CN201620068865.6有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H02M7/49 文献下载
摘要：本实用新型提供基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于等式约束的辅助电容分布式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥MMC该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
基于等式约束辅助电容分布式 mmc 拓扑

[实用新型]基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑-CN201620068875.X有效
发明人：赵成勇;刘航;许建中 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本实用新型提供基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容式全桥 mmc 拓扑

[实用新型]基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑-CN201620068889.1有效
发明人：赵成勇;许建中;刘航 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑，由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个IGBT模块发生电气联系，IGBT模块触发，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式全桥MMC自均压拓扑；IGBT模块闭锁，拓扑等效为全桥该全桥MMC自均压拓扑，可以箝位直流侧故障，同时不依赖于专门的均压控制，能够在完成交直流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时能相应降低子模块触发频率和电容容值，实现全桥MMC的基频调制
基于不等式约束辅助电容集中式全桥 mmc 拓扑

[发明专利]一种半水磷石膏制备α型高强石膏的方法-CN201710153053.0有效
发明人：杨林;曹建新;罗通 -专利权人：贵州大学
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C04B11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半水磷石膏制备α型高强石膏的方法，将半水磷石膏、磷酸溶液按质量份混合，搅拌均匀后制得料浆，将料浆进行加热、保温、洗涤和干燥后制得。本发明利用半水磷石膏含有α型半水石膏的特性，不用高温蒸压和转晶剂就能用半水磷石膏制备α型高强石膏的技术，整个反应体系为常压磷酸溶液及石膏晶种体系，所制得α型高强石膏的晶形主要是不同取向短柱状α型半水石膏的聚集体，反应条件温和，能耗低，不使用转晶剂，生产成本低；制备技术采用原料为半水磷石膏，半水磷石膏为湿法磷酸生产过程中排放的一种以半水石膏为主晶相的固体废弃物，实现半水磷石膏的资源化利用，从而缓解对周边环境的污染
一种半水磷石膏制备高强方法

[实用新型]一种压轧铜板滚花辊-CN201621028857.5有效
发明人：包健 -专利权人：江西凯顺科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： B44B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压轧铜板滚花辊，包括端辊一、中间辊和端辊二，所述中间辊一端与端辊一同轴连接，另外一端与端辊二同轴连接，所述端辊一圆柱面的右侧设有半滚齿，整个圆柱面上设有全滚齿，所述中间辊圆柱面的两侧设有半滚齿，中间设有全滚齿，所述端辊二圆柱面的左侧设有半滚齿，整个圆柱面上设有全滚齿，实现多幅宽给铜板压花或滚花，提高压花或者滚花效率。
一种铜板滚花辊

[发明专利]颈挂耳机软质胶旋转式注压模具及包胶方法-CN202210958504.9有效
发明人：缪聪辉;杜杰 -专利权人：东莞市信联兴电子有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B29C45/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种颈挂耳机软质胶旋转式注压模具及包胶方法，包括上模芯和下模芯，下模芯上具有主安装腔和控制端安装腔，主安装腔内转动安装有一转动模芯，转动模芯上形成有可在第一注压位和第二注压位之间转动的两个半环成型通道；上下合模时，下模芯与第一注压位处的半环成型通道形成一次注压腔，以注胶形成承载耳机颈部的软质胶承载件；下模芯与第二注压位处的半环成型通道二次注压腔，以注胶形成包裹耳机颈部的条形包胶件；控制端安装腔处安装有两个控制端注压模具，用于注胶形成包裹耳机控制器绝缘壳的控制端软质胶套，控制端注压腔与二次注压腔通过颈部通道密封连通。本发明在颈挂耳机外直接注压包裹硅胶，包胶效率高。
耳机软质胶旋转式注压模具方法