专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件以及其制造方法-CN200680001013.4有效
  • 鸟居克行 - 三垦电气株式会社
  • 2006-03-22 - 2007-09-19 - H01L29/739
  • 能够通过焊锡良好地固定下部IGBT和上部IGBT,同时牢固地连接下部IGBT和引线,形成可靠性高的半导体器件。具备:形成在下部IGBT(1)的下部电极(5)、形成在下部电极(5)上的上部电极(6)、固定在上部电极(6)的上部半导体元件(2)、以及连接上部电极(6)和上部IGBT(2)的焊锡(7)。由不同的材质构成下部电极(5)和上部电极(6),在下部电极(5)的上面(5a)设置从设在上部电极(6)的缺口部部分地露出在外部的接线区域(15),在接线区域(15)连接细线(8)。可以利用焊锡附着性出色的材质形成上部电极(6),利用与引线(8)连接强度高的材质形成下部电极(5)。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管-CN202120521945.3有效
  • 郑事展 - 力智电子(深圳)有限公司
  • 2021-03-12 - 2022-05-27 - H01L29/423
  • 一种遮蔽栅极式沟槽晶体管,包括具有沟槽的衬底、设置于沟槽下部的下部电极、设置于沟槽上部上部电极、以及间绝缘上部电极的上表面通过化学机械研磨工艺形成,使上部电极具有平整的上表面,间绝缘通过化学气相沉积工艺形成,使所述间绝缘具有平整的上表面。间绝缘通过化学气相沉积工艺形成,使得间绝缘较现有技术的厚且具有平整的上表面,由于上部电极的下表面形成在间绝缘的上表面,连带使得上部电极的下面变得平整;上部电极形成后,其上表面通过化学机械研磨,使上部电极回蚀工艺能平均蚀刻,使得上部电极具有平整的上表面;改良后的上部电极具有平整的上表面及下表面,从而达到提升产品可靠度的功效。
  • 遮蔽栅极沟槽晶体管
  • [实用新型]用于电池组的PTC器件及具备该器件的电池组-CN201520858911.8有效
  • 巩桎茹;聂秋根 - 松下能源(无锡)有限公司
  • 2015-10-30 - 2016-03-30 - H01C7/02
  • 本实用新型提供了一种用于电池组的PTC器件及具备该器件的电池组,PTC器件包括PTC、形成于PTC上表面的上部电极、以及形成于PTC下表面的下部电极,所述上部电极与所述电池组中的一个电池的端子电连接,所述下部电极与所述电池组中的另一个电池的端子电连接,所述PTC和所述上部电极分别形成有窗,所述下部电极透过所述PTC的窗和所述上部电极的窗向所述上部电极的一侧露出,所述上部电极具有一体形成的极耳,该极耳从该上部电极的主体的边缘向外侧延伸,所述极耳用于与所述一个电池的端子电连接。
  • 用于电池组ptc器件具备
  • [发明专利]静电容量型湿度传感器以及其制造方法-CN200980145292.5有效
  • 洪性珉;金建年;曹泳唱;金原孝 - 电子部品研究院
  • 2009-11-12 - 2012-05-02 - G01N27/22
  • 本发明涉及一种静电容量型湿度传感器,更详细而言,涉及一种静电容量型湿度传感器以及其制造方法,通过在ROIC基板形成传感部可以使湿度传感器小型化的同时,通过在下部电极上部电极形成表面积大的高分子材料的减湿本发明的静电容量型湿度传感器包含:ROIC基板,其包含电极极板;金属,其形成于所述ROIC基板上部,并被图案化以使露出所述电极极板的局部;绝缘,其形成于所述金属上部,并被图案化以使所述电极极板的局部露出;下部电极,其形成于所述绝缘上部;减湿,其被蚀刻形成以便加大所述下部电极上部的表面积;上部电极,其形成于所述减湿上部;连接,其形成于被露出的所述电极极板的上部,并使所述下部电极和所述上部电极分别与所述电极极板接触
  • 静电容量湿度传感器及其制造方法
  • [发明专利]沟槽金氧半晶体管器件及其制造方法-CN202010838591.5在审
  • 蔡依芸;洪章响 - 力智电子股份有限公司
  • 2020-08-19 - 2022-02-22 - H01L29/06
  • 栅极结构包括:下部电极、第一上部电极、第二上部电极、第一介电以及第二介电。下部电极具有第一宽度。第一上部电极与第二上部电极分别配置在沟槽的两侧,且第一上部电极与第二上部电极之间具有第二宽度。第一上部电极与第二上部电极各自具有弧形底面。第一介电配置在下部电极上,以将下部电极与第一上部电极以及第二上部电极分隔开。第二介电配置在第一上部电极与第二上部电极之间的第一介电上,并延伸覆盖第一上部电极的顶面与第二上部电极的顶面。
  • 沟槽金氧半晶体管器件及其制造方法

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