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- [发明专利]复膜上光热能回收机组-CN201410844037.2在审
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陈淼
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陈淼
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2014-12-31
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2015-04-01
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B41F23/08
- 本发明涉及一种复膜上光热能回收机组,主要应用于基于间隙式印刷原理的连续印刷工艺的印刷机中,其主要功能是实现在板材的印刷面上在线复上上光膜,以此使上光板材后续耐深冲加工,通过先后设置的导热辊、电磁加热机、冷却箱和挤水辊等,对应实现上光膜可靠贴复于印刷板材、上光膜高温熔合、上光膜冷却定型和脱水干燥的步序,保证了印刷板材的膜上光效果,结构紧凑、效果显著。同时,该复膜上光机组能够适应不同印品的上光要求,满足印品的UV上光要求。
- 上光热能回收机组
- [发明专利]一种多层上光膜结构-CN201710862970.6在审
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谭銮章
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浙江绿洲胶粘制品有限公司
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2017-09-22
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2017-12-05
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G09F3/02
- 本发明涉及上光膜技术领域,具体为一种多层上光膜结构。一种多层上光膜结构,包括透明的表面基础层,设于所述表面基础层底部的纹路层,设于所述纹路层底部的透明的中间基础层,设于所述中间基础层底部的镭射防伪层,设于所述镭射防伪层底部的树脂层,以及设于所述树脂层底部的离型纸层本发明的上光膜的两边侧设有纹路,使得上光膜视觉上更加美观;上光膜边侧设有指捏层,在上光膜贴装过程中可避免手指直接接触上光膜的粘性面,使用更加便利;通过树脂层替代了传统的胶黏层,进一步提高了上光膜的使用便利性;上光膜设有镭射防伪层,使得上光膜具有防伪性能。
- 一种多层上光膜结构
- [实用新型]一种多层上光膜结构-CN201721219489.7有效
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谭銮章
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浙江绿洲胶粘制品有限公司
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2017-09-22
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2018-04-06
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G09F3/02
- 本实用新型涉及上光膜技术领域,具体为一种多层上光膜结构。一种多层上光膜结构,包括透明的表面基础层,设于所述表面基础层底部的纹路层,设于所述纹路层底部的透明的中间基础层,设于所述中间基础层底部的镭射防伪层,设于所述镭射防伪层底部的树脂层,以及设于所述树脂层底部的离型纸层本实用新型的上光膜的两边侧设有纹路,使得上光膜视觉上更加美观;上光膜边侧设有指捏层,在上光膜贴装过程中可避免手指直接接触上光膜的粘性面,使用更加便利;通过树脂层替代了传统的胶黏层,进一步提高了上光膜的使用便利性;上光膜设有镭射防伪层,使得上光膜具有防伪性能。
- 一种多层上光膜结构
- [发明专利]一种上光膜结构-CN201710863005.0在审
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谭銮章
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浙江绿洲胶粘制品有限公司
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2017-09-22
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2017-12-22
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B32B27/06
- 本发明涉及上光膜技术领域,具体为一种上光膜结构。一种上光膜结构,包括透明的表面基础层,设于所述表面基础层底部的纹路层,设于所述纹路层底部的透明的中间基础层,设于所述中间基础层底部的树脂层,以及设于所述树脂层底部的离型纸层。本发明的上光膜的两边侧设有纹路,使得上光膜视觉上更加美观;上光膜边侧设有指捏层,在上光膜贴装过程中可避免手指直接接触上光膜的粘性面,使用更加便利;通过树脂层替代了传统的胶黏层,进一步提高了上光膜的使用便利性
- 一种上光膜结构
- [发明专利]用以形成半导体器件精细图形之方法-CN96114082.8无效
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裴相满
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现代电子产业株式会社
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1996-12-26
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2002-02-13
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H01L21/302
- 一个用以形成一个半导体器件之精细图形的方法,包括步骤提供一个半导体衬底;在所述半导体衬底上形成将要被蚀刻的一目标层;在所述目标层上形成一下光致抗蚀剂膜;在所述下光致抗蚀剂膜上形成一中间层;在所述中间层上形成一第一上光致抗蚀剂膜,该第一上光致抗蚀剂膜的蚀刻选择比不同于所述中间层的蚀刻选择比;用一第一曝光掩模选择性地曝光所述第一上光致抗蚀剂膜,形成第一上光致抗蚀剂图形并对该第一上光致抗蚀剂图形进行热处理;用所述第一上光致抗蚀剂图形作掩模,选择性地蚀刻所述中间层以形成中间层图形;在所得结构上形成一第二上光致抗蚀剂膜;以及用一第二曝光掩模选择性地曝光所述第二上光致抗蚀剂膜,使得所述第二上光致抗蚀剂膜的未曝光的部分与所述第一上光致抗蚀剂图形部分地重叠,以形成第二上光致抗蚀剂图形。
- 用以形成半导体器件精细图形方法
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