[发明专利]电子管无效
| 申请号： | 99807453.5 | 申请日： | 1999-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1305638A | 公开（公告）日： | 2001-07-25 |
| 发明（设计）人： | 下井英树;久嶋浩之;长谷川宽;永井俊光 | 申请（专利权）人： | 滨松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01J43/24 | 分类号： | H01J43/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 将离子约束电极(22)及离子捕获电极(23)配置在光电面(20)与第1级倍增器电极(24a)之间,以防止电子管光电面(20)的灵敏度变坏,并且对于长时间使用可得到稳定的输出。将这些电极的电位设定成离子约束电极(22)的电位比第1级倍增器电极(24a)的电位高,离子捕获电极(23)的电位比光电面(20)的电位高或相等并且比第1级倍增器电极(24a)的电位低。由此,能有效地抑制在第1级倍增器电极(24a)附近发生的正离子朝向光电面(20)的离子反馈,其结果,可防止光电面(20)的灵敏度变坏,并且对于长时间使用可得到稳定的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 电子管 | ||
【主权项】：
1．一种电子管，其中，具备对入射光进行光电变换并发射电子的光电面(20)及对由光电面(20)发射的电子进行倍增的电子倍增部(24、25)，上述电子倍增部(24、25)包含位于最靠近上述光电面(20)处并由上述光电面(20)发射的电子进行入射的电子入射部(24a、24b)，将上述电子入射部(24a、25a)的电位设定得比上述光电面(20)的电位高，其特征在于：将用于约束在上述电子倍增部(24、25)中发生的正离子的离子约束电极(22)配置在上述光电面(20)与上述电子倍增部(24、25)之间，并且将用于捕获由上述离子约束电极(22)约束了的正离子的离子捕获电极(23)配置在上述离子约束电极(22)与上述电子入射部(24a、25a)之间，将上述离子约束电极(22)的电位设定得比上述电子入射部(24a、25a)的电位高，将上述离子捕获电极(23)的电位设定得比上述光电面(20)的电位高或相等，并且将上述离子捕获电极(23)的电位设定得比上述电子入射部(24a、25a)的电位低。
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