[发明专利]电子管无效
| 申请号: | 99807453.5 | 申请日: | 1999-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN1305638A | 公开(公告)日: | 2001-07-25 |
| 发明(设计)人: | 下井英树;久嶋浩之;长谷川宽;永井俊光 | 申请(专利权)人: | 滨松光子学株式会社 |
| 主分类号: | H01J43/24 | 分类号: | H01J43/24 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子管 | ||
1.一种电子管,其中,具备对入射光进行光电变换并发射电子的光电面(20)及对由光电面(20)发射的电子进行倍增的电子倍增部(24、25),上述电子倍增部(24、25)包含位于最靠近上述光电面(20)处并由上述光电面(20)发射的电子进行入射的电子入射部(24a、24b),将上述电子入射部(24a、25a)的电位设定得比上述光电面(20)的电位高,其特征在于:
将用于约束在上述电子倍增部(24、25)中发生的正离子的离子约束电极(22)配置在上述光电面(20)与上述电子倍增部(24、25)之间,并且
将用于捕获由上述离子约束电极(22)约束了的正离子的离子捕获电极(23)配置在上述离子约束电极(22)与上述电子入射部(24a、25a)之间,
将上述离子约束电极(22)的电位设定得比上述电子入射部(24a、25a)的电位高,
将上述离子捕获电极(23)的电位设定得比上述光电面(20)的电位高或相等,并且将上述离子捕获电极(23)的电位设定得比上述电子入射部(24a、25a)的电位低。
2.根据权利要求1中所述的电子管,其特征在于:上述电子倍增部由捕获从光电面(20)发射了的电子并依次进行倍增的包含第1级倍增器电极(24a)的多级倍增器电极(24a至24n)构成,上述第1级倍增器电极(24a)起到作为上述电子入射部的功能。
3.根据权利要求1中所述的电子管,其特征在于:上述电子倍增部由将多根玻璃管捆起来做成了板状结构的微通道板(25)构成,以其一个面(25a)与上述光电面(20)相对的方式来配置上述微通道板(25),使上述微通道板(25)的上述一个面(25a)起到作为上述电子入射部的功能。
4.根据权利要求1-3的任一项中所述的电子管,其特征在于:还具备取出由上述电子倍增部进行了倍增的电子的阳极电极(26)。
5.根据权利要求1-4的任一项中所述的电子管,其特征在于:上述光电面(20)由半导体光电材料构成。
6.根据权利要求5中所述的电子管,其特征在于:上述半导体光电材料由砷化镓构成。
7.根据权利要求1-6的任一项中所述的电子管,其特征在于:将用于使光电子聚束的聚束电极(21)配置在上述光电面(20)与上述离子约束电极(22)之间。
8.根据权利要求1-7的任一项中所述的电子管,其特征在于:在上述离子约束电极(22)及上述离子捕获电极(23)上以列状形成了光电子通过的多个狭缝。
9.根据权利要求1-8的任一项中所述的电子管,其特征在于:在上述离子约束电极(22)及上述离子捕获电极(23)上以矩阵状形成了光电子通过的多个通路。
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