[发明专利]真空场效应晶体管无效
| 申请号： | 99804294.3 | 申请日： | 1999-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1294760A | 公开（公告）日： | 2001-05-09 |
| 发明（设计）人： | 曹圭亨;柳之烈;黄明运;赵敏衡;禹永振;金荣基 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈瑞丰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开平面型/纵向型真空场效应晶体管(VFT)结构,采用类似MOSFET平面或纵向型结构,以提高集成度,并可以在较低的工作电压下高速运行。本平面型VFT包括由导体制成的源极和漏极,它们分开一段预定的距离而保持于一个薄的沟道绝缘体上,其间有真空沟道;由导体制成的栅极,它有一定宽度,形成于所述源极和漏极的下面,所述沟道绝缘体的作用在于使栅极与源极和漏极绝缘;绝缘主体,用作支撑沟道绝缘体和栅极的基片。纵向型真空场效应晶体管,包括导电的连续圆形源极,它具有空着的中心,形成于沟道绝缘体上;形成于所述沟道绝缘体下面并延伸跨过所述源极的导电的栅极;绝缘主体,用作支撑所述栅极和沟道绝缘体的基片;安装在所述源极上方的绝缘壁,形成闭合的真空沟道;形成于所述真空泡道上方的漏极。两种类型中都将适当的偏压加在栅极、源极和漏极之间,使电子能够从源极经所述真空沟道被场致发射到漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1．一种平面型真空场效应晶体管，它包括：由导体制成的源极和漏极，它们分开一段预定的距离而保持于一个薄的沟道绝缘体上，其间有真空沟道；由导体制成的栅极，它有一定宽度，形成于所述源极和漏极的下面，所述沟道绝缘体的作用在于使栅极与源极和漏极绝缘；绝缘主体，用作支撑沟道绝缘体和栅极的基片，其特征在于，在栅极、源极和漏极之间加给适当的偏压，以使电子能够从源极经所述真空沟道被场致发射到漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国科学技术院，未经韩国科学技术院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99804294.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
