[发明专利]含有卤素的废气的净化剂及其净化方法无效

专利信息
申请号: 99801645.4 申请日: 1999-08-04
公开(公告)号: CN1286644A 公开(公告)日: 2001-03-07
发明(设计)人: 大冢健二;荒川秩;长谷见隆司;网岛丰;铃木规广 申请(专利权)人: 日本派欧尼股份株式会社
主分类号: B01D53/68 分类号: B01D53/68;B01J20/20
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 能够从半导体制造过程中产生的废气中将有毒的卤素系气体如氟、氯、三氟化硼、三氯化硼及六氟化钨加以有效去除的净化剂及净化方法,通过将碱金属的甲酸盐和/或碱土金属的甲酸盐添加附着至活性炭上,或者将碱金属的氢氧化物和/或碱土金属的氢氧化物同碱金属的甲酸盐和/或减土金属的甲酸盐一起添加附着至活性炭上,来制备所述净化剂,通过将废气暴露于所述净化剂中,就可以将所述废气中的有毒的卤素系气体加以有效去除,而且已吸附在所述净化剂上的卤素系气体的脱附程度很小。另外,借助一种包含金属氧化物或金属的氢氧化物的预处理净化剂和一种通过将钠的甲酸盐添加附着至金属氧化物上制备而成的后处理净化剂,所述净化处理的安全性和有效性可得到进一步改善。
搜索关键词: 含有 卤素 废气 净化剂 及其 净化 方法
【主权项】:
1.含有卤素的废气的净化剂,包含添加附着有碱金属的甲酸盐和/或碱土金属的甲酸盐的活性碳,所述碱金属的甲酸盐和/或碱土金属甲酸盐的附着量为所述净化剂重量(干燥态)的3-18%。
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