[发明专利]绝缘体基硅传输门干扰的解决方法无效
| 申请号： | 99118748.2 | 申请日： | 1999-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1249539A | 公开（公告）日： | 2000-04-05 |
| 发明（设计）人： | 安杰斯·布赖恩特;爱德华·J·诺瓦克;米恩·H·通 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/64;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | N型MOSFET的SOI传输门干扰的解决方法,在FET的栅与体之间连接电阻器以消除干扰状态。此FET制造在衬底中,具有源、漏和栅,场效应晶体管的体是电浮置的,且基本上与衬底电隔离。提供了将FET的电浮置体耦合到栅的高阻通路,致使当栅处于低位时,在能够出现明显的热充电之前,体向低态放电,从而防止了当晶体管处于关断时电荷在体上的积累。高阻通路的电阻最好约为1010Ωμm除以传输门的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 传输 干扰 解决方法 | ||
【主权项】：
1.制造于衬底中的具有源、漏和栅的场效应晶体管，其中场效应晶体管的体是电浮置的，且晶体管基本上与衬底电隔离，其特征在于包含：将场效应晶体管的电浮置体耦合到场效应晶体管的栅的高阻通路，致使当栅处于低位时，在能够出现明显的热充电之前，体向低态放电，从而防止当晶体管处于关断时电荷在体上的积累。
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