[发明专利]真空管用接点材料及其制造方法有效

专利信息
申请号: 99118067.4 申请日: 1999-08-23
公开(公告)号: CN1084034C 公开(公告)日: 2002-05-01
发明(设计)人: 山本敦史;草野贵史;奥富功;关经世;片冈诚 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01H1/02 分类号: H01H1/02;H01H33/66
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杨宏军
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的真空管用接点材料由导电成分、耐弧成形与Cr或Zr构成,所说的导电成分含量为50~70重量%,其主成分为Cu;所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成,其平均粒径在8μm以下,其含量为30~50重量%;所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2~2.0重量%,或者,所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2~2.0重量%。材料中的氢含量规定为0.2~50ppm。$
搜索关键词: 真空 管用 接点 材料 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种真空管用接点材料,它由导电成分、耐弧成分与Cr或Zr构成,所说的导电成分含量为50~70重量%,其主要成分为Cu;所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成,其平均粒径在8μm以下,其含量为30~50重量%;所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2~2.0重量%,或者,所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2~2.0重量%;其中氢的含量为0.2~50ppm。
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