[发明专利]真空管用接点材料及其制造方法有效
| 申请号: | 99118067.4 | 申请日: | 1999-08-23 |
| 公开(公告)号: | CN1084034C | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
| 发明(设计)人: | 山本敦史;草野贵史;奥富功;关经世;片冈诚 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01H1/02 | 分类号: | H01H1/02;H01H33/66 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杨宏军 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 真空 管用 接点 材料 及其 制造 方法 | ||
1.一种真空管用接点材料,它由导电成分、耐弧成分与Cr或Zr构成,所说的导电成分含量为50~70重量%,其主要成分为Cu;所说的耐弧成分由TiC和VC二者中的至少一方构成,其平均粒径在8μm以下,其含量为30~50重量%;所说Cr含量相当于Cr和Cu总量的0.2~2.0重量%,或者,所说Zr含量相当于Zr和Cu总量的0.2~2.0重量%;
其中氢的含量为0.2~50ppm。
2.一种真空管用接点的制造方法,其特征在于,该方法具有下列工序,即:
将一种含有TiC和VC中的至少一方作为主成分的原料粉末制成平均粒径在8μm以下的骨架的工序,
用一种含有0.2~2.0重量%Cr的Cu基合金或一种含有0.2~2.0重量%Zr的Cu基合金构成导电成分的熔渗材料熔渗上述骨架的熔渗工序,其中,上述骨架材料占30~70重量%,上述熔渗材料占50~70重量%。
3.如权利要求2的制造方法,其特征在于,作为上述骨架的原料粉末使用的TiC粉末的平均粒径在8μm以下。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,上述骨架的原料粉末还含有相当于原料粉末总量10~40重量%的Cu。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,使用上述熔渗材料熔渗上述骨架的上述工序,作为真空气氛,优选是在低于1×10-1Pa压力的气氛中进行。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,以上述熔渗材料熔渗上述骨架的上述工序,使用一种其耐热材料仅由氧化物和/或氮化物形成的炉子以及使用由氧化物或氮化物形成的坩埚进行。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,在用上述熔渗材料熔渗上述骨架的上述工序中,当该工序中使用的炉子的耐热材料和坩埚中的至少一方由碳材料构成时,使用Al2O3的板、块粒或粉末将上述熔渗材料和上述骨架二者与上述碳材料隔离开。
8.如权利要求2所述的方法,其特征在于,在使上述骨架成形的工序中使用的金属模子的外壳可以分割成几个部分。
9.一种真空管用接点的制造方法,其特征在于,该方法具有下列工序,即:
将一种由TiC粉末和VC粉末中的至少一方作为主成分、另外还含有0.25~2.3重量%的Cr或Zr的原料粉末制成平均粒径在8μm以下的骨架的工序,
用一种以Cu为主成分的导电成分构成的熔渗材料熔渗上述骨架的工序,其中,上述骨架材料占30~70重量%,上述熔渗材料占50~70重量%。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,作为上述骨架的原料粉末使用的TiC粉末的平均粒径在8μm以下。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,上述骨架的原料粉末还含有相当于原料粉末总量10~40重量%的Cu。
12.如权利要求9所述的方法,其特征在于,使用上述熔渗材料熔渗上述骨架的上述工序,作为真空气氛,优选是在低于1×10-1Pa压力的气氛中进行。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,以上述熔渗材料熔渗上述骨架的上述工序,使用一种其耐热材料仅由氧化物和/或氮化物形成的炉子以及使用的氧化物或氮化物形成的坩埚进行。
14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,在用上述熔渗材料熔渗上述骨架的上述工序中,该工序中使用的炉子的耐热材料和坩埚中的至少一种由碳材料构成时,使用Al2O3的板、块粒或粉末将上述熔渗材料和上述骨架二者与上述碳材料隔离开。
15.如权利要求9所述的方法,其特征在于,该方法还具有使上述骨架成形的工序,
在该工序中使用的金属模子的外壳可以分割成几个部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/99118067.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:地板材料
- 下一篇:图象处理方法及其设备





