[发明专利]一种提高激光法制备高温超导带材临界电流密度的方法无效

专利信息
申请号: 99107798.9 申请日: 1999-05-28
公开(公告)号: CN1151514C 公开(公告)日: 2004-05-26
发明(设计)人: 周岳亮;王荣平;王焕华;潘少华;陈正豪;崔大复;吕惠宾;杨国桢 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01B12/06 分类号: H01B12/06;H01L39/24;C04B35/50;C23C14/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及高温超导大电流传输技术领域。通过提供一种带有银掺杂靶,并可以方便地改变银掺杂量的脉冲激光淀积高温超导柔性带材的方法,来使高温超导膜层的取向明显改善,质量明显提高,从而获得了高临界电流密度。本发明避免了对基底费时费力的轧制过程,也不需要制备缓冲层,简化了步骤。操作方便,成本低,速度快及便于产品化。
搜索关键词: 一种 提高 激光 法制 高温 超导 临界 电流密度 方法
【主权项】:
1、一种提高激光法制备高温超导带材临界电流密度的方法,包括以 下步骤: (1)在淀积生长室内,真空度至少达到1Pa,将基底加热到600-800℃; (2)动态通氧,通氧量为维持淀积生长室内氧压在5-100Pa之间; (3)当气压和温度都稳定在所需数值后,顺序开启钇钡铜氧陶瓷旋转靶、 银掺杂靶、反射式激光束扫描器和脉冲激光器,开始在基底上淀积 钇钡铜氧膜层;其中脉冲激光器的波长为200-600nm,脉冲宽度为 20-40ns,激光输出为50-400mJ/pulse,淀积时间为20-120分钟; 所述的银掺杂靶为与钇钡铜氧靶的同心放置、夹角在5-360度的一 个扇形; (4)淀积完成后,关闭钇钡铜氧陶瓷旋转靶、反射式激光束扫描器和脉 冲激光器,将基底温度降低到400-500℃,同时将氧压升高到1大 气压,进行膜层退火5-30分钟;然后将基底温度在5-60分钟内 降低至室温; (5)从淀积生长室中取出在基底上制备的高温超导带材。
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