[发明专利]聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法无效
| 申请号： | 99106401.1 | 申请日： | 1999-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1146602C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 郑载昌;卢致亨;卜喆圭;金明洙;李根守;白基镐;金亨基;郑旼镐 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | C08F222/40 | 分类号： | C08F222/40;C08F232/04;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 丁业平;王达佐 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及下式1所示的聚合物和采用该聚合物形成显微图形的方法[式1]∴其中，R1为C1-C10直链或支链烷基或苄基；R2为C1-C10伯醇、仲醇或叔醇基；m和n相互独立地代表1-3的数；以及X、Y和Z分别是共聚单体的聚合比。本发明的光致抗蚀剂聚合物适于利用ArF、E-射线、EUV或离子射线等光源来形成4G或16G半导体器件所用的超显微图形。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 使用 形成 显微 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种如下式1所示的光致抗蚀剂聚合物，[式1]![]()
其中，R1为C1-C10直链或支链烷基或苄基；R2为C1-C10伯醇、仲醇或叔醇基；m和n相互独立地代表1-3的数；以及X、Y和Z分别是相应共聚单体的聚合比，其中X∶Y∶Z之比为(10-80摩尔％)∶(10-80摩尔％)∶(10-80摩尔％)。
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