[发明专利]半导体器件

摘要

提供一种包括自对准型多发射极双极晶体管的半导体器件,其中每个集电极－基极隔离长度可以被减小成与集电极－基极击穿电压相连所允许的最小值,在这种双极晶体管中,一个以上发射极/基极形成区和至少一个集电极引线区排列在单独的阵列中,而非本征基区通过基极引线电极连接到具有设置在单独阵列外部的接触栓塞的至少一个基极电极上。因此,可以将集电极电阻、集电极－基极电容和集电极－衬底电容最小化,还可将双极晶体管的元件尺寸最小化。

主权项

1．包括具有多发射极结构的自对准型双极晶体管的半导体器件，该双极晶体管包括：第一导电类型的集电区(102和103)，形成在半导体衬底(101)上，至少一个集电极引线区(106)，形成在集电区(102和103)中，一个以上发射极/基极形成区(108)，形成在集电区(102和103)上，元件隔离膜(105)，形成在集电区(102和103)上，在所述至少一个集电极引线区(106)上和所述一个以上发射极/基极形成区(108)上具有开口，第二导电类型的基区(113和114)，在所述一个以上发射极/基极形成区(108)的相应的一个中，每个基区形成在集电区(102和103)的表面区域内，至少一个基极引线电极(109)，形成在元件隔离膜(105)上，在所述一个以上发射极/基极形成区(108)上延伸，从而与相应的一个基区(113)的周边接触，并在所述一个以上发射极/基极形成区(108)的相应一个的中心部分上具有开口，发射极扩散层(115)，每个扩散层形成在相应的一个基区(114)的中心表面上，发射极引线电极(112)，每个发射极引线电极形成在相应的一个发射极扩散层(115)上，与其表面接触，并与所述至少一个基极引线电极(109)隔离，层间绝缘膜(117)，覆盖元件隔离膜(105)、所述至少一个集电极引线区(106)、所述至少一个基极引线电极(109)和发射极引线电极(112)，并具有接触孔，每个接触孔穿过层间绝缘膜(117)，并设置在所述至少一个集电极引线区(106)、所述至少一个基极引线电极(109)和发射极引线电极(112)中相应的一个上，以及布线(119a、119b和119c)，每个布线在层间绝缘膜(117)上延伸，并通过相应的一个接触孔(118a、118b和118c)与所述至少一个集电极引线区(106)、所述至少一个基极引线电极(109)和发射极引线电极(112)中相应的一个接触；其特征在于，所述一个以上发射极/基极形成区(108)和所述至少一个集电极引线区(106)排列在一个单独的阵列中；并且所述至少一个基极引线电极(109)的每一个延伸到所述单独的阵列的外部，以便通过形成在所述单独阵列外部的相应的一个接触孔(118c)与相应的一个布线(119c)连接。