[发明专利]高效大功率大光腔半导体激光器无效
| 申请号： | 99100395.0 | 申请日： | 1999-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1110877C | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;殷涛;廉鹏;陈建新;邹德恕;高国;陈良惠;王启明;杜金玉;韩金茹;陈昌华 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京工大思海专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高效大功率大光腔半导体激光器，属于半导体光电子技术领域，其特征是，采用了由多个重复排列的单元发光区及位于每相邻两单元发光区之间的P+-N+隧道二极管所构成的多级耦合整体大光腔式发光区结构，通过各单元发光区间的隧道二极管为前级复合掉的电子和空穴提供再生通道，从而多倍地提高器件的量子效率和输出功率。本发明可提供高效大功率、具有窄发散角的半导体激光，广泛用于光通讯、光泵浦、光读写、激光医疗、激光雷达等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 大功率 大光腔 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1一种高效大功率大光腔半导体激光器，由P侧电极(1)和N侧电极(7)，P型电极接触层(2)，P型包层(3)和N型包层(5)，衬底(6)及发光区构成，其特征在于：所述的发光区为一多级耦合整体大光腔(4)，它包括多个串联叠置重复排列的单元发光区(8)及位于每相邻两单元发光区(8)之间的再生无源光场区(15，9，10，11)。
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