[发明专利]控制硅单晶生长的方法与系统无效
| 申请号： | 98808456.2 | 申请日： | 1998-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1268194A | 公开（公告）日： | 2000-09-27 |
| 发明（设计）人： | M·加威德 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/26 | 分类号： | C30B15/26;C30B15/20;C30B15/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 与恰克拉斯基单晶生长装置一起使用的方法和系统。所述单晶生长装置具有一个加热坩埚,用来熔化固体硅而形成拉制单晶体的熔融硅,所述熔体有上表面,直到硅全部熔化之前其上方露出未熔化的硅,由摄像机产生一部分坩埚内部的图象,所述图象每幅包含大量像素,所述像素每个含有代表图象光学特性的一个值。用图象处理器将图象作为像素值的函数进行处理来检测图象边缘;将检测得的边缘组合成它们在图象中位置的函数来确定图象中的目标,所述确定的目标每个包含一个或多个像素,且至少所述被确定目标的一个是代表在熔体表面可见的一部分固体硅;用控制电路根据所确定的目标确定一个参量代表单晶生长装置的一种状态;以及根据所确定的参量来控制单晶生长装置。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 硅单晶 生长 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种与生长硅单晶装置结合使用的闭环控制方法，所述单晶生长装置具有一个加热坩埚，用来熔化固体硅而形成拉制单晶体的熔融硅，所述熔体有上表面，直到硅全部熔化之前其上方露出未熔化的硅，所述方法包括的步骤是：由摄像机产生一部分坩埚内部的图象，所述图象每幅包含大量像素，所述像素每个含有代表图象光学特性的一个值；将图象作为像素值的函数进行处理来检测图象边缘；将检测得的边缘组合成它们在图象中位置的函数来确定图象中的目标，所述确定的目标每个包含一个或多个像素，且至少所述被确定目标的一个是代表在熔体表面可见的一部分固体硅；根据所述确定的目标至少确定一个参量代表单晶生长装置的一种状态；以及根据所确定的参量来控制单晶生长装置。
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