[发明专利]一种声探测器的制造方法有效
| 申请号： | 98801680.X | 申请日： | 1998-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1243461A | 公开（公告）日： | 2000-02-02 |
| 发明（设计）人： | 让－马克·比罗;弗朗索瓦·贝尔纳 | 申请（专利权）人： | 汤姆斯－无线电报总公司 |
| 主分类号： | B06B1/06 | 分类号： | B06B1/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 吴静波 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多元件声探测器的制造方法。该方法包括使用在它的至少一侧具有传导路径(Pi)的软性回路(11),把这个回路连接到压电材料板(13)(具有导电部分(Mi))上,形成通过软性回路的通路以便连通所述导电部分(Mi),并在通路内形成电接触。它可应用于回声测深仪的探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种声探测器的制造方法，该探测器包括相互连接的回路和形成在压电材料板上的单个变换器，其特征在于该方法包括如下步骤：在绝缘膜片(11、21、31)的至少一侧上形成传导路径；采用绝缘粘合剂层(12、22、32)把具有传导路径的所述绝缘膜片连接到包括导电部分的压电材料层(13、23、33)上；借助于合适的局部处理形成通过绝缘膜片(11、21、31)和该绝缘粘合剂层(12、22、32)的通路，以使形成的通路同时在一方面要露出在传导路径上，而另一方面要露出在相关的导电部分上；在传导路径(PI，PI1，PI2)和相关的压电材料的导电部分(mi)之间形成电接触。
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