[发明专利]一种声探测器的制造方法

权利要求书

1.一种声探测器的制造方法，该探测器包括相互连接的回路和形成在压电材料板上的单个变换器，其特征在于该方法包括如下步骤：

在绝缘膜片(11、21、31)的至少一侧上形成传导路径；

采用绝缘粘合剂层(12、22、32)把具有传导路径的所述绝缘膜片连接到包括导电部分的压电材料层(13、23、33)上；

借助于合适的局部处理形成通过绝缘膜片(11、21、31)和该绝缘粘合剂层(12、22、32)的通路，以使形成的通路同时在一方面要露出在传导路径上，而另一方面要露出在相关的导电部分上；

在传导路径(PI，PI₁，PI₂)和相关的压电材料的导电部分(mi)之间形成电接触。

2.如权利要求1所述的声探测器的制造方法，其特征在于，它包括在绝缘膜片(11、21、31)的所谓下侧形成传导路径，而粘合剂层(12、22、32)与该所谓的下侧和压电材料层(13、23、33)接触。

3.如权利要求1或2所述的声探测器的制造方法，其特征在于，它包括在绝缘膜片(11、21、31)的上侧形成传导路径。

4.如权利要求3所述的声探测器的制造方法，其特征在于，它包括在绝缘膜片的下侧形成一个接地平面(P)。

5.如权利要求1至4的任一权利要求所述的声探测器的制造方法，其特征在于，适当的局部处理是烧蚀激光的聚焦作用。

6.如权利要求1至4的任一权利要求所述的声探测器的制造方法，其特征在于，它包括使用一个罩。

7.如权利要求6所述的声探测器的制造方法，其特征在于，它包括在绝缘膜片(11、21、31)的上侧形成一个金属罩。

8.如权利要求6所述的声探测器的制造方法，其特征在于，它包括通过一个机械的、独立的罩来蚀刻绝缘膜片(11、21、31)和绝缘粘合剂层(12、22、32)。

9.如权利要求1至8的任一权利要求所述的声探测器的制造方法，其特征在于，在传导路径(PI、PI₁、PI₂)和导电部分(mi)之间的电接触通过镀—金属层(15、25)并接着通过局部蚀刻所述金属层(15、25)来形成。

10.如权利要求1至9的任一权利要求所述的声探测器的制造方法，其特征在于，在传导路径(PI、PI₁、PI₂)和导电部分(mi)之间的电接触通过在通路内镀上导电树脂来形成。