[发明专利]能执行高速写入操作的半导体存储装置无效
| 申请号： | 98123538.7 | 申请日： | 1998-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1215892A | 公开（公告）日： | 1999-05-05 |
| 发明（设计）人： | 持田义史 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个半导体存储器具有多个存储单元,根据写入地址在这些存储单元中的一个特定单元中写入数据。半导体存储器包括一个控制信号发生部件,用于在同步信号的控制下生成多个控制信号。一个列选择信号发生部件接收写入地址和控制信号以产生多个列选择信号。一个锁存器部件用于把数据作为与控制信号同步的锁存数据而锁存起来。一个写总线部件把锁存数据传送到存储单元。一个写入部件在列选择信号的控制下将锁存数据写到特定存储单元中的写总线部件上。 | ||
| 搜索关键词： | 执行 高速 写入 操作 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一个半导体存储器，其特征在于，它包括许多存储单元，并根据写入地址将数据写入这些单元中的一个特定单元，它还包括：控制信号发生部件，用于根据同步信号来生成多个控制信号，而所述的控制信号具有相互不同的相位。列选择信号发生部件，根据所述的写入地址和所述的控制信号来生成多个列选择信号；锁存器部件，将所述的数据作为与所述的控制信号同步的锁存数据锁存起来；写总线部件，用于将所述的锁存数据提供给所述的存储单元；以及写入部件，用于根据所述的列选择信号将所述的写总线部件上的所述锁存数据写入到所述的特定存储单元当中去。
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