[发明专利]复合晶体管,复合晶体管对,电流平方器和CMOS模拟乘法器无效
| 申请号： | 98109787.1 | 申请日： | 1998-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1208203A | 公开（公告）日： | 1999-02-17 |
| 发明（设计）人： | 木村克治 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G06G7/00 | 分类号： | G06G7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供复合晶体管,该管使得n和p沟道MOSFET的跨导参数和阈值电压可以容易地相等。该复合晶体管由第一导电类型的第一MOSFET和与第一导电类型极性相反的第二导电类型的第二MOSFET构成。第一和第二MOSFET的源极耦合在一起。第一MOSFET的栅极和漏极分别形成复合晶体管的栅极和漏极。第二MOSFET的栅极和漏极耦合在一起,形成复合晶体管的源极。即使形成复合晶体管的n和p沟道MOAFET具有互不相同的跨导参数和阈值电压,也容易使复合晶体管的复合或等效跨导参数和阈值电压相等。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 晶体管 电流 平方 cmos 模拟 乘法器 | ||
【主权项】：
1．一种复合晶体管，包括：第一导电类型的第一MOSFET；与所述第一导电类型极性相反的第二导电类型的第二MOSFET；第一和第二MOSFET的源极耦合在一起；所述第一MOSFET的栅极和漏极分别形成所述复合晶体管的栅极和漏极；以及所述第二MOSFET的栅极和漏极耦合在一起，形成所述复合晶体管的源极；其特征在于所述复合晶体管用作所述第一导电类型的MOSFET。
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