[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种制造半导器件的方法，包括下列步骤。先是在半导体衬底上形成第一布线层。再在半导体衬底上形成中层绝缘膜将第一布线层覆盖住。在中层绝缘膜上形成布线槽使其穿过中层绝缘膜中形成的一个接触孔，其深度达到使第一布线层外露的程度。在暴露在接触孔底部的第一布线层上淀积第一导电材料从而在接触孔中形成接点。腐蚀清除掉中层绝缘膜表面上在形成接点时由第一导电材料制成的岛。再将第二导电材料埋入布线槽中从而形成第二布线层与接点接触。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成第1布线层(103)的步骤；在上述半导体衬底上形成中层绝缘膜(104)将所述第1布线层覆盖的第2步骤；在上述中层绝缘膜的规定位置上形成接触孔(105)将上述第1布层表面的一部分外露的第3步骤；在上述中层绝缘膜上形成布线槽(106)通过上述接触孔的形成部分，上述接触孔配置在此布线槽的槽端部分，使上述接触孔的侧面的一部分与上述布线槽的侧面成为连续形成的状态的第4步骤；其特征在于，还包括：在上述接触孔底部外露的上述第1布线层的表面上，选择性地淀积具有导电性的第1导电材料，形成由上述第1导电材料构成的导电层将上述接触孔埋填的第5步骤；在蚀刻上述第1导电材料的气体中，暴露包括上述导电层表面的上述中层绝缘膜表面的第6步骤；将具有导电性的第2导电材料埋填进上述布线槽中，形成第2布线层(110)与上述导电层接触的第7步骤；和将上述导电层表面、上述布线槽表面、上述中层绝缘膜表面及上述中层绝缘膜侧壁暴露在蚀刻上述第1导电材料的气体中，以蚀刻去掉在上述接触孔中形成上述导电层时，由上述第1导电材料在上述布线槽表面、上述中层绝缘膜的表面及上述中层绝缘膜侧壁上形成的诸岛，上述蚀刻气体由BCl3气体和氩气的等离子体构成。