[发明专利]生产动态随机存取存储器的方法

摘要

在绝缘膜中形成一接触孔和一开口(辅助标记)。然后用减压的CVD工艺生长一层第一多晶硅膜。用常压CVD工艺生长约1300nm的氧化硅膜以形成筒形层叠的核心，将核心氧化硅膜和第一多晶硅膜制图。接着用化学机械磨光工艺，将整个晶片表面磨到约900nm，以形成离接触部的非开口部分约400nm高的具有平坦表面的核心氧化膜。按此工艺，在除去核心氧化膜时防止了有害颗粒的产生。因此，产量可以提高。

主权项

1、一种制造下电极具有一圆筒形单元电容器的动态随机存取存储器的方法，其特征在于包括如下步骤：在第一绝缘膜中同时形成一单元结点部分的接触孔和一开口，所述开口大于所述接触孔，所述开口主要用在包括校准的半导体的生产中；其后连续地生长一层第一多晶硅膜和一层第二绝缘膜；使开口内的第二绝缘膜的表面位置不低于未开口部分的第一多晶硅膜的表面位置；用化学机械磨光工艺磨光所述第二绝缘膜以磨平所述第二绝缘膜的表面；以覆盖所述接触孔和所述开口两部分的方式对所述第一多晶硅膜和所述第二绝缘膜制图；生长一层第二多晶硅膜；用各向异性蚀刻除去所述第二多晶硅膜的平坦部分；以及用化学溶液除去在第一多晶硅膜上的第二绝缘膜，从而形成圆筒形的下部电极。