[发明专利]用于读出与刷新动态半导体存储器的方法无效
| 申请号： | 97195233.7 | 申请日： | 1997-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1158668C | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | M·兹伯特 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于读出和刷新动态半导体存储器数据内容的一种方法，此半导体存储器带有大量以列和行矩阵形设置的易失存储器单元，在此借助至少两个数据总线(DQ1，DQ2)从已编址各存储器单元进行读出数据内容，将这些数据内容以文字方式设置在这些数据总线上，并且通过刷新脉冲进行各存储器单元的数据内容刷新。按本发明考虑了在触发刷新脉冲后位于各数据总线(DQ1，DQ2)上的这些数据字(D1，D2)在所有的数据总线上保持一个预定延续时间不变，并且在此之后借助一个中断脉冲才中断。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 读出 刷新 动态 半导体 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.用于读出和刷新动态半导体存储器数据内容的方法，此半导体存储器带有大量以列和行矩阵形设置的易失存储器单元，在此借助至少两个数据总线(DQ1，DQ2)从已编址的各存储器单元中进行数据内容的读出，并且其中，通过刷新脉冲进行这些存储器单元各数据内容的刷新，其特征在于，在触发刷新脉冲之后位于各数据总线(DQ1，DQ2)上的这些数据字(D1，D3)在所有的数据总线上维持一个预定的延续时间，并且在此之后才借助一个中断脉冲来中断。
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