[发明专利]半导体激光器无效
| 申请号： | 97117998.0 | 申请日： | 1997-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1104765C | 公开（公告）日： | 2003-04-02 |
| 发明（设计）人： | 平田照二;内田史朗;岩本浩治;长崎洋树;东条刚 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | AlGaInP埋脊半导体激光器包括掩埋在脊形条部分7两侧的n型GaAs电流限制层8，该脊形条部分由p型AlGaInP覆盖层4的上层部分、p型GaInP中间层5和p型GaAs接触层6构成。该脊形条部分7包括在脊形条部分7的腔长方向两端的、长度为L1的锥形部分7a。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，包括：第一导电类型的第一覆盖层；在所述第一覆盖层上的有源层；在所述有源层上的第二导电类型的第二覆盖层；第二覆盖层上层部分的脊形条；及第一导电类型的电流限制层，所述电流限制层邻近在所述第二覆盖层的条形部分的相对两侧形成，并掩埋于所述第二覆盖层上层部分构成的条形部分的相对两侧，所述条形部分包括在其腔长两端纵向的锥形区，所述锥形区的宽度从腔长中间部分向所述腔长两端减小。
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