[发明专利]形成动态随机存取存储器的方法

摘要

一种形成动态随机存取存储器的方法，包括在一基座上形成一转移晶体管，转移晶体管包括一位于基底的栅氧化层上方的栅极以及栅极下的沟道区两旁的一第一与一第二源极／漏极区；暴露出第一与第二源极／漏极区；淀积一氮化硅层，然后淀积一厚氧化硅层；对厚氧化硅层平坦化；形成一开口于第一源极／漏极区上方；在第一极区／漏极区上方的接点形成一电容电极；以及形成一位元线的接点。利用本发明的制造方法能提高其实用价值。

主权项

1.一种形成动态随机存取存储器的方法，包括下列步骤：a.提供一基底，其中该基底具有元件隔离结构，且在该元件隔离结构中具有有源元件区。b.在该基底的有源元件区上方，提供一介电层；c.在该有源元件区提供一转移晶体管，该转移晶体管包括一位于该介电层上方的第一栅电极与形成于该基底上的一第一与一第二源极/漏极区。d.在该基底上形成一蚀刻阻挡层；e.在该蚀刻阻挡层上方，形成一介电层，该介电层与该蚀刻阻挡层不同；f.蚀刻去除该第二源极/漏极区上方的介电层，至该蚀刻阻挡层为止，然后更继续蚀刻该蚀刻阻挡层直到在该第二源极/漏极区上形成电荷储存电容；以及g.蚀刻去除该第一源极/漏极区上方的介电层，至该蚀刻阻挡层为止，然后更继续蚀刻该蚀刻阻挡层直到在该第一源极/漏极区形成一位元线的接点；其中，在所述步骤f中形成电荷储存电容的步骤包括：fl.在第二源极/漏极区上形成与其电性耦接的一下电极；f2.在该下电极的表面上形成一高介电常数电容电介质；f3.在该高介电常数电容电介质的表面上形成一上电极；其中，在所述步骤g中形成该位元线的接点的步骤包括：g1.在该介电层上形成用以定义位元线接点的一光阻掩模；g2.以该蚀刻阻挡层为蚀刻终止层，蚀刻该介电层，接着再蚀刻去除部分该蚀刻终止层，以形成一位元线接触窗开口；g3.去除该光阻掩模；以及g4.于该位元接触窗开口中形成一位元线接点，以与该第一源极/漏极区电性连接。