[发明专利]大功率软恢复隧道二极管管芯结构无效
| 申请号： | 97112473.6 | 申请日： | 1997-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1044651C | 公开（公告）日： | 1999-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张清纯;张斌;陈永麒;王均平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明（ＳＰＢＤ）包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由Ｐ区和均匀分布在Ｐ区中的呈圆形的Ｐ+区。基区为Ｎ区。阴极区由N+区为镶嵌于Ｎ基区与Ｎ+区欧姆接触层处的Ｎ区内的多个凸包形悬浮电位的P+区构成。这种结构的二极管具有优良的反向恢复特性，特别在软度的改善上更加显著。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 恢复 隧道二极管 管芯 结构 | ||
【主权项】：
1．一种大功率软恢复隧道二极管管芯结构，包括在半导体芯片中扩散不同类型的杂质形成阳极区、基区、阴极区，以及在该芯片两表面淀积有金属薄层形成两电极，所说的阳极区由低浓度P型杂质P区和均匀分布在P区中的呈圆形的高浓度P型杂质P+区，所说的基区为低浓度N型杂质的N区，所说的阴极区包括高浓度N型杂质N+区，其特征在于，所说的阴极还包括镶嵌于N基区与N+区的N区内的多个凸包形高浓度P型杂质悬浮电位的P+区构成。
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