[发明专利]半导体器件的隔离区的制造方法无效
| 申请号： | 97110895.1 | 申请日： | 1997-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1107975C | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 宋斗宪 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的隔离区的制造方法，包括以下步骤衬底上形成第一绝缘层；第一绝缘层上形成第二绝缘层并除去场区上的第二绝缘层；用第二绝缘层作掩模选择除去第一绝缘层以露出衬底表面；露出衬底上形成第三绝缘层；第二绝缘层的两侧边上形成第四绝缘侧壁；用第二绝缘层和第四绝缘侧壁作掩模选择除去第三绝缘层以露出衬底表面；用第二绝缘层和第四绝缘侧壁作掩模在衬底中的预定深度形成沟道；沟道中形成场氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 隔离 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的隔离区的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第二绝缘层；选择性地除去场区上的第二绝缘层；用第二绝缘层作掩模，湿蚀刻该第一绝缘层，以过蚀刻该第一绝缘层，使得在衬底和第二绝缘层之间的第一绝缘层的一部分被去除；在衬底的露出部分上形成第三绝缘层；在第二绝缘层的两侧边上形成第四绝缘侧壁；用第二绝缘层和第四绝缘侧壁作掩模，选择除去第三绝缘层的一部分，以露出衬底表面；用第二绝缘层和第四绝缘侧壁作掩模，在衬底中形成预定深度的沟道；和以在第二绝缘层两侧的第四绝缘侧壁为掩模，在沟道中形成场氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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