[发明专利]钇钡铜氧高温超导双面外延薄膜制备方法和装置无效
| 申请号： | 97107678.2 | 申请日： | 1997-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1082231C | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | 李言荣;刘兴钊;陶伯万 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属高温超导薄膜制备方法和装置。由于本发明采用基片原位转动、速度可调、辐射加热、双面同时成膜的倒筒式直流溅射装置和优化的自外延制备方法，提高了膜的质量，使所制得的Y1Ba2Cu3O7-8高温超导外延膜的性能优良其TcO大于90K，ΔTc小于0.3K；基片两面的双面膜性能一致其TCO相差小于0.5K，ΔTc相差小于0.5K，完全满足高频微波器件制做的要求。$ | ||
| 搜索关键词： | 钇钡铜氧 高温 超导 双面 外延 薄膜 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种钇钡铜氧高温超导双面外延薄膜的制备方法，包括：(1)靶材为Y1Ba2Cu3O7-δ圆柱体，固定在溅射系统(1)上；(2)基片为LaAlO3(100)单晶，直径在2.54cm以内，经双面抛光，清洁处理后，固定在Al2O3腔体(5)内的基片夹具(10)上；(3)调整基片至靶材的距离为5～8cm；(4)采用自外延方法溅射：溅射条件：气氛：氧氩混合气O2∶Ar＝1∶2～3.5，总压40～65Pa电流：0.3～0.7A，电压：110～180V基片温度：760～820℃溅射时基片以5～10转/分钟速度旋转；溅射1小时后基片降温10～20℃再溅射7小时；溅射速率控制在1nm～5nm/分钟，(5)后处理：关掉氩气，通入氧气至6～8×104Pa，降温至370～440℃时保温5～10分钟，然后自然冷却至室温。
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