[发明专利]电介质元件的制造方法无效
| 申请号： | 96112720.1 | 申请日： | 1996-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN1080455C | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 藤井觉;高山良一;鎌田健;友泽淳 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 姜郛厚,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。$#! | ||
| 搜索关键词： | 电介质 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电介质元件的制造方法，包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上直接形成的或通过金属电极膜形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序，其特征在于：还具有上述蚀刻工序以后，通过利用含有还原剂的第1处理液、接着利用含有酸的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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