[发明专利]高速去胶法无效
| 申请号： | 96108403.0 | 申请日： | 1996-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1080456C | 公开（公告）日： | 2002-03-06 |
| 发明（设计）人： | 川本英明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在铝腐蚀后，将晶片（11）在真空中，由铝腐蚀室传输，不接受大气地送入去胶室（15）。输送晶片（11）后，由阀门（30a）将200sccm的CH3OH气输入，并将压力调节到1．2Torr；接着，施加450mA的微波流，由此产生等离子体；由CH3OH等离子体的顺流系统处理晶片（11)。关闭阀门（30a)，停止供给CH3OH气；接着，打开阀门（30b），输入400sccm氧气；在1．2Torr压力下，施加450mA的微波流，由此产生等离子体;由氧气离子体顺流处理去掉并消除晶片（11）上的光刻胶。由这些工艺过程，能很好地防止腐蚀和去除光刻胶。$#! | ||
| 搜索关键词： | 高速 去胶法 | ||
【主权项】：
1.一种去胶方法，所述方法是在半导体器件晶片上形成铝或铝合金系布线图形的腐蚀后的去胶方法，它包括以下的步骤：用一个分子中至少含有H基和OH基之一的第一单一材料气体，在处理室中产生第一等离子体，以防止布线图形的腐蚀；接着，用含氧气的第二单一材料气体，在处理室中产生第二等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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