[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件无效
| 申请号： | 96107789.1 | 申请日： | 1996-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1144396A | 公开（公告）日： | 1997-03-05 |
| 发明（设计）人： | 元田隆;加藤学 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/70;H01L33/00;H01S3/085;H01S3/103;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括制备半导体衬底(1)，它有一表面，该表面上有温度彼此不同的局部区；在半导体衬底(1)的表面上生长III-V族化合物半导体层，以使半导体层的局部区有彼此不同的成分。因此能以高精度控制局部区中半导体层的成分。而且，由于生长后的半导体层表面变平坦，能使生长半导体层之后的半导体器件的制造方法成为稳定的方法。进而由于能对各局部区独立地控制有源层的成分，从而能大大地增加设计半导体器件的自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法(图1(a)～1(e))，包括：制备半导体衬底1，它有具有温度互不相同的局部区的表面；在所说的半导体衬底1的表面上生长III-V族化合物半导体层，使所说的半导体层的所说的局部区有彼此不同的成分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
