[发明专利]形成半导体器件精细图案的方法无效
| 申请号： | 96107116.8 | 申请日： | 1996-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1142121A | 公开（公告）日： | 1997-02-05 |
| 发明（设计）人： | 韩镇洙 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种形成半导体器件精细图案的方法，该方法包括以下步骤提供硅衬底；在硅衬底表面覆盖图案材料以形成图案布图；此外，在包括所述布图区在内的硅衬底表面设置多个虚设图案，每个虚设图案的宽度小于允许光刻产生的最小宽度；利用上面设置有所述精细虚设图案的布图制备掩模原版；以及通过所述掩模原版对硅衬底上的布图进行曝光。不管图案密度的大小如何，本方法都能产生具有所希精确宽度的图案，从而可以大大改进半导体器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 精细 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体精细图案的方法，其特征在于包括以下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面覆盖图案材料以形成图案的布图；此外，在包括所述布图区在内的硅衬底表面设置多个虚设图案，每个虚设图案的宽度小于允许光刻产生的最小宽度；利用上面设置有所述精细虚设图案的布图制备掩模原版；以及通过所述掩模原版对硅衬底上的布图进行曝光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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