[发明专利]磁阻效应器件以及使用这种器件的器件无效
| 申请号： | 95106521.1 | 申请日： | 1995-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN1126127C | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 榊间博;入江庸介;里见三男;川分康博 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/12 | 分类号： | H01F10/12;G11B5/31;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 器件 以及 使用 这种 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应器件，包括：基片；以及在基片上形成的多层结构，它包括含有至少一种CoPt、CoTaCr和CoPtCr的硬磁膜、软磁膜以及用来隔开硬磁膜和软磁膜的非磁膜，其中硬磁膜的易磁化轴线的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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