[发明专利]通过变址提高EEPROM存贮器次数的方法无效

专利信息
申请号: 95103693.9 申请日: 1995-04-12
公开(公告)号: CN1121209A 公开(公告)日: 1996-04-24
发明(设计)人: 潘之凯 申请(专利权)人: 潘之凯
主分类号: G06F13/00 分类号: G06F13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100039 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种提高EEPROM贮存器存贮次数的方法是通过对贮存数据的次数多的数据进行变址贮存实现的。它可以提高EEPROM贮存器的使用率,用较低的成本完成可靠的存贮,它可以广泛用在数据需要记忆,且读写次数很多的场合使用。
搜索关键词: 通过 提高 eeprom 存贮器 次数 方法
【主权项】:
1一种提高EEPROM贮存器存贮次数的方法是在将要存入的数据可能的变更的次数分类后,对变更次数接近等于大于EEPROM贮存器制造厂标定的写入次数的数据,进行变址贮存,其特征是:a当数据在同一地址存写次数接近等于EEPROM贮存器制造厂标定可靠写入的次数指标后,即写入新的地址单元中,b变址贮存数据的地址代码,总是在每次地址变更时写入指定的地址单元中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于潘之凯,未经潘之凯许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/95103693.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top