[发明专利]真空微电子器件制造中的无版光刻工艺无效
| 申请号： | 94118033.6 | 申请日： | 1994-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1044839C | 公开（公告）日： | 1999-08-25 |
| 发明（设计）人： | 朱长纯;关辉;李天英;刘君华;陈海浪 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/30 |
| 代理公司： | 西安交通大学专利事务所 | 代理人： | 贾玉健 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种真空微电子器件制造中的无版光刻工艺，在已有阴极尖锥阵列的芯片表面制做一层绝缘层和一层栅金属层，使栅金属层按阴极尖锥形貌呈现凹凸不平的状态，然后在栅金属上涂一层光刻胶，彻底将凸起的栅金属埋入，使胶层表面光滑平整，接着整片无版曝光，并均匀地一层层剥离光刻胶，使金属层凸起的部分首先暴露出来，然后对露出的金属进行腐蚀，待露出阴极尖锥后，去胶即可，所制造的器件具有栅孔尺寸小，栅孔与阴极尖自对准，栅孔边缘状况良好的特点。$#! | ||
| 搜索关键词： | 真空 微电子 器件 制造 中的 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
1．真空微电子器件制造中的无版光刻工艺，在已有阴极尖锥阵列的芯片表面淀积一层绝缘层，并在绝缘层上再蒸发一层栅金属层，使栅金属层按阴极尖锥形貌呈现凹凸不平的状态，其特征是，然后在金属层上涂一层光刻胶，彻底将栅金属凸起的部分埋入，使胶层表面光滑平整，接着整片无版曝光，并均匀地一层层剥离光刻胶使栅金属层中凸起的部分首先暴露出来，然后对露出的金属进行腐蚀，待露出阴极尖锥后，去胶即可。
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